【課題】吸着パッドに詰まったスラッジを確実に排出する。
【解決手段】支持部材（５３ａ）に支持されていて被加工物（２０）を吸着する吸着パッド（５１ａ）を洗浄する吸着パッド洗浄装置は、吸着パッドの内部から吸着パッドの吸着面（５２ａ）に向かって洗浄液を供給する洗浄液供給手段（５８）と、吸着パッドの吸着面において吸着パッドの内側領域を該内側領域周りの外側領域から封止可能に被覆する内側領域被覆部（３０）とを含む。また、チャックテーブル（１２ａ）は、被加工物を吸着する吸着パッドと、吸着パッドを支持する支持部材（５３ａ、５７）と、支持部材に形成されていて吸着パッドの内側領域周りに在る外側領域まで延びる外側領域通路（７１）と、洗浄液を外側領域通路に通して吸着パッドの吸着面に向かって供給する洗浄液供給手段と、を含む。 （もっと読む）

【課題】表面にパターンが形成された半導体装置用の基板におけるパターン倒れを防止しつつ、高い洗浄効果の得られる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体装置用の基板Ｗを洗浄する基板洗浄装置１において、気泡発生手段３は基板保持手段６に保持された基板Ｗに供給される洗浄液中に、正または負の一方に帯電し、且つ、気泡径が１０ｎｍ以上、１００μｍ以下の気泡を発生させ、噴射ノズル２１は、この気泡を含んだ洗浄液を噴霧用のガスと混合して微粒化し、基板Ｗに向けてミストを噴射することにより当該基板Ｗを洗浄する。 （もっと読む）

【課題】撥水面を有する洗浄処理後の基板に対し気体を噴出して液切り乾燥させる場合に、基板表面にウォータマークが発生することを確実に防止できる装置を提供する。
【解決手段】基板搬送方向に対して交差するように、基板Ｗの主面へその幅方向全体にわたって気体を噴出して基板上から液体を除去するエアナイフ３２を配設し、エアナイフより基板搬送方向における後方に、基板搬送方向に対して交差するように、基板の主面へその幅方向全体にわたって液体をカーテン状に吐出する液体ノズル３４、３６を配設する。液体ノズル３４のエアナイフ３２側に、下端が基板Ｗの主面と近接するように基板の幅方向全体にわたって板状カバー３８を取着し、板状カバーにより、液体ノズルからカーテン状に吐出される液体が基板搬送方向における前方へ流動するのをせき止め、エアナイフから噴出する気体による水膜４０の乱れを抑える。 （もっと読む）

【課題】高温で不安定な過酸化水素水を使用せずに、硫酸を用いて基板表面のレジスト残渣を効率よく除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】硫酸を含む第１の処理液及び水よりなる第２の処理液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、基板の少なくとも一方の面に常温より高温に保持された前記第１の処理液の液膜を形成する液膜形成手段１０、３１と、前記基板の前記第１の処理液の液膜が形成された面に、前記第２の処理液の蒸気又はミストを供給する蒸気・ミスト供給手段４０とを有することを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】占拠床面積を減少しつつウエハ面内均一性を向上させる。
【解決手段】複数枚のウエハ２００を保持して待機室と処理室との間を移動するボート２１７と、待機室に設置されボートに複数枚のウエハを一括して授受する授受装置５０と、授受装置にウエハを移載するウエハ移載機構１２５とを備えた基板処理装置において、ボートにウエハをそれぞれ載置する載置面を複数設け、授受装置にはロータリーアクチュエータ５３を設け、ロータリーアクチュエータの回転台５５には支柱５６を垂直に立設し、支柱には載置面外周を半分取り囲む形状の支持部５７を載置面と同数設ける。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の状況に応じて温調度合いを変えることにより、乾燥不良を防止しつつも消費電力を抑制できる。
【解決手段】制御部６５は、チャンバ１１内の測定圧力に応じた限界濃度データと測定温度とに基づいて処理ガスの限界濃度を求め、この限界濃度に対応する温度よりも若干高くなるようにチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３を操作する。したがって、チャンバ１１内の圧力が低下するにつれてチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３の温度を下げてゆくことができるので、処理ガス中の有機溶剤蒸気がチャンバ１１及び処理槽１に結露することを防止しつつも、チャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３への供給電力を必要最小限にできる。その結果、基板Ｗの乾燥不良を抑制しつつも消費電力を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】基板に対する処理液の再付着を抑制または防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを水平に保持するための支持リング９を有するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する洗浄液ノズル４およびリンス液ノズル５と、基板Ｗの外方に向かって飛散する処理液の液滴を受け止めるためのスプラッシュガード６とを備えている。支持リング９は、基板Ｗの上面から外方へと処理液が流れていくように、基板Ｗの全周を取り囲んで基板Ｗの外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面６１を有している。また、スプラッシュガード６は、スピンチャック３に保持された基板Ｗの外方において、拡張面６１の全周縁部を上方から覆う環状の上壁部４５を有している。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置のノズルを処理槽から分離可能とし、かつ、処理槽内のガスが処理槽の設置口の周縁部とノズルとの間を通って外部に漏れるのを防止する。
【解決手段】処理槽１０により、被処理物９の処理空間１９を囲む。ノズル２０を処理槽１０の設置口１３を介し処理空間１９に臨ませ、処理空間１９に処理ガスを供給する。ノズル２０を処理槽１０に対し分離可能又は移動可能にする。処理槽１０の設置口周縁部１４とノズル２０との間を環状のシール部材３０によって気密に塞ぐ。好ましくは、シール部材３０を、柔軟性及び伸縮性を有するシート状にし、設置口周縁部１４とノズル２０とで作る環状の空間１３ａに張り渡す。 （もっと読む）

【課題】 貼り合せた電子本体と基板を分離するための分離装置及びその方法を提供する。
【解決手段】 平台、伝動部、溶解部、洗浄部及び第１仕切板を含む分離装置において、伝動部は平台上に配置し、電子本体と基板を移動するに用いる。溶解部は、平台上に配置し、溶剤を電子本体と基板に噴射する。洗浄部は平台上に配置し、電子本体を洗浄する。第１仕切板は、溶解部と洗浄部との間に設け、この第１仕切板は少なくとも一つ以上の第１貫通孔を有し、電子本体のみが通過できるように設定する。電子本体は第１貫通孔を通過できるように、一方、基板は第１貫通孔を通過できないようにすることにより、電子本体と基板を分離する。 （もっと読む）

【課題】基板からの処理液の排出性を向上させることができ、基板の周囲に飛散する処理液の液滴の粒径を小さくすることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するための支持リング８を有するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する洗浄液ノズルおよびリンス液ノズルとを備えている。支持リング８は、支持リング８に保持された基板Ｗの上面から外方へと処理液が流れていくように、当該基板Ｗの全周を取り囲んで当該基板Ｗの外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面３６を有している。拡張面３６は、処理液に対する親液性が基板Ｗよりも高い親液面とされている。 （もっと読む）

【課題】被処理物を表面処理する処理槽から処理ガスが漏れるのを防止し、かつ処理空間での処理ガスの流れを安定化する。
【解決手段】被処理物９を搬送手段２０によって搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。このガス排出によって外部のガスが開口１３，１４を通して処理槽１０の内部に流入する。この流入ガスの平均流速が、０．１ｍ／ｓｅｃ以上、かつ流入ガスが処理空間１９に達する大きさ未満になるよう設定する。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の通常運転時には排出ガスから処理ガス成分を回収する負荷を軽減し、異常発生時には安全性を確保する。
【解決手段】被処理物９を搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。第１排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。再利用部５０によって、排出ガスから処理ガス成分を回収し、供給系３０に送る。異常時には、第２排気系６０によって処理槽１０内のガスを第１排気系４０より大きな流量で排出する。 （もっと読む）

【課題】最外周誘導壁によって容器の開口部を開閉することにより、占有面積の小型化、及び処理の短時間化を実現する。
【解決手段】回転式処理装置１に、容器１Ａ、回転保持機構７、処理液吐出アーム３０、誘導壁１６，１７、及びエアシリンダ２２，２３を設けた。回転保持機構７は、容器１Ａの開口部３７から搬入された被処理基板３を水平に保持して回転させる。誘導壁１６，１７は、回転保持機構７の外周側に同心状に配置され、処理液吐出アーム３０から吐出された処理液の廃液を分別して排液する。エアシリンダ２２，２３は、誘導壁１６，１７のそれぞれを上端部が回転保持機構に保持された被処理基板３よりも上方に位置する回収位置と下方に位置する退避位置との間で昇降させる。誘導壁１６，１７のうち最外周誘導壁１７は、回収位置で開口部３７を閉鎖し、退避位置で開口部３７を開放する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板洗浄方法および基板洗浄装置において、高いスループットを得られ、しかもパーティクル等を効果的に除去することのできる技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面Ｗｆ（パターン形成面）については、凍結洗浄技術によってパーティクル等の除去を行う。一方、基板裏面については、回転する基板下面中心に向けて凝固点近傍温度まで冷却されたＤＩＷと、ＤＩＷの凝固点温度よりも低温の冷却ガスとを吐出する。こうして冷やされたＤＩＷが基板裏面Ｗｂに沿って流れる際に、基板に付着したパーティクル等を除去する。 （もっと読む）

【課題】液処理後の液残りを少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができ、かつウエハ等の転倒を防止でき、スループットの向上を図れるようにする。
【解決手段】半導体ウエハＷを垂直に保持した状態で搬送する搬送手段を具備する基板処理装置において、搬送手段であるウエハボート５は、ウエハの下端部を支持する下側保持体２０と、ウエハの転倒時に該ウエハの下部側端部を保持する左右一対の上側保持体３０とを具備し、下側保持体は、ウエハの下端部を直接支持する保持溝２１を有する保持溝部２２と、該保持溝部に隣接して設けられ、保持溝によるウエハの支持が解かれた際にウエハを保持する転倒防止溝２３を有する転倒防止溝部２４と、を一体に形成してなる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する基板洗浄装置および基板洗浄方法において、低い温度に保たれた冷却ガスを安定的に基板に供給することのできる技術を提供する。
【解決手段】スピンベース２３上に保持され、表面に液膜を形成されて回転する基板Ｗに対し、冷却ガスを吐出する冷却ガス吐出ノズル３をスキャンすることにより液膜を凍結させてパーティクル等を除去する。冷却ガスを生成するガス冷却ユニット６４０を、冷却ガス吐出ノズル３を支持するアーム３４の回転軸３３に取り付け、アーム３４とともに揺動するようにしている。このため、冷却ガス供給管６４８を短くすることができ、輸送中にガス温度が上昇するのが防止されて、低温のガスを安定して供給することができる。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させながら基板に処理液を供給して該基板に対して所定の処理を施す基板処理装置および方法において、基板表面への処理液の再付着を効果的に防止する。
【解決手段】基板Ｗの下面周縁部に当接しつつ基板Ｗを支持する支持部７が複数個、スピンベース５の周縁部に上方に向けて突設され、この複数個の支持部７によって基板Ｗの下面と対向するスピンベース５から離間させた状態で基板Ｗが水平に支持されている。スピンベース５はモータ３により回転される。また、基板Ｗの上面と雰囲気遮断板９の対向面９ａとの間に形成される空間に対向面９ａに設けられた複数のガス噴出口９ｂから不活性ガスを噴出する。基板Ｗに働く遠心力より基板Ｗの下面と支持部７との間に発生する摩擦力が大きくなる押圧支持条件が満たされるように制御して、支持部７に押圧させた基板Ｗをスピンベース５に保持させながら回転させる。 （もっと読む）

【課題】高濃度の処理ガスを用いる場合であっても、濃度計を用いることなく処理ガスの濃度を求めることができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部６９は、記憶部７１に予め記憶してある、有機溶剤の飽和蒸気圧曲線に基づく圧力ごとの温度対濃度の露点情報と、圧力計５６からの測定圧力と、温度計５７からの測定温度とに基づき、処理ガス中における有機溶剤の濃度を算出濃度として算出する。この算出濃度は、表示部７３に表示される。したがって、濃度計を用いることなく処理ガス中におけるイソプロピルアルコールの濃度を求めることができ、装置のオペレータに知らせることができる。また、強い減圧力のポンプ及び処理ガスの採取部を必要としないので、構成を簡単化することができて装置コストを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造で、半導体基板のおもて面側へのエッチング液の巻き込みを抑制する手段を提供する。
【解決手段】 半導体基板を、噴出口から半導体基板の半径方向外側に向けて噴出させた噴出ガスにより非接触で保持する回転基台と、回転基台に設けられ、半導体基板の外周面に接触する複数の位置決めピンとを備えた半導体装置の製造装置において、位置決めピンの外周面に、噴出ガスの流れを半径方向外側に案内する案内溝を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板に供給される処理液の流量および基板の回転速度を増大させることなく、基板の表面の全域に処理液をむらなく行き渡らせることができる、基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】回転中のウエハＷの上面の中央部に、ノズル８から処理液（ＨＦ、ＤＩＷ）が供給される。ウエハＷの上面が疎水性を示していても、ノズル８から処理液が供給されている間は、少なくともウエハＷの上面における処理液の供給位置付近、つまり中央部に処理液の液膜が形成される。その一方で、対向板１３がウエハＷの上面の中央部に対向配置される。そして、対向板１３がウエハＷの中央部に対向する位置から周縁部に対向する位置へと移動され、その移動によって、ウエハＷの中央部を覆っている処理液の液膜がウエハＷの周縁に向けて拡張される。 （もっと読む）