【課題】処理対象の基板の周囲において、簡素な構成により、金属製の処理容器から溶出した金属の濃度を低減することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】高圧流体を用いて基板Ｗに対する処理を行う基板処理装置において、基板Ｗの処理が行われる金属製の処理容器１には、密閉自在な基板Ｗの搬入出口２が設けられると共に、高圧流体やその原料流体を供給する流体供給ライン２３１、処理容器内１の高圧流体を排出する流体排出ライン２３９が接続されている。基板保持部２は基板Ｗを保持した状態で処理容器１の内部に配置され、樹脂製の筒状体６は、基板保持部２に保持された基板Ｗにおける、板面を含むこの基板Ｗの周囲を囲むように、当該基板Ｗと処理容器１の内壁面との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】１つの液処理装置にて異なる種類の液処理を行うにあたって、各液処理時に基板の周辺の処理液由来の雰囲気が拡散することを防止ないし抑制しつつ、クロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板（Ｗ）を水平に保持して回転させる基板保持部と、基板に対して第１の処理液および第２の処理液をそれぞれ第１処理液供給ノズルおよび第２処理液供給ノズルと、基板に供給された後の処理液を受けるための液受けカップ（４０，４２，４４）と、液受けカップの周囲に配設され、その上端が前記液受けカップの上方にある上昇位置と、前記上昇位置よりも下方に位置する下降位置との間で昇降自在な、上部に上部開口（５０ｎ）が形成された筒状の第１カップ外周筒（５０Ａ）と、その外側の第２カップ外周筒（５０Ｂ）を備えている。使用される処理液に応じて、カップ外周筒５０Ａ、５０Ｂを使い分ける。 （もっと読む）

【課題】雰囲気が置換される空間の体積を減少させることができ、基板のエッチング量を面内全域で低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、内部空間Ｓ１を有するチャンバー２と、チャンバー２内で基板Ｗを保持して回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック３と、チャンバー２内で基板Ｗの上面に対向する遮断板４と、遮断板４と基板Ｗとの間に不活性ガスを供給するガス供給機構５と、基板Ｗに対して傾いた方向に処理液を吐出することにより、基板Ｗの上面中央部に斜めに処理液を供給する処理液ノズル２９と、処理液ノズル２９に供給される処理液から酸素を脱気する脱気手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】上部と下部のバネ定数を変えることにより、上部における破損を防止することができるベローズを提供することができる。
【解決手段】ベローズ１は、伸縮部７における上部と下部が中間部に比べてバネ定数が大きくなるように設定されている。したがって、ベローズ１を垂直姿勢で取り付けて伸長させた場合であっても、伸縮部７の上部は、中間部よりも山部２３と谷部２５とが拡がりにくく、上部が自重により中間部より拡がることがない。その結果、伸縮部７の上部が破損するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の高圧流体からシール部材を保護して、長期間、清浄な状態で使用することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置は搬入出領域２を介して処理容器１内に搬入された被処理基板Ｗに対して高圧流体を用いて処理を行い、蓋体３は処理容器１に当接して、搬入出領域２を気密に塞ぐ。規制機構２６は蓋体３が処理容器１内の圧力により後退することを規制し、シール部材１２は、蓋体３が搬入出領域２を塞いだときに、この搬入出領域２を囲んだ状態で蓋体３と処理容器１との間に介在する。保護シート１３は、シール部材１２を高圧流体との接触から保護するために、当該シール部材１２を覆うように設けられ、前記高圧流体に対する耐食性を有する材料により構成されている。 （もっと読む）

【課題】処理容器内において被処理基板に対して高圧流体を用いて処理を行うにあたって、処理容器の搬入出口を気密に塞ぐ蓋体と当該処理容器との間に設けられるシール部材の劣化及び当該シール部材を介した被処理基板の汚染を抑えること。
【解決手段】処理容器１内にウエハＷを搬入出する搬入出口２を囲むように、処理容器１と蓋体３との間に第１のシール部材１１及び第２のシール部材１２を搬入出口２側から処理容器１の外側に向かってこの順番で配置して、第１のシール部材１１については高圧流体に対して耐食性を有する材質により構成する。そして、第１のシール部材１１に加わる差圧を緩和するために、差圧緩和領域１３に窒素ガスを供給して、当該差圧緩和領域１３における圧力が処理容器内１の圧力よりも低く且つ処理容器１の外部よりも高い圧力に設定すると共に、第２のシール部材１２により窒素ガスが外部に流出することを防止する。 （もっと読む）

【課題】液処理の工程に応じて基板の上方における気流の状態を最適化可能な液処理装置、および液処理方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを液処理する液処理装置１において、基板Ｗを水平に支持し、回転可能な支持部材１０と、支持部材１０の外周部１３との間に環状間隙ＧＰを形成する間隙形成部材２０と、基板Ｗに上方から処理液を供給する液供給部材３０と、環状間隙ＧＰを取り囲み、環状間隙ＧＰを介して、回転する基板Ｗから振り切られる処理液を回収するカップ４０と、間隙形成部材２０を昇降させる昇降機構１２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】超臨界乾燥処理時に、半導体基板上の金属材料がエッチングされることを防止する。
【解決手段】半導体基板の超臨界乾燥方法は、半導体基板を洗浄して純水リンスする工程と、前記半導体基板の表面を純水からアルコールに置換する工程と、前記アルコールで濡れた前記半導体基板をチャンバに導入する工程と、前記チャンバ内から酸素を排出する工程と、前記アルコールを超臨界状態にする工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、超臨界状態の前記アルコールを気体に変化させて、前記チャンバから排出する工程と、を備える。前記チャンバは、ＳＵＳによって形成され、内壁面に電解研磨処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】減圧乾燥処理装置のチャンバーにおける配管の引き回し施行の簡略化と、装置の構造の簡素化を図ることにある。
【解決手段】隔壁部１にて大気と隔離して密封状態を保持可能な１乃至複数の基板ｐを収容する減圧チャンバー室Ａと、該チャンバー室Ａ内に装備され収容する前記１乃至複数の基板ｐを載置する可動式又は固定式の加熱用プレートＣと、隔壁部２１にて大気と隔離して密封状態を保持可能な加圧チャンバー室Ｂとを備え、前記減圧チャンバー室Ａと加圧チャンバー室Ｂは、互いに近接位置に隣接して開閉する密閉シャッタ部２５にて区画され、該密閉シャッタ部の開動作による連通状態と閉動作による互いに独立した密封状態とを保持可能であり、前記密閉シャッタ部２５を閉鎖して減圧チャンバー室Ａ内の基板ｐの減圧乾燥を行い、開放して減圧チャンバー室Ａ内を大気圧に戻すことができる。 （もっと読む）

【課題】基板を支持するスピンヘッドを提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、回転可能なボディと、上部に突出し、かつ回転時ボディに置かれた基板の側部を支持するチャックピンとを有する。チャックピンは、上下方向にボディに提供された垂直ロッドを有する。基板が回転する時、垂直ロッドは基板から側方向に離隔するように位置される。支持ロッドは、流線型に提供された側面を有する。支持ロッドは、上部から見る時、幅が漸進的に減少する接触部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】汎用の洗浄装置を用いても十分な除去速度を達成することができるフォトレジストの除去方法を提供する。
【解決手段】バッチ処理式洗浄装置１０は、大気に開放され、過飽和オゾン水１４を貯留する浸漬槽１１と、過飽和オゾン水１４を浸漬槽１１の底部から供給する過飽和オゾン水供給配管１２と、過飽和オゾン水供給配管１２内を流れる過飽和オゾン水１４の流量を調節するニードルバルブ１３とを備える。枚葉処理式洗浄装置２０は、過飽和オゾン水１４を吐出してフォトレジストに吹き付けるためのノズル２１と、過飽和オゾン水１４をノズル２１に供給する過飽和オゾン水供給配管２２と、過飽和オゾン水供給配管２２内を流れる過飽和オゾン水１４の流量を調節するニードルバルブ２３と、フォトレジストが表面に形成されたシリコンウェーハ１５をノズル２１に対向させて載置する載置台２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理モジュールに処理液を共通の塗布ノズルを用いて供給するときに、複数準備される薬液ノズルの処理液供給配管同士の擦れを防ぎ、同時に塗布ノズルを把持して移動するときにノズル搬送アームへの無用な負荷を掛けないようにすること。
【解決手段】処理液供給ノズル１０を接続し、上部に第１の把持穴４０を設けるノズルブロック部１７と、上部に第２の把持穴２５を設ける把持用ブロック部１８と、両ブロック部を直状に接続する接続管１９と、を備える。処理液供給ノズルに連通される処理液供給管２１は、接続管の中に配管され、ノズル把持アーム１２は、第１の把持穴及び第２の把持穴にそれぞれ嵌合可能な第１及び第２の把持用凸部４１，４２を備え、ウエハＷの上方に処理液供給ノズルを移動する際は、ノズルブロック部の第１の把持穴と把持用ブロック部の第２の把持穴にそれぞれ第１及び第２の把持用凸部を同時に嵌合して把持した状態で移動させる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の乾燥に利用される高温高圧流体の消費量が少ない基板処理装置等を提供する。
【解決手段】第１の原料収容部４１では加熱機構４２により液体状態の原料を高温高圧流体状態とし、原料供給路４１１の供給用バルブ４１２を開いて処理容器３１に当該高温高圧流体を供給し、この高温高圧流体による被処理基板Ｗの乾燥を行う。第２の原料収容部４１は、第２の冷却機構４３ａ、４３ｂにより前記原料の凝縮温度以下に冷却されることにより、回収用バルブ４１２を開き、原料回収路処理容器３１内の高温高圧流体を当該第２の原料収容部４１に回収する。回収された原料は第１の原料収容部４１から処理容器３１に供給される原料として再利用される。 （もっと読む）

【課題】基板の上面側からガスを供給するとともに基板の下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する液処理装置において、トッププレートの位置を精度良く位置決めすることができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの上面側からガスを供給するとともに基板Ｗの下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板Ｗの下面を処理する液処理装置２２において、上面に開口１０５を有する処理容器１００と、処理容器１００内に設けられ、基板Ｗの周縁部ＷＥを支持する支持部７０、７２と、昇降可能に設けられ、下降した状態で開口１０５を塞ぐ天板部１１０と、天板部１１０が下降する際に、処理容器１００に対する天板部１１０の相対位置を所定の位置に位置決めする位置決め機構１３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】ノズルを移動しながら基板を処理することができ、かつ、密閉チャンバの内部空間の狭空間化を図ることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】密閉チャンバ２は、密閉された内部空間を区画する隔壁９を有している。密閉チャンバの内部空間でウエハＷが保持される。密閉チャンバ２には、移動ノズルとしての形態を有する処理液ノズル４が設けられている。処理液ノズル４を支持するノズルアーム１５は、隔壁９に形成された通過孔１４を介して密閉チャンバ２の内外に跨って延びている。このノズルアーム１５は、密閉チャンバ２外に配置された直線駆動機構３６によって駆動されるようになっている。隔壁９とノズルアーム１５の外表面との間は、第３シール構造によってシールされるようになっている。 （もっと読む）

【課題】内部空間の容積を低減できる構造の密閉チャンバ内で、基板に良好な処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】密閉チャンバ２は、上部開口５を有するチャンバ本体６と、チャンバ本体６に対して回転可能に設けられて、上部開口５を閉塞する蓋部材７と、蓋部材７とチャンバ本体７との間を液体でシールする第１液体シール構造８とを備えている。蓋部材７は、回転可能に設けられており、蓋部材回転機構３２によって回転駆動される。密閉チャンバ２内には、スピンチャック３により保持されたウエハＷが収容される。このウエハＷに対して処理液ノズル４から処理液が供給される。 （もっと読む）

【課題】基板の清浄度を高めることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】第１処理室８および第２処理室９は、それぞれ、第１処理空間Ｓ１および第２処理空間Ｓ２を区画している。第２処理空間Ｓ２は、第１処理空間Ｓ１内に設けられ、第１処理空間Ｓ１に通じている。スピンチャック１０に保持された基板Ｗは、チャック昇降機構３６によって第１処理空間Ｓ１または第２処理空間Ｓ２に配置される。処理液供給機構１２は、第２処理空間Ｓ２で基板Ｗに処理液を供給する。第１処理空間Ｓ１および第２処理空間Ｓ２の気圧は、排気機構２３およびＦＦＵ２４によって、第１処理空間Ｓ１の気圧が第１処理空間Ｓ１の外の気圧よりも高く、第２処理空間Ｓ２の気圧が第１処理空間Ｓ１の気圧よりも低くなるように制御されている。 （もっと読む）

【課題】チャックテーブルに侵入した数μｍの研削屑も良好に除去することができ、かつ、チャックテーブル上に保持された被加工物の表面を良好に洗浄することができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】高圧エアー及び液体で構成される２流体洗浄水８２０ａを高圧噴射する構成とすることにより、数μｍほどの屑も洗浄できるようにして、ブラシ等を不要とする。また、飛散防止チャンバー８３と、飛散防止チャンバー８３においてチャックテーブル２の上面２ａ又は被加工物Ｗの表面Ｗａ上で飛散するミスト８２０ｂを外部へ排出する排出手段８４とを備え、洗浄時は、飛散防止チャンバー８３の側壁８３０の下端がチャックテーブル２の上面２ａ又は上面２ａに保持された被加工物Ｗの表面Ｗａと所定の隙間Ｃ１をもち、チャックテーブル２の上面２ａ上又は被加工物Ｗの表面Ｗａ上に形成された洗浄水層８７により隙間Ｃ１が封止されるようにすることにより、ミストが飛散しないようにする。 （もっと読む）

【課題】基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。
【解決手段】この装置は、ウエハＷを保持して回転するスピンチャック１と、スピンチャック１の上方に配置された遮断板１０とを備える。遮断板１０は、ウエハＷの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材３２を有する。環状部材３２は、ウエハＷの上面の周縁部に対向するウエハ対向面４５と、内側の空間と外側の空間とを連通させる気体流通路４９を有する。また環状部材３２の内側の空間に気体を供給する気体供給手段１８，３０を有する。中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、エッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。この液膜は、環状部材３２の内周縁付近から内方へ入りこむことがない。 （もっと読む）

【課題】基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。
【解決手段】この装置は、ウエハＷを保持して回転するスピンチャック１と、スピンチャック１の上方に配置された遮断板１０とを備えている。遮断板１０は、ウエハＷの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材３２を有している。環状部材３２は、ウエハＷの上面の周縁部に対向するウエハ対向面４５を有する。中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、このエッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。この液膜は、環状部材３２の内周縁付近から内方へ入りこむことができない。 （もっと読む）