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Fターム[5F157CF22]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | 蓋、扉、仕切 (271)

Fターム[5F157CF22]に分類される特許

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【課題】基板にウォーターマークが発生することを防止でき,かつ,低コストを図ることができる基板処理方法,記録媒体及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数種類の薬液を用いて基板Wを処理した後,基板Wを乾燥させる方法であって,第一の薬液で処理する第一の薬液処理工程と,前記第一の薬液処理工程の後に第二の薬液で処理する第二の薬液処理工程と,前記第二の薬液処理工程の後に基板Wを乾燥させる乾燥処理工程とを行い,少なくとも前記乾燥処理工程において,基板Wの周囲の湿度を前記第一の薬液処理工程時よりも低減させる。 (もっと読む)


【課題】乾燥不良が生じることを抑制しつつ、基板を均一に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】DIWの液膜が形成されたウエハWの表面に、処理液ノズル3からDIWを供給させつつ、ガスノズル4から窒素ガスを供給させて、前記表面の周縁に、前記液膜が除去された液膜除去領域Tを形成させる(図4(b))。その後、ガスノズル4から前記表面への窒素ガスの供給位置を、当該表面の中心部(中心Oおよびその近傍)に移動させることにより、液膜除去領域T内に中心Oを配置させる(図4(c))。そして、液膜除去領域Tが前記中心部に配置された状態で、ウエハWを所定の高回転速度まで加速回転させるとともに、前記窒素ガスの供給位置を前記周縁に向けて移動させることにより、液膜除去領域Tを拡大させつつDIWを前記表面から排除していく(図4(d))。 (もっと読む)


【課題】基板の表面に形成された複雑な構造(トレンチやホール)による乾燥不良を防止する。
【解決手段】処理槽31において基板9に対する純水による洗浄処理を終了した後に、アルコール供給部37から処理槽31にアルコールを供給することにより、処理槽31内の処理液91をアルコールで置換する。また、チャンバ40内の処理槽41において基板9に対するフッ素系溶媒の液体による洗浄を行い、その後、処理槽41から基板9を引き上げて、チャンバ40内でフッ素系溶媒のガスで乾燥処理する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、処理液が供給されて保存される処理槽と、前記処理液を前記処理槽に供給する処理液供給手段とを含む処理部と、流体が供給されて噴射される乾燥槽と、前記流体を前記乾燥槽に供給する流体供給手段とを含む乾燥部とで構成され、前記流体供給手段は、前記流体が前記乾燥槽に提供される前にフィルタリングするフィルタと、前記フィルタを加熱する第1ヒーターとを備える。本発明によれば、乾燥用流体が凝固された状態で乾燥槽に提供されることによって引き起こされるパーティクルの発生が抑制されるから、安定的かつ不良のない基板処理が可能になって、生産量又は歩留まりが向上するという効果がある。 (もっと読む)


【課題】洗浄工程での残渣により製造物に悪影響を及ぼさないようにした洗浄装置及びその洗浄方法を提供する。
【解決手段】槽体210と、槽体210の中に配置されたステージ220と、槽体210の中に設けられ、ステージ220を囲む少なくとも1つの第1の側壁(230又は240)と、槽体210の中で、ステージ220の上方に配置され、ステージ220と第1の側壁との間の第1の範囲を閉じ込める操作可能なプレート265と、ステージ220と第1の側壁との間の第1の範囲と流体連通された排気装置270と、を備える。 (もっと読む)


【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して、基板を洗浄乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置100において、基板が在置されるチャックを持つ基板支持機構110と、上部が開放されて、チャック周辺を囲むように配置された下部チャンバー120と、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で進行されるように下部チャンバー120の上部を開閉する上部チャンバー130と、上部チャンバー130のエッジに設置され、乾燥流体が基板に間接憤射されるように上部チャンバーの中心へ向かって、乾燥流体を憤射する間接憤射ノズル140と、を含むことを特徴とする基板処理装置100。このような構成の基板洗浄装置は、基板の乾燥効率の増大及び外部汚染の遮断そして酸化膜の防止などの効果を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】ディスク状対象物の少なくとも下面の処理を行うための装置において、ディスク状対象物の汚染が回避できるような装置を提供する。
【解決手段】本発明の装置は、上面(2o)を有しかつディスク状対象物(1)を位置決めするための少なくとも2つの部材(19)が上面から垂直に突出している回転可能保持器(2)と、ディスク状対象物(1)の下面(1u)に処理媒体を供給するために固定的に設けられかつ保持器(2)を貫通するように配置された少なくとも1つの配管(24,26)と、保持器(2)の下面(2u)の少なくとも一部から離隔して固定配置され環状間隙(16)を形成しているカバー(4)と、を備え、前記少なくとも1つの配管(24,26)は、隙間のない状態でカバー(4)を貫通していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】上面部材をウェハとともに回転させて処理し,処理流体供給ノズルをウェハの処理面に移動させて処理流体を供給できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】上面部材90を上昇させた状態で,基板Wをスピンチャック60によって保持し,上面部材90を下降させて基板Wの表面に近接させ,スピンチャック60に係合させた状態にし,上面部材90と基板Wとの間に形成された隙間に処理流体を供給し,基板W,スピンチャック60及び上面部材90を一体的に回転させて基板Wを処理し,基板W,スピンチャック60及び上面部材90の回転を停止し,上面部材90を上昇させてスピンチャック60から離脱させた状態で基板W及びスピンチャック60を一体的に回転させて基板Wを処理し,基板W及びスピンチャック60の回転を停止し,スピンチャック60の基板Wに対する保持を解除する。 (もっと読む)


【課題】基板表面の必要な範囲に均一なめっき処理を行うためのめっき前処理を確実に行うことができるようにする。
【解決手段】基板Wの表面に無電解めっきを施すに先だって、めっき前処理としての洗浄処理と触媒付与処理を行うにあたり、触媒付与処理によって基板W表面に触媒を付与する範囲より広範囲に洗浄処理を行う(触媒付与範囲S<洗浄範囲S)。触媒付与処理によって基板表面に触媒を付与する範囲は、例えば、基板W表面の均一にめっき処理を行う必要がある範囲と同じ範囲である。 (もっと読む)


ここに開示されるのは、板状物品の流体処理用の装置であって、板状物品を保持しかつこれを実質的に垂直方向の回転軸線まわりに回転させるための回転ヘッド;回転ヘッドのまわりの放射状に配列され非接触で回転ヘッドを懸架しかつ駆動するための駆動手段;回転軸線と実質的に同心であり、かつ回転ヘッドと駆動手段との間に配置されそして回転ヘッドと駆動手段との間の間隙に挿入された実質的に円筒状の側壁;回転ヘッドと壁とを互いに昇降させるための持上げ手段を備えた装置である。
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【課題】
本願明細書では、裏面汚染物粒子を減少させる技術が開示されている。
【解決手段】
ある1つの特定の例示的実施形態において、この技術は、裏面汚染物粒子を減少させる装置として実現することが可能である。すなわち、上記裏面汚染物粒子(Backside Particles(BSP’s))を減少させる装置は、加工室に収納された平面板へ洗浄物質を供給する洗浄物質送出メカニズムを有している。更にこの裏面汚染物粒子を減少させる装置は、制御装置とで構成され、この制御装置は、前記加工室を第1の圧力レベルに調整し;前記平面板の表面に前記洗浄物質を供給し;そして前記加工室を第2の圧力レベルに調整すると共に、これにより前記洗浄物質と共に汚染物粒子を前記平面板の表面から除去するように構成されたことを特徴とする。 (もっと読む)


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