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Fターム[5F157CF44]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | 制御基板 (338)

Fターム[5F157CF44]に分類される特許

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【課題】基板の材質や表面の状態などの影響を受けることなく基板の保持状態の良否を正確に判断できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板(2)を保持する基板保持手段(22)と、前記基板保持手段(22)で前記基板(2)を正常に保持したときに前記基板(2)の端縁部が存在する領域を撮影する撮影手段(25)と、前記撮影手段(25)で撮影した画像に基づいて前記基板保持手段(22)による前記基板(2)の保持状態を判断する制御手段(26)とを有することにした。 (もっと読む)


【課題】経年劣化によるシート状カバー部材の巻き取り不具合を無くすことができる筐体カバー機構を提供すること。
【解決手段】筐体カバー機構1はシート状カバー部材10と移動機構11とを備えている。シート状カバー部材10は筐体3の開口部3aを閉塞し得る大きさを有し可撓性を有する。移動機構11はシート状カバー部材10の固定端部10bに装着された回転軸12の一端に連結された第一のプーリ13と第二のプーリ14とプーリ13,14に巻回した無端ベルト15と無端ベルト15に固定された係合部材16とシート状カバー部材10の自由端部10aに装着されたカバー部材引張部材18と直動アクチュエータ19と押動部材20を備えている。開放位置と閉塞位置との間を往復運動をするピストン部材24とシリンダ23とを有する。カバー部材引張部材18と係合部材16の間に配設され且つピストン部材24に固定されている。 (もっと読む)


【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置13は、被処理ウェハWを保持して回転させるウェハ保持部130と、被処理ウェハWの接合面Wを覆う供給面141を備えた洗浄治具140とを有している。洗浄治具140には、接合面Wと供給面141との間の隙間142に接着剤Gの溶剤、溶剤のリンス液、及び不活性ガスを供給する気液供給部150と、接合面Wと供給面141との間の隙間142に供給された溶剤やリンス液(混合液)を吸引する吸引部170と、段部Aに気体を供給する気体を供給する気体供給部180とが設けられている。 (もっと読む)


【課題】洗浄時間を低減しつつ基板表面全体で所望のパーティクル除去率を達成できる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄部の周縁領域での第1の移動速度と基板の第1の回転速度とを決定する予備工程S51、S52と、基板の周縁領域より中心側で第1の移動速度よりも速い移動速度で移動するように第1の移動速度を基準に洗浄部の移動速度を決定する移動速度決定工程S53と、基板の周縁領域より中心側で基板の第1の回転速度よりも速い回転速度で回転するように第1の回転速度を基準に基板の回転速度を決定する回転速度決定工程S54と、移動速度決定工程にて決定した洗浄部の移動速度に従って基板の中心側から周縁領域まで洗浄部を移動させながら、回転速度決定工程で決定した基板の回転速度に従って基板回転速度を変化させ、洗浄部により基板を洗浄する洗浄工程S56と、を含む基板洗浄方法である。 (もっと読む)


【課題】被洗浄物の均一な洗浄が行え、かつダメージを低減できる超音波洗浄装置を実現すること。
【解決手段】超音波洗浄装置は、被洗浄物8を洗浄液7で浸した洗浄槽2と、前記洗浄槽2の底面に配置され、前記洗浄液7を振動させる複数の超音波振動素子302と、前記素子毎の共振周波数を記憶するメモリ部409と、発振周波数を切り替え可能な発振部402と、前記素子302をランダムに切り替えて、前記メモリ部409に記憶された素子毎の共振周波数に基づいて前記発振部402を制御し、前記素子に高周波電力を供給する制御部401とを具備する。 (もっと読む)


【課題】複数の基板に超臨界流体を効果的に噴射する基板処理装置及び基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明の実施形態による基板処理装置は、処理が遂行される空間を提供するハウジング4100と、ハウジング4100の内部に互いに上下方向に離隔されて配置され、各々複数の基板Sの縁を支持する複数の支持部材4320と、を包含する。 (もっと読む)


【課題】特定のイオン種洗浄ガスから除外する洗浄チャンバ、簡単に交換又は再調整できるチャンバ構成部品、基板汚染を抑え均等な加熱を可能にする基盤加熱台座部を提供する。
【解決手段】基板洗浄チャンバ24は、例えば消耗セラミックライナ60、基板加熱台座部80及び処理キット114等の様々な構成部品を備える。消耗セラミックライナは、遠隔ガスエナジャイザ52のガス出口チャネル62を基板洗浄チャンバのガス入口チャネル40に接続するために設置される。基板加熱台座部は、配列された凹部内に複数のセラミックボール90が位置決めされた基板受け面を有する環状プレート82を備える。処理キットは、トッププレート116、トップライナ118、ガス分散プレート120、ボトムライナ122及びフォーカスリング124を備える。 (もっと読む)


【課題】高温高圧流体の準備を行う容器の急激な圧力変動を抑え、簡素な手法で液体原料の移送を行うことが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、高温高圧流体により基板Wの乾燥を行うための処理容器1と、液体状態の原料を収容する原料収容部3と、高温高圧流体を処理容器1に供給するための供給部2と、を備え、この供給部2は、前記処理容器1及び原料収容部2に接続され、密閉自在な外部容器21と、この外部容器21を加熱するための加熱機構25と、外部容器21内に設けられ、原料収容部3から原料を受け入れて、加熱機構25により加熱される外部容器21の被加熱部に向けて当該原料を落下させるための開孔部221が設けられた内部容器22と、を備え、内部容器22に原料を受け入れた後、当該原料を前記被加熱部に接触させて得られた高温高圧流体を処理容器1へ供給する。 (もっと読む)


【課題】処理液を廃棄することなくフィルタに蓄積される気泡を効率よく除去することが可能な処理液供給装置、基板処理装置、気泡の除去方法および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板の処理時には、フィルタ250により気泡が除去された処理液が配管L9,L11を通してノズル28に供給される。気泡の除去時には、バルブv5が開放されるとともにバルブv2が閉止されることにより、気体を含む処理液がフィルタ250から配管L8を通して気液分離トラップタンク230に戻される。気液分離トラップタンク230内の上部空間に一定量の気体が蓄積されることにより気液分離トラップタンク230内の処理液の液面が予め定められた所定の位置まで低下した場合に、バルブv5が閉止されるとともにバルブv2が開放される。 (もっと読む)


【課題】液切処理にかかる時間を短縮できる液切処理装置、液処理装置及び液切処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置1は、キャリア2に液処理を施す液処理部10と、液処理後のキャリア2が搬送される搬送部20とを有する。搬送部20は、搬送レール21と、液切処理部22とを有する。液切処理部22は、回転テーブル24と、回転テーブル24上に固定され、搬送レール21から搬送されるキャリア2を水平状態に保持する回転レール23と、回転テーブル24を回転駆動し、回転レール23に保持されたキャリアを高速回転させる駆動モータとを有する。 (もっと読む)


【課題】枚葉型の基板処理装置に適したスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラムを提供する。
【解決手段】スケジュール作成方法は、基板を一枚ずつ処理する枚葉型の処理ユニットSPIN1〜SPIN12を有する基板処理装置の動作を時系列に従って規定するスケジュールを前記基板処理装置に備えられた制御部21が作成するための方法である。この方法は、制御部21が、各基板に対する処理内容を規定するブロックを時系列に従って結合した仮タイムテーブルを作成するステップと、制御部21が、複数枚の基板に関する前記仮タイムテーブルからブロックを取得し、時系列に従って配置することにより、全体スケジュールを作成するスケジューリングステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】枚葉型の基板処理装置に適したスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラムを提供する。
【解決手段】スケジュール作成方法は、基板を一枚ずつ処理する枚葉型の処理ユニットSPINを有する基板処理装置の動作を時系列に従って規定する方法である。制御部21は、第1の基板群に対して処理ユニットSPINの使用権を設定する第1使用権を設定する。また、制御部21は、処理ユニットSPINの使用権が第1の基板群に対して設定されているときに、第1の基板群の基板の処理ユニットSPINによる処理を表す第1処理ブロックの配置を許容する一方で、他の基板群の基板の処理ユニットSPINによる処理を表す処理ブロックの配置を禁止する。さらに、制御部21は、第1の基板群に対する処理ユニットSPINの使用権を削除し、その後に、第2の基板群に対して処理ユニットSPINの使用権を設定する。 (もっと読む)


【課題】処理液で濡れた基板表面を低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、少ない低表面張力溶剤で基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Wの回転速度が600rpmから10rpmに減速されてDIW液膜がパドル状に形成される。そして、9秒間だけDIWの供給を継続した後に停止し、所定時間(0.5秒間)が経過してパドル状の液膜の膜厚t1がほぼ均一になるのを待って、IPAが基板表面Wfの表面中央部に向けて例えば100(mL/min)の流量で吐出される。このIPA供給によって、基板Wの表面中央部ではDIWがIPAに置換されて置換領域SRが形成される。さらにIPA供給から3秒が経過すると、基板Wの回転速度が10rpmから300rpmに加速される。これによって、置換領域SRが基板Wの径方向に拡大して基板表面Wfの全面が低表面張力溶剤に置換される。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置のスループットを低減させることなく、キャリアの内部やキャリアに収容された基板の汚損を防止すること。
【解決手段】本発明では、キャリア載置台(6)に載置されたキャリア(3)の蓋(5)を開放し、キャリア(3)に収容された基板(2)を基板処理室(7)へ搬送し、基板処理室(7)で基板(2)の処理を行う基板処理装置(1)及び基板処理方法並びに基板処理プログラムにおいて、キャリア載置台(6)に載置された第1のキャリア(3)に対して処理が行われている場合、第2のキャリア(3)の蓋(5)を閉塞させた状態で第2のキャリア(3)をキャリア載置台(6)に待機させ、その後、所定の条件が満たされたときに第2のキャリア(3)の蓋(5)を開放し、基板(2)の処理を開始することにした。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定することができる交換時期判定装置、交換時期判定方法及びプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】電極に高周波電力を供給し、処理容器に導入したガスから発生させたプラズマにより、該処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する前記電極の交換時期を判定する交換時期判定装置において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】検査の定量性を確保するとともに、作業効率を改善するフォトマスク洗浄システムを提供する。
【解決手段】フォトマスクを洗浄する洗浄装置と、フォトマスクに付着している異物を検出する異物検出手段を有し洗浄装置により洗浄されたフォトマスクを検査する検査装置と、検査装置による検査結果に基づいてフォトマスクに異物が付着している箇所を再生部位として指示する指示手段を有し当該フォトマスクを再生する再生装置と、洗浄装置、検査装置および再生装置との間でフォトマスクを運搬する運搬装置と、を備える。 (もっと読む)


【課題】フラットな物品、例えばシリコン基板の、発生する反応ガスを吸引しながら行う片面の湿式化学的な処理を可能にし、その際、気泡の破裂に基づく上面の所望されない濡れの上述の問題を、この面の保護を必要とすることなく回避する装置及び方法を提供する。
【解決手段】捕集チャンバ(10)が、出口(9)の領域に流入開口(11)を備えるとともに、入口(8)の領域に流出開口(12)を備えて、排気通路(13)を形成し、搬送ガス(G)が、排気通路(13)を搬送方向(7)とは逆向きに、かつ搬送平面(6)及び搬送方向(7)に対して略平行に通流可能であるようにした。 (もっと読む)


【課題】超臨界工程を遂行する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、一面に基板が出入する開口が形成され、高圧工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記ハウジング内に設置され、前記基板を支持する支持部材と、前記開口を開閉するドアと、前記高圧工程の時、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアへ力を加圧する加圧部材と、を含む。 (もっと読む)


【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置は、被処理ウェハWを保持するウェハ保持部130と、被処理ウェハWの接合面Wを覆う供給面141を備えた洗浄治具140とを有している。洗浄治具140には、隙間142に溶剤を供給する溶剤供給部150と、隙間142にリンス液を供給するリンス液供給部151と、隙間142に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部152とが設けられている。溶剤供給部150からの溶剤は表面張力と遠心力により接合面W上を拡散し、リンス液供給部151からのリンス液は溶剤と混合されつつ、表面張力と遠心力により接合面W上を拡散し、不活性ガス供給部152からの不活性ガスによって接合面Wが乾燥されて、当該接合面Wが洗浄される。 (もっと読む)


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