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Fターム[5F157CF22]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | 蓋、扉、仕切 (271)

Fターム[5F157CF22]に分類される特許

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【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理方法および基板処理装置において、パーティクル除去効率を向上させる。
【解決手段】基板Wの表面Wfに、DIWにポリスチレン微粒子Pを分散させた処理液Lによる液膜LPを形成する。冷却ガス吐出ノズル3から冷却ガスを吐出させながら該ノズルを基板Wに対し走査移動させて、液膜LPを凍結させる。液膜中に混入された微粒子Pが凝固核となって氷塊ICの生成が促進されるため、液相から固相への相変化時間を短くしてパーティクル除去効率を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】複数枚の基板とともに処理部を移動することにより、流体の使用量を低減することができる槽キャリアを提供する。
【解決手段】筐体3内の支持部材11に複数枚の基板Wを支持させた槽キャリア1を所望の処理部に移動させる。そして、筐体3に処理液を供給されることにより、複数枚の基板Wに対する処理を行うので、処理液の供給量を低減できる。したがって、処理に要する処理液の使用量を低減することができる。また、基板Wの受け渡しの機会を少なくできる。 (もっと読む)


【課題】基板の被処理面への光の照射による銅配線等のフォトコロージョンを防止し、しかも装置内の一部の処理ユニットのメンテナンス中においても、基板の処理枚数は減少するものの、光の照射による銅配線等のフォトコロージョンを防止した洗浄等の処理を行うことができるようにする。
【解決手段】遮光処理を施した複数の処理ユニット40a,40b,42a,42b,44a,44bを上下に配置して内部に収納する複数の処理エリア30,32,34と、搬送機46,48を内部に収納して処理エリアの間に設置される搬送エリア36,38とを有し、処理エリアと搬送エリアとの間を遮光壁50,52で、搬送エリアの前面をメンテナンス用扉54b,54dでそれぞれ遮光し、処理ユニットを遮光壁に遮光状態で連結した。 (もっと読む)


【課題】フラットな物品、例えばシリコン基板の、発生する反応ガスを吸引しながら行う片面の湿式化学的な処理を可能にし、その際、気泡の破裂に基づく上面の所望されない濡れの上述の問題を、この面の保護を必要とすることなく回避する装置及び方法を提供する。
【解決手段】捕集チャンバ(10)が、出口(9)の領域に流入開口(11)を備えるとともに、入口(8)の領域に流出開口(12)を備えて、排気通路(13)を形成し、搬送ガス(G)が、排気通路(13)を搬送方向(7)とは逆向きに、かつ搬送平面(6)及び搬送方向(7)に対して略平行に通流可能であるようにした。 (もっと読む)


【課題】薬液処理中あるいは天板の洗浄中に、天板に付着した薬液または洗浄液が望ましくない態様で飛散することを防止する。
【解決手段】液処理装置は、基板(W)を水平に保持して回転させる基板保持部(21)と、基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液ノズル(82)と、基板保持部に保持されたときの基板の周縁の外方に位置するよう設けられた、処理液ノズルにより基板に供給された後の処理液を受けるためのカップ(40)と、基板保持部に保持された基板を上方から覆う天板(32)と、天板を回転させる天板回転駆動機構と、天板の周縁を囲んで天板の外方に位置するように設けられ、天板から飛散する液体を受ける環状の液受け空間(132)を有する液受け部材(130)とを備えている。 (もっと読む)


【課題】超臨界工程を遂行する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、一面に基板が出入する開口が形成され、高圧工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記ハウジング内に設置され、前記基板を支持する支持部材と、前記開口を開閉するドアと、前記高圧工程の時、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアへ力を加圧する加圧部材と、を含む。 (もっと読む)


【課題】回収カップとは別個に気液分離装置を設ける必要をなくして、基板液処理装置の小型化を図ること。
【解決手段】本発明では、基板を保持するとともに保持した基板を回転させるための基板回転機構と、基板に複数種類の処理液を選択的に供給する処理液供給機構と、基板に供給した後の処理液を回収するための回収カップと、処理液を回収するために回収カップに形成した複数の液回収部と、液回収部から回収した処理液を排出するために回収カップの底部に形成した排液口と、回収カップの排液口よりも上方側に形成した排気口と、排気口の上方を所定の間隔をあけて覆うために回収カップに形成した固定カバーと、基板に供給した後の処理液を液回収部へ案内するために固定カバーの上方に設けた昇降カップと、処理液の種類に応じて昇降カップを昇降させるためのカップ昇降機構とを有することにした。 (もっと読む)


【課題】処理容器内において被処理基板に対して高圧流体を用いて処理を行うにあたって、処理容器の搬入出口を気密に塞ぐ蓋体と当該処理容器との間に設けられるシール部材の劣化及び当該シール部材を介した被処理基板の汚染を抑えること。
【解決手段】処理容器1内にウエハWを搬入出する搬入出口2を囲むように、処理容器1と蓋体3との間に第1のシール部材11及び第2のシール部材12を搬入出口2側から処理容器1の外側に向かってこの順番で配置して、第1のシール部材11については高圧流体に対して耐食性を有する材質により構成する。そして、第1のシール部材11に加わる差圧を緩和するために、差圧緩和領域13に窒素ガスを供給して、当該差圧緩和領域13における圧力が処理容器内1の圧力よりも低く且つ処理容器1の外部よりも高い圧力に設定すると共に、第2のシール部材12により窒素ガスが外部に流出することを防止する。 (もっと読む)


【課題】SPM処理時に天板に付着したヒュームが、SPM処理の後に実施される乾燥工程等の他の工程時に基板に付着してしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】天板32は、基板保持部21に保持された基板Wを上方から覆う進出位置と、水平方向において進出位置から退避した位置である退避位置との間で水平方向に移動するようになっている。回転カップ40の周囲には、上部に上部開口50nが形成された筒状のカップ外周筒50が昇降自在に設けられている。 (もっと読む)


【課題】SPM処理時にSPM液が基板に再付着することを抑制することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】天板32には、水平面上で当該天板32を回転させる天板回転機構が設けられている。カップ40の周囲に配設された筒状のカップ外周筒50は、その上端がカップ40の上方にある上昇位置と、上昇位置よりも下方に位置する下降位置との間で昇降するようになっている。ノズル82aを支持するノズル支持アーム82は、カップ外周筒50が上昇位置にあるときに当該カップ外周筒50の側面の側面開口50mを介してカップ外周筒50内に進出した進出位置とカップ外周筒50から外方に退避した退避位置との間で水平方向に移動する。 (もっと読む)


【課題】SPM処理時に天板に付着したヒュームが、SPM処理の後に実施される乾燥工程等の他の工程時に基板に付着してしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】天板32は、基板保持部21に保持された基板Wを上方から覆う進出位置と、水平方向において進出位置から退避した位置である退避位置との間で水平方向に移動するようになっている。清浄化されたガスを下方向に流すためのエアフード70は、基板保持部21に保持された基板Wを上方から覆う下降位置と、下降位置よりも上方に位置する上昇位置との間で昇降するようになっている。 (もっと読む)


【課題】基板を上方から覆うための天板の下面に天板洗浄液を全面に供給することができ、天板の下面に付着したSPM液の液滴や飛沫等が天板の下面に残留することを抑制することができる液処理装置および天板洗浄方法を提供する。
【解決手段】天板32の下面に対して下方から天板洗浄液を供給する天板洗浄液供給ノズル82aが一のノズル支持アーム82qにより支持されており、このノズル支持アーム82qは、天板32の下方にノズル82aが位置するような天板洗浄位置と、天板32の下方の領域から外方に退避した退避位置との間で移動するようになっている。 (もっと読む)


【課題】基板を回転させて基板の上面から処理液を除去して基板を乾燥する際に、基板の上面全体にわたって処理液の除去に要する時間を均一化して基板を良好に乾燥させる。
【解決手段】赤外線照射部5から出射される赤外線が基板Wの下方から基板中央部分Wcpに照射され、基板中央部分Wcpの上面に付着するIPA液で吸収される。この赤外線吸収によってIPA液の温度が上昇し、基板中央部分Wcpの上面に付着するIPA液の液膜温度が基板Wの周縁部分に付着するIPA液の液膜温度よりも高くなる。これにより、基板中央部分Wcpでの蒸発乾燥が基板Wの周縁部分での蒸発乾燥よりも促進され、基板中央部分Wcpと周縁部分との乾燥時間の差が抑制される。その結果、基板Wの上面Wus全体にわたって乾燥時間が均一化される。 (もっと読む)


【課題】ノズル支持アームに複数設けられたノズルの全体の投影面積を小さくすること。
【解決手段】液処理装置は、基板(W)を保持する基板保持部と、基板保持部に保持された基板に流体を供給する複数のノズル(82a,82a’)と、複数のノズルを支持するノズル支持アーム(82)と、ノズル支持アームを当該ノズル支持アームの長手方向軸線周りに回転させる回転機構(86A)と、を備え、複数のノズルの吐出口(82a1,82a1’)は、ノズル支持アーム長手方向軸線周りの異なる周方向位置に配置され、ノズル支持アームの回転位相に依存して前記複数のノズルうちのいずれか一つの吐出口が基板保持部により保持された基板の方を向くように設けられている。 (もっと読む)


【課題】基板が汚れるのを抑えること。
【解決手段】基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板の第一面に噴霧状の液状体を吐出するノズルと、前記基板保持部に保持された前記基板の外周に前記第一面とは反対の第二面又は前記基板の端部へ向けて気体を噴出する気体噴出部と、前記基板保持部に保持された前記基板に対して前記ノズルから前記液状体が吐出されている状態で、前記気体噴出部に前記気体を噴出させる制御部とを備える。 (もっと読む)


【課題】液処理の工程に応じて基板の上方における気流の状態を最適化可能な液処理装置、および液処理方法を提供すること。
【解決手段】基板Wを液処理する液処理装置1において、基板Wを水平に支持し、回転可能な支持部材10と、支持部材10の外周部13との間に環状間隙GPを形成する間隙形成部材20と、基板Wに上方から処理液を供給する液供給部材30と、環状間隙GPを取り囲み、環状間隙GPを介して、回転する基板Wから振り切られる処理液を回収するカップ40と、間隙形成部材20を昇降させる昇降機構122とを有する。 (もっと読む)


【課題】超臨界乾燥処理時に、半導体基板上の金属材料がエッチングされることを防止する。
【解決手段】半導体基板の超臨界乾燥方法は、半導体基板を洗浄して純水リンスする工程と、前記半導体基板の表面を純水からアルコールに置換する工程と、前記アルコールで濡れた前記半導体基板をチャンバに導入する工程と、前記チャンバ内から酸素を排出する工程と、前記アルコールを超臨界状態にする工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、超臨界状態の前記アルコールを気体に変化させて、前記チャンバから排出する工程と、を備える。前記チャンバは、SUSによって形成され、内壁面に電解研磨処理が施されている。 (もっと読む)


【課題】洗浄槽から引き上げた基板の下端部に液滴が残って不純物やパーティクル等が基板に残留するのを抑制することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】洗浄液を貯留し、該洗浄液に対して基板を浸漬することができる洗浄槽と、前記洗浄槽の上方に配置され、前記基板を収容可能な乾燥室と、複数の基板を直立に保持し、前記洗浄槽と前記乾燥室とを往復可能に設けられる基板保持搬送部と、前記乾燥室に設けられ、前記乾燥室内へ有機溶剤の蒸気を供給する第1の供給部と、前記基板保持搬送部により前記乾燥室において保持される前記基板の下端部に乾燥ガスを供給可能な第2の供給部とを備える基板処理装置により上記課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】基板処理に伴うパーティクルの再付着を抑制するとともに、基板処理の均一性を向上する。
【解決手段】処理槽内の液面レベルを、処理槽内に保持される基板よりも下の液面レベルに制御し、その処理液を、第1循環手段に備えられた第1吐出部から基板に向けて処理槽内で空中吐出する。そのため、基板は処理槽内に貯留された処理液と接触することがなく、基板処理に使用した後の処理液中に含まれるパーティクルが基板に再付着することを防止できる。 (もっと読む)


【課題】基板の表面の接触角が小さい場合であっても、パーティクルの除去率を増大させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Wは、表面Wfを上方に向けた略水平姿勢の状態でスピンチャック2に保持される。その後、疎水化剤吐出ノズル5から基板Wの表面Wfに疎水化剤が供給されて、基板Wの表面Wfが疎水化される。その後、処理液吐出ノズル97から基板Wの表面Wfに処理液が供給されることにより処理液の液膜が形成される。その後、冷却ガス吐出ノズル3から基板Wの表面Wfに冷却ガスが吐出されて、液膜が凍結される。その後、融解液吐出ノズル6から基板Wの表面Wfに融解液が吐出されて、凍結膜が融解、除去される。 (もっと読む)


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