【課題】この発明は基板を搬送するための搬送ユニットを処理槽内に容易かつ精度よく設置することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理槽１は、矩形状の下部フレーム２の四隅部に下端部が連結されて立設された支柱部材４と、支柱部材の上端部に四隅部が連結されて設けられた上部フレーム３と、支柱部材の高さ寸法に対応する間隔で上下方向に離間した下部フレームと上部フレームとがなす４つの側面に設けられ所定方向に位置する一対の側面の一方に上記基板の搬入口が形成され他方に上記基板の搬出口が形成された側壁部材１１と、下部フレームに所定間隔で架設されそれぞれの上面に第１の基準面１８が形成された複数の連結部材９と、第１の基準面を基準にして取付けられ搬入口から内部に搬入された基板を搬出口に向かって搬送する搬送ユニット２９と、下部フレームの開口部分を閉塞する底部材２１ａ，２１ｂと、上部フレームの開口部分を閉塞する天井部材２５によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効果的に除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置を提供するところにある。
【解決手段】本発明はスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に係り、処理対象物１０の表面から異物を脱離可能な高速のガスを噴射するノズルにおいて、前記処理対象物１０の幅方向に沿って延設されるノズル本体１１１と、前記ノズル本体１１１に供給された高圧のガスが前記ノズル本体１１１の長手方向に沿って均一に分布可能となるように前記処理対象物１０の幅方向に連続する流路を有して前記ノズル本体１１１の内部に形成される圧力均配路１１２と、前記ノズル本体１１１および圧力均配路１１２の一方の端部に前記処理対象物１０の幅方向に連続するように開放形成され、前記圧力均配路１１２を介して高圧のガスを供給されて衝撃波を生じさせる超音速ガスジェットを生成し、前記処理対象物１０に向けて噴射するスリット１１３と、を備ええてなることを技術的要旨として、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効率よく除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に関する。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で実施可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄するための基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが表面に形成された基板としてのウエハＷの洗浄処理を、ウエハＷの表面に所定の加工を施す処理チャンバからウエハＷの洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、洗浄チャンバ内においてウエハＷを所定温度に冷却する冷却ステップと、超流動体としての超流動ヘリウムをウエハＷの表面に供給し、ウエハＷの表面から超流動ヘリウムを流し出すことによって微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップにより行う。 （もっと読む）

【課題】開口を通過する基板の汚染を、より効果的に防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シャッタ機構１９は、開口１７を覆うことができる第１シャッタ２０と、側壁２Ａにおける開口１７の上部分である上部領域ＡＵを覆うことができる第２シャッタ２１と、第１シャッタ２０および第２シャッタ２１を昇降させる第１移動機構３０とを備えている。第１移動機構３０は、第１シャッタ２０および第２シャッタ２１を、第１シャッタ２０が開口１７を閉塞し、第２シャッタ２１が上部領域２ＡＵの大部分を覆う閉状態と、第１シャッタ２０および第２シャッタ２１がパスラインＰＬよりも下方に退避する開状態との間で、鉛直姿勢を維持させつつ昇降させることができる。 （もっと読む）

本発明は、高圧処理器に関し、本発明による高圧処理器は、高圧の二酸化炭素が内側に供給され、該高圧の二酸化炭素でウェーハを洗浄することができる収納空間部と、該収納空間部の前段で該収納空間部の高さよりさらに高い空間である開閉空間部とを備える本体と；前記本体の収納空間部に固定設置されて前記ウェーハを実装し、前記流入された高圧の二酸化炭素を前記ウェーハの表面に沿って流れるようにして洗浄するウェーハ支持部と；前記本体の開閉空間部の一側を密閉し、且つ、前記ウェーハのローディング及びアンローディングが可能な開口部が設けられたドアカバーと；前記開閉空間部内で上下移動が可能であり、前記ドアカバー側に前後移動が可能なドアと；前記ドアを上下方向に駆動させるドア駆動部と；を含む。このような構成の本発明は、気密部分が高圧の二酸化炭素に露出することを最小化し、気密部の寿命を延長させることができるという効果があり、ドアを上下及び前後に移動させることができるようにして、気密性を向上させると共に、上下駆動時に周辺との摩擦を最小化し、摩耗量を低減し、高圧処理器の寿命を延長させることができ、異物の発生を防止することができるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】近年、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて、窒化シリコン膜等が有する応力に起因する歪を利用したキャリア移動度向上技術が活用されている。これに伴って、ウエハの表側における複雑なデバイス構造上の窒化シリコン膜を高選択で除去するため、熱燐酸によるバッチ方式ウエット処理が必須となっている。これによって、ウエハの裏面の窒化シリコン膜も除去され、一群の歪付与工程の後のプロセスにおいては、ウエハの裏側の表面はポリ・シリコン部材ということとなる。しかし、一般的なウエハの裏面等の洗浄に使用する方法は、裏面が窒化シリコン膜等であることを前提とするものであり、その特性の異なるポリ・シリコン主体の裏面を有するウエハでは洗浄の効果が十分といえない恐れがある。
【解決手段】リソグラフィ工程の前に、ＦＰＭ処理の後ＳＰＭ処理を実行する２工程を含むウエハ裏面に対するウエット洗浄処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着した液体を大気圧雰囲気で除去して基板を良好に乾燥させることができる基板乾燥装置および基板乾燥方法を提供する。
【解決手段】凍結膜１２を構成するＤＩＷの凝固点よりも低温で、かつ凍結膜１２の温度よりも低い露点を有する凍結乾燥用窒素ガスが基板表面Ｗｆに向けて継続して供給される。このため、凍結乾燥用窒素ガス中の水蒸気の分圧は凍結膜１２の蒸気圧（昇華圧）よりも低く昇華乾燥が進行する。また、昇華により発生した水蒸気成分は凍結乾燥用窒素ガスの気流に乗って基板表面Ｗｆから取り除かれるため、水蒸気成分が液相や固相に戻り基板表面Ｗｆに再付着するのを確実に防止することができる。このように大気圧雰囲気で基板表面Ｗｆに付着したリンス液を良好に除去して基板Ｗを乾燥させることができる。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置において、被処理物の表面上での処理ガスの流れを調節する。
【解決手段】被処理物９を支持部２１にて処理領域に配置して支持する。第１処理ガス供給系６０Ａにて、処理ガスを被処理物９の相対的に内側の部分に供給する。第２処理ガス供給系６０Ｂにて、処理ガスを被処理物９の相対的に外周側の部分に供給する。第１処理ガス供給系６０Ａの処理ガスの供給流量と第２処理ガス供給系６０Ｂの処理ガスの供給流量を互いに連関させて調節する。好ましくは、第１処理ガス供給系６０Ａの供給流量を第２処理ガス供給系６０Ｂの供給流量より大きくする。 （もっと読む）

【課題】形成されたパターンに与えるダメージが少ない基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板の表面にドライエア又は不活性ガスの気流にのせた洗浄用の微粒子を基板に衝突させて、前記基板の洗浄を行う洗浄工程と、前記洗浄用の微粒子を除去する除去工程と、を有することを特徴とする基板洗浄方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を収容した搬送容器が載置されるロードポートと、搬送容器を保管する容器保管部と、を備えた基板処理装置において、ロードポートにおける搬送容器の受け渡し回数の増大を図ることができ、これにより基板を高いスループットで処理することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】横方向の位置が互いに異なる第１の搬送路１０２Ａ及び第２の搬送路１０２Ｂの各々に沿って、複数枚の基板を収容した搬送容器１０を搬送する第１の搬送装置１０４Ａ及び第２の搬送装置１０４Ｂを利用し、第１の搬送装置１０４Ａにより搬送容器１０の受け渡しが行われる第１のロードポート２１と、この第１のロードポート２１に対して階段状に設けられ、前記第２の搬送装置１０４Ｂにより搬送容器１０の受け渡しが行われる第２のロードポート２２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の処理室内に渦流やガス溜りが形成されるのを防止する。
【解決手段】処理容器１０の処理室１０ａ内に支持部２１を設け、この支持部２１にて被処理物９を支持する。処理ガス供給系６０によって処理ガスを被処理物９に供給する。排気系７０によって、処理室１０ａ内のガスを排出する。排気系７０の排気孔７１を被処理物９と直交する方向から見て被処理物９（処理領域）を囲むように環状に分布させて設ける。 （もっと読む）

【課題】生産性が高くかつ高品質な半導体基板を得ることが可能な紫外線照射装置および紫外線照射方法を提供すること。
【解決手段】紫外線ランプユニット８から照射される赤外線によるウェハ６の温度上昇を考慮し、紫外線ランプユニット６と重合する位置に配備されたヒータユニット７ｂから放射される輻射熱と紫外線ランプユニット８から放出される輻射熱の単位面積あたりの総和が他のヒータユニット７ａの単位面積あたりの輻射熱と同等になるようにヒータユニット７ｂを加熱制御する。 （もっと読む）

【課題】処理槽から引き上げられた被処理体から立ち上る処理液の蒸気が、搬送駆動部の設けられた隔壁の他方側に侵入することを防止すること。
【解決手段】処理装置は、間隙２５を有する隔壁２８と、隔壁２８の一方側に配置され、被処理体Ｗｇを処理する処理液Ｃ１が貯留された処理槽３１と、隔壁２８の間隙２５を通過可能な支持部２１と、隔壁２８の他方側に設けられ支持部２１を移動させる搬送駆動部２３と、を有する搬送機構と、被処理体Ｗｇを、処理液Ｃ１内から取り出して引き上げ位置に位置づける上下方向移動部３２と、を備えている。処理槽３１の上方には、上方から第一気体を供給する第一気体供給部２７が設けられている。処理装置は、引き上げ位置に位置づけられた被処理体Ｗｇに向かって第二気体を噴出する気体噴出部１０も備えている。 （もっと読む）

【課題】例えばスピン式のウェットエッチング処理装置等の基板処理装置のチャンバ内を効率的に洗浄する。
【解決手段】基板処理装置の洗浄方法は、遮断板（３０）を回転させながら、遮断板の上方に設けられた洗浄液供給手段（７０）から洗浄液を遮断板に対して吐出させることにより、遮断板から飛散される洗浄液によってチャンバ（５００）内を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング加工を行ったウェハにおけるデガスの影響による異物の発生を低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、各ウェハ１５０を略水平にして複数のウェハ１５０を上下に並べて収容するとともに、側方に設けられたドア１０４を含む収納容器１００に、ドライエッチング加工が行われた複数のウェハを順次収容する工程と、ドア１０４が開いた状態で、収納容器１００に収容すべきすべてのウェハ１５０が当該収容容器に収容されてから３０秒以上、収納容器１００内のウェハ１５０に対して水平方向からパージガスを吹き付ける工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で被処理体を容易に且つ確実にすることができる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】超音波洗浄装置１は、上部が開口された略直方体の箱状容器であって、その内部に洗浄液を貯留する洗浄槽１０と、内部に水を貯留すると共に洗浄槽１０を収容する外槽１５と、洗浄槽１０の内部に配設され、洗浄すべき被処理体としての半導体ウエハＡを支持する支持部材２０と、外槽１５の外部に配設され、洗浄槽１０内部に超音波を発振する超音波発振装置６０を備える。洗浄槽１０は、超音波発振装置６０からの超音波を透過する側面部１２ｂと、側面部１２ｂに対向して配され、超音波発振装置６０からの超音波を反射する側面部１２ａとを有している。そして、超音波発振装置６０は、外槽１５に貯留された水を介して洗浄槽１０に超音波を発振し、且つ洗浄槽１０の側面部１２ｂから側面部１２ａに向かって超音波を伝播させる。 （もっと読む）

【課題】基板表面上の処理液を溶剤で置換した後に当該溶剤を基板表面から除去して当該基板表面を乾燥させる基板処理方法および基板処理装置において、基板表面に水滴が付着するのを防止して乾燥性能を高める。
【解決手段】基板表面Ｗｆの上方位置に遮断部材６４が配置されている。この遮断部材６４の中央部にはＩＰＡ液供給路が設けられており、当該ＩＰＡ液供給路に対してＩＰＡ液供給ユニットが接続されており、所定温度にまで加熱された高温の１００％ＩＰＡ液（高温ＩＰＡ液）を基板表面Ｗｆに向けて吐出可能となっている。そして、置換処理を行う際には、高温ＩＰＡ液を基板表面Ｗｆに供給することで基板表面Ｗｆ上のリンス液を置換している。このため、基板表面Ｗｆ上のリンス液が高い置換効率で高温ＩＰＡ液に置換されてスピン乾燥処理前に基板表面Ｗｆ上に残存するリンス液の量を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 素子部分に損傷を与えず、ウェハのベベルの汚れを効果的に除去し得るウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】 チャンバ１と、チャンバ１の内部に配設されて処理対象であるウェハ７が載置されるステージ６と、チャンバ１の内部にプラズマ９を形成するプラズマ発生手段と、プラズマ９とウェハ７とを隔離するようチャンバ１の内部に配設された隔離部材１０と、プラズマ９によって生成されるラジカル９Ａをウェハ７の外周部に選択的に回り込ませるよう隔離部材１０の外周部に形成した貫通孔１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理の均一性を向上させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗの上面に遮断板４の下面を対向させた状態で、基板Ｗと遮断板４との間に処理液を供給して、基板Ｗと遮断板４との間を処理液によって液密にする。そして、基板Ｗと遮断板４との間が処理液によって液密にされた状態で、基板Ｗと遮断板４とを鉛直軸線まわりに相対回転させる。 （もっと読む）

【課題】排気中の処理流体濃度を低減させ、基板処理装置に接続した排気設備へ流れ込む処理流体が低減し、排気設備への負担を軽減させること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、基板（２）を処理するための基板処理部（２１）と、基板（２）を処理する処理流体を基板処理部（２１）に供給するための処理流体供給部（２２）と、噴霧ノズル（４８，４９）から処理流体を溶解する溶媒を基板処理部（２１）より排出された排気に向けて噴霧することによって排気中の処理流体濃度を低減させるための排気処理部（２３）とを設けることにした。また、前記排気処理部（２３）は、内部に排気を分散させるための多孔状の分散板（５２、５３、５４）を設けることにした。 （もっと読む）