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Fターム[5F157CF20]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | 吸排気構造 (450) | 排気口 (222)

Fターム[5F157CF20]に分類される特許

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【課題】ガス管路118からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部113、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部115と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓111を備えた。 (もっと読む)


【課題】電子製品用の基板に付着した異物を除去する異物除去装置において、エアー射出による異物への除去作用を維持しながらも異物の拡散による再汚染を防止し、充分な異物除去能力を得ることができる。
【解決手段】この発明の異物除去装置においては、異物除去処理を行う際に基板1上部に隙間を空けて対向して配置される異物飛散防止板3と、異物飛散防止板3の外周に設けられる囲い板4と、異物飛散防止板3に開口して設けられるエアー射出部5と、エアー射出部5と囲い板4の間に開口して設けられるメインエアー吸引部6およびサブエアー吸引部7とを備えるものである。 (もっと読む)


【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板搬送の負荷を低減させる。
【解決手段】塗布現像処理システムのインターフェイスステーション5は、ウェハを露光装置に搬入する前に少なくともウェハの裏面を洗浄するウェハ洗浄部141と、洗浄後のウェハの裏面について、当該ウェハの露光が可能かどうかを露光装置に搬入前に検査するウェハ検査部142と、ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142との間でウェハWを搬送する搬送手段143を有している。ウェハ洗浄部141、ウェハ検査部142及び搬送手段143は、筐体140の内部に設けられている。 (もっと読む)


【課題】1つの液処理装置にて異なる種類の液処理を行うにあたって、各液処理時に基板の周辺の処理液由来の雰囲気が拡散することを防止ないし抑制しつつ、クロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板(W)を水平に保持して回転させる基板保持部と、基板に対して第1の処理液および第2の処理液をそれぞれ第1処理液供給ノズルおよび第2処理液供給ノズルと、基板に供給された後の処理液を受けるための液受けカップ(40,42,44)と、液受けカップの周囲に配設され、その上端が前記液受けカップの上方にある上昇位置と、前記上昇位置よりも下方に位置する下降位置との間で昇降自在な、上部に上部開口(50n)が形成された筒状の第1カップ外周筒(50A)と、その外側の第2カップ外周筒(50B)を備えている。使用される処理液に応じて、カップ外周筒50A、50Bを使い分ける。 (もっと読む)


【課題】薬液処理後の雰囲気の置換効率を向上させることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置10は、基板Wを水平に保持する基板保持部21と、基板保持部21に保持された基板Wを上方から覆い、基板保持部21に保持された基板を覆う処理空間30を形成する天板32と、を備えている。処理空間30においては、薬液ノズル82aにより、基板保持部21に保持された基板Wに対して薬液が供給され、置換ノズル82cにより、処理空間30の雰囲気を置換するための置換ガスが処理空間30に供給されるようになっている。また、置換ノズル82cは、処理空間30内に進出した進出位置と処理空間30から外方に退避した退避位置との間で水平方向に移動する置換ノズル支持アーム82rによって支持されると共に、置換ガスを上方に吐出するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】処理工程全体の処理時間の短縮を図る。
【解決手段】本発明による液処理方法は、第1ノズル31Aを用い第1処理液をウエハWに供給するとともに、第1処理液を第1排出路46aから排出して第1気液分離器48aへ導く第1処理工程と、第2ノズル31Bを用い第2処理液をウエハWに供給するとともに、第2処理液を第2排出路46bから排出して第2気液分離器48bへ導く第2処理工程とを備えている。第2処理工程が開始される前に、第1ノズル31Aから第2ノズル31Bへのノズル切換作業と、案内カップ44を上下させて第1排出路46bから第2排出路46bへ切換える排出機構切換作業が行なわれる。切換作業に要する時間のうち最長となる時間を最大準備時間として、第1処理工程の終了時から最大準備時間以上早めた時間から上記切換作業が開始される。 (もっと読む)


【課題】複数の基板に超臨界流体を効果的に噴射する基板処理装置及び基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明の実施形態による基板処理装置は、処理が遂行される空間を提供するハウジング4100と、ハウジング4100の内部に互いに上下方向に離隔されて配置され、各々複数の基板Sの縁を支持する複数の支持部材4320と、を包含する。 (もっと読む)


【課題】特定のイオン種洗浄ガスから除外する洗浄チャンバ、簡単に交換又は再調整できるチャンバ構成部品、基板汚染を抑え均等な加熱を可能にする基盤加熱台座部を提供する。
【解決手段】基板洗浄チャンバ24は、例えば消耗セラミックライナ60、基板加熱台座部80及び処理キット114等の様々な構成部品を備える。消耗セラミックライナは、遠隔ガスエナジャイザ52のガス出口チャネル62を基板洗浄チャンバのガス入口チャネル40に接続するために設置される。基板加熱台座部は、配列された凹部内に複数のセラミックボール90が位置決めされた基板受け面を有する環状プレート82を備える。処理キットは、トッププレート116、トップライナ118、ガス分散プレート120、ボトムライナ122及びフォーカスリング124を備える。 (もっと読む)


【課題】処理液を廃棄することなくフィルタに蓄積される気泡を効率よく除去することが可能な処理液供給装置、基板処理装置、気泡の除去方法および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板の処理時には、フィルタ250により気泡が除去された処理液が配管L9,L11を通してノズル28に供給される。気泡の除去時には、バルブv5が開放されるとともにバルブv2が閉止されることにより、気体を含む処理液がフィルタ250から配管L8を通して気液分離トラップタンク230に戻される。気液分離トラップタンク230内の上部空間に一定量の気体が蓄積されることにより気液分離トラップタンク230内の処理液の液面が予め定められた所定の位置まで低下した場合に、バルブv5が閉止されるとともにバルブv2が開放される。 (もっと読む)


【課題】基板を収容するカップ周辺における、処理液の散乱による汚染を防止する。
【解決手段】基板処理装置10は、基板12の上方に位置し、基板12上を流れる気体を基板12の外周上方から排気する上部排気口1と、上部排気口1から基板12の方向に延伸するように設けられ、基板12上を流れる気体が上部排気口1に流れ込むように、当該気体の流れる向きを変更する第1遮蔽部2とを備えている。 (もっと読む)


【課題】マイクロエレクトロニクス用の加工物を処理するための装置を提供する。
【解決手段】加工物12を処理するために、特別のバッフル174,218,262またはダクト構造を含み、加工物12および/または支持部材94の外側周辺部に近接して入口(340)を有する。また、障壁板556が、外側周辺部(566)、前記支持部材94の上に配置されて前記加工物を覆う内側表面(560)、この表面に対向配置される外側表面、及び両表面間に処理流体の連通を与える通路576を形成する内側周辺表面を含み、支持部材94の支持表面と内側表面が、その間に制御された流体の流路576を提供する。そして、排気ダクト通路(330)を開放するために、入れ子化されたバッフルを独立に移動し、前記バッフルの各々は、内側周辺部を有する流量制御表面(180,224,268)を備えて、流路外周縁部から流体の流れを受け入れて選択されたバッフルに関連した排気ダクト通路内に流体の流れを導くことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】洗浄後の半導体ウェーハ上にエピタキシャル層を形成した際の表面のエピ欠陥を低減することが可能な半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体ウェーハ1を所定間隔をもって起立状態でX方向に整列させて収容する反応処理槽10と、反応処理槽10の底面に設けられ、反応処理槽10にフッ化水素ガスを供給するガス供給口11とを備え、ガス供給口11は、フッ化水素ガスに含まれるミスト成分を除去するフィルタ12を有する。フィルタ12によってミスト成分が除去されたフッ化水素ガスにより半導体ウェーハ1の洗浄を行なうため、洗浄後に半導体ウェーハ1上にエピタキシャル層を形成した場合の表面のエピ欠陥を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】排気効率およびスペース効率を改善し、液切り乾燥直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止する。
【解決手段】上部および下部エアナイフ122U,122Lがそれらの間を通過する基板Gに対してナイフ状の鋭利な高圧エア流を吹き付けることにより、両エアナイフ122U,122Lの上流側の空間に多量のミストが発生する。基板Gの上で発生したミストの大部分は、下流側のFFU136から隙間Kを通って廻ってくる空気および入口118から入ってくる空気と一緒に上部排気口124に吸い込まれる。基板Gの下で発生したミストは、その全部がFFU136から廻ってくる空気および入口118から入ってくる空気と一緒に下部排気口126,128に吸い込まれる。 (もっと読む)


【課題】基板の清浄度を向上させること。
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wを保持するスピンチャック3と、スピンチャック3に保持されている基板Wの外周より外側に配置されているカップ6とを含む。カップ6は、気体吐出口から基板W上に向けて気体を吐出することにより、基板Wの上面に沿って流れる気流を形成する。この気流によって基板Wの上面がパーティクルやミストから保護される。 (もっと読む)


【課題】フラットな物品、例えばシリコン基板の、発生する反応ガスを吸引しながら行う片面の湿式化学的な処理を可能にし、その際、気泡の破裂に基づく上面の所望されない濡れの上述の問題を、この面の保護を必要とすることなく回避する装置及び方法を提供する。
【解決手段】捕集チャンバ(10)が、出口(9)の領域に流入開口(11)を備えるとともに、入口(8)の領域に流出開口(12)を備えて、排気通路(13)を形成し、搬送ガス(G)が、排気通路(13)を搬送方向(7)とは逆向きに、かつ搬送平面(6)及び搬送方向(7)に対して略平行に通流可能であるようにした。 (もっと読む)


【課題】回収カップとは別個に気液分離装置を設ける必要をなくして、基板液処理装置の小型化を図ること。
【解決手段】本発明では、基板を保持するとともに保持した基板を回転させるための基板回転機構と、基板に複数種類の処理液を選択的に供給する処理液供給機構と、基板に供給した後の処理液を回収するための回収カップと、処理液を回収するために回収カップに形成した複数の液回収部と、液回収部から回収した処理液を排出するために回収カップの底部に形成した排液口と、回収カップの排液口よりも上方側に形成した排気口と、排気口の上方を所定の間隔をあけて覆うために回収カップに形成した固定カバーと、基板に供給した後の処理液を液回収部へ案内するために固定カバーの上方に設けた昇降カップと、処理液の種類に応じて昇降カップを昇降させるためのカップ昇降機構とを有することにした。 (もっと読む)


【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置は、被処理ウェハWを保持するウェハ保持部130と、被処理ウェハWの接合面Wを覆う供給面141を備えた洗浄治具140とを有している。洗浄治具140には、隙間142に溶剤を供給する溶剤供給部150と、隙間142にリンス液を供給するリンス液供給部151と、隙間142に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部152とが設けられている。溶剤供給部150からの溶剤は表面張力と遠心力により接合面W上を拡散し、リンス液供給部151からのリンス液は溶剤と混合されつつ、表面張力と遠心力により接合面W上を拡散し、不活性ガス供給部152からの不活性ガスによって接合面Wが乾燥されて、当該接合面Wが洗浄される。 (もっと読む)


【課題】基板をスピン乾燥する際に、基板の帯電量が面内で均一になるように制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、処理部22と、処理部22内に設けられ、基板が載置される載置台32と、載置台32の中心を回転軸として、載置台32に載置されている基板を載置台32とともに回転させる回転部35と、基板の表面に、処理部22の温度と基板の帯電量に基づいて、所定の相対湿度に調湿された気体を供給する気体供給部34と、気体供給部34を移動させる第1の移動部84とを有する。気体供給部34により基板の表面に気体を供給する位置を移動させることによって、基板の帯電量を制御する。 (もっと読む)


【課題】基板が汚れるのを抑えること。
【解決手段】基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板の第一面に噴霧状の液状体を吐出するノズルと、前記基板保持部に保持された前記基板の外周に前記第一面とは反対の第二面又は前記基板の端部へ向けて気体を噴出する気体噴出部と、前記基板保持部に保持された前記基板に対して前記ノズルから前記液状体が吐出されている状態で、前記気体噴出部に前記気体を噴出させる制御部とを備える。 (もっと読む)


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