【課題】プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定することができる交換時期判定装置、交換時期判定方法及びプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】電極に高周波電力を供給し、処理容器に導入したガスから発生させたプラズマにより、該処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する前記電極の交換時期を判定する交換時期判定装置において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理が停止した場合であっても、確実なエンドポイントの検出をする。
【解決手段】発光検出部３１は、プラズマ処理の発光強度を検出する。波形記憶部３３は、検出された発光強度の時間変化である発光波形を記憶する。判定部３５は、発光波形が、ある値に設定された発光閾値以下の場合、且つ、前記時間変化が、ある値に設定された設定時間を越えた場合、エンドポイントであると判定する。出力部３６は、プラズマ処理がエンドポイントに至ったことをエッチング装置１０の高周波電源１２に出力する。モニタ３０は、設定時間に至る前にプラズマ処理が停止し、その後再処理をした場合、波形記憶部３３に記憶されている発光波形とこの再処理の発光波形とを波形結合部３４で結合する。判定部３５は、結合された波形により、エンドポイントを判定する。 （もっと読む）

【課題】ノズルの動作を簡単に教示することができる基板処理装置およびティーチング方法を提供する。
【解決手段】記録開始指令が制御部４に入力されると、ＣＰＵ２３は、記録開始指令が入力されてからの経過時間をタイマー２５によって計測させる。さらに、ＣＰＵ２３は、ノズルの位置を検出するエンコーダ２２の出力と経過時間とをメモリー２４に記憶させる。そして、記録終了指令が制御部４に入力されると、ＣＰＵ２３は、エンコーダ２２の出力と経過時間の記憶を終了させる。記録開始指令の発生から記録終了指令の発生までのエンコーダ２２の出力は、経過時間と関連付けられて１つの動作データとしてメモリー２４に記憶される。 （もっと読む）

【課題】ロットの処理不良を防止することができるとともに、ロット間における処理を均一化することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】薬液交換後から薬液処理部ＣＨＢ２に第２搬送機構ＷＴＲが到達した後、薬液処理部ＣＨＢ２にてロットの処理を開始した時間を計時部２７が計時し、その経過時間とオーバータイムカウントとを判断部２９が比較する。経過時間がオーバータイムカウントを超えたと判断部２９が判断すると、報知部３３がオーバータイムアラームを報知する。したがって、許容時間内にロットを薬液処理部ＣＨＢ２で処理開始できなかったことをオペレータは知ることができる。よって、ロットの処理不良を防止することができる。またオーバータイムアラームが発生しない場合には、薬液交換からロットの処理までを一定時間内に収めることができるので、ロット間における処理を均一化することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液補充方法と関連させることによって、より効率的に処理液を交換できるような、枚葉式の基板液処理装置における循環ラインの液交換方法を提供すること。
【解決手段】枚葉式の基板液処理装置１０であって、処理液を循環させる循環ライン１２と、前記循環ライン内に設けられたタンク１３と、前記タンクに設けられた液面レベルセンサ１４と、前記液面レベルセンサの出力に従って、前記タンク内に新しい処理液を補充する液補充部１５と、所定の液廃棄条件と連動して設定される所定の補充停止条件に従って、前記液補充部の作動を停止させると共に、前記所定の液廃棄条件で前記タンク内の処理液を全て廃棄させる液交換制御部１６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】薬液が所要の洗浄能力を維持していない状態になった場合に、これを即時に認識して不具合発生を防止することができるとともに、薬液交換のタイミングの最適化を図ることができる洗浄処理装置および洗浄処理方法を提供する。
【解決手段】薬液洗浄槽６内の薬液の劣化度合いを示すパラメータを計測する計測器２１〜２３を備える。判定部２４３は、薬液の劣化度合いを示すパラメータの計測結果が予め設定された許容範囲内であるか否かに基づいて薬液交換の要否を判定する。判定の結果が薬液交換要である場合、判定部２４３は薬液交換を実施する。また、薬液の劣化度合いを示すパラメータの計測結果が予め設定された許容範囲外であり、かつ先の薬液交換の実行時点からの経過時間が予め設定された規定時間未満である場合には、判定部２４３は、薬液交換をすることなく報知部２８に異常発生の報知を指示する。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ふっ硝酸処理開始後、処理時間の経過に従って、ベース昇降用モータ２０が制御されて、吸着ベース１０が上昇される。この吸着ベース１０の上昇は、ウエハＷの上面とリング上面２８との間の間隔が一定範囲内に保たれるように行われる。ふっ硝酸処理の結果ウエハＷは薄くなるが、吸着ベース１０が上昇されるために、ウエハＷの上面に形成されるふっ硝酸の液膜の厚みをほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】処理槽を洗浄している間に異常が発生した場合に、安全を確実に確保できる技術を提供する。
【解決手段】処理槽１０を洗浄している間に異常検知部９６が異常を検知した場合に、リカバー制御部９７が、比抵抗計１４から取得した計測値に基づいて処理槽１０が純水状態であるか否かを判定し、処理槽１０が純水状態でない場合には、比抵抗回復処理を行って、処理槽１０を薬液状態から純水状態に移行させる。一方、処理槽１０が純水状態である場合には、基板処理装置１をスローリーク状態とする。 （もっと読む）

【課題】正常に処理された時の補充履歴を用いることにより、比較的簡単に故障判断の基準の設定を行うことができ、故障検知の精度を高くすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗに対して正常な処理ができた際の実績のある処理液への液体の補充量に対する履歴を、処理液が生成されてからの供給流量の積算により基準補充履歴とし、この基準補充履歴を履歴メモリ６１に予め記憶し、基準補充履歴を演算部６３が近似化して近似化基準補充履歴とし、この近似化基準補充履歴を近似化メモリ６５に予め記憶しておく。設定部６７を介して近似化基準補充履歴に対して上下限の範囲を設定するが、近似化基準補充履歴はバラツキが小さくなるので、上下限を容易に、かつ比較的狭い範囲で設定することができる。制御部５５は、補充量の積算値と、設定された上下限とに基づいて液体供給の良否を判断する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に対するダメージの発生及び処理力の低下を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１において、被処理面を有する基板Ｗを保持して回転させる回転機構５と、回転機構５により回転する基板Ｗの被処理面に対して処理液を供給する供給ノズル６と、供給ノズル６を基板Ｗの周縁に向かって並ぶ複数の供給位置に順次移動させる移動機構７と、被処理面上の処理液の液膜厚を測定する測定部８と、測定部８により測定された液膜厚に応じて、複数の供給位置毎に基板Ｗの回転数を変更し、被処理面上に形成された液膜厚が一定になるように基板Ｗの回転数を制御する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放電の状態を適正に監視して、異常放電の予兆を検出することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置における放電状態監視方法を提供することを目的とする。
【解決手段】処理室内のプラズマ放電の変化に応じて放電検出センサ２３に誘発され、信号記録部２０に記録された電位変化の信号を信号解析部３０によって検出して行われる放電状態監視のための解析処理において、電極部と処理対象物との間で発生する異常放電（第一アーク放電）の信号を第一検出部３３によって検出したカウンタ値Ｎ３と、処理室内の異物堆積により発生する微小アーク放電（第二アーク放電）の信号を第二検出部３５によって検出したカウンタ値Ｎ４に基づき、異常放電判定部３９によって差（Ｎ３−Ｎ４）を求めて判定用のしきい値ａ２と比較して、処理室内における異常放電の発生の可能性の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】薬液の使用量を抑えつつ基板表面を良好に処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】初期薬液処理では、基板表面Ｗｆにシリコン酸化膜が形成されており、基板表面Ｗｆは親水面となっている。そこで、初期薬液処理（時刻０から時間Ｔ1が経過するまでの間）においてはフッ酸溶液の流量を５１０（ｍＬ／ｍｉｎ）に抑えてフッ酸の使用量を抑制している。一方、初期薬液処理により基板Ｗのシリコン層の少なくとも一部が露出してくるタイミングでフッ酸溶液の流量を１５３０（ｍＬ／ｍｉｎ）に増大させて連続薬液処理中を実行しているため、基板表面Ｗｆの一部にシリコン層が露出して疎水面が形成されたとしてもフッ酸溶液が基板表面Ｗｆ全体をカバレッジしてシリコン酸化膜のエッチング除去を継続させることができる。 （もっと読む）

【課題】安全処理部におけるメンテナンスを考慮してスケジューリングすることにより、ロットに対する過剰処理を防止することができる。
【解決手段】乾燥処理部ＬＰＤにてメンテナンスＭ１が行われる場合には、仮想リソースＶＩＬの使用を一連の処理工程Ｐ２〜Ｐ５に対して排他することができるので、乾燥処理部ＬＰＤのメンテナンスＭ１に並行して薬液処理部ＣＨＢ１のリソースが使用されることを防止できる。その結果、乾燥処理部ＬＰＤにおけるメンテナンスＭ１が時間的に後ろに延びた場合であっても、ロットに対する過剰処理を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に対する処理の開始が通常のタイミングよりも遅れた場合に、その処理の開始までに生じた不具合を解消することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置では、プロセスレシピに従ったプロセスレシピ制御が２５回繰り返し実行されることにより、２５枚のウエハに対する処理が行われる。２５回のプロセスレシピ制御中に、タイマにより、ウエハへの薬液の供給の停止から次回のプロセスレシピ制御の開始までの時間が計測される。そして、タイマによる計測時間が予め定める基準時間以上であれば、プロセスレシピ制御に割り込んで、プリレシピに従った制御が実行され、プリディスペンス動作が行われる。プリディスペンス動作により、ノズルなどに溜まった薬液が廃棄されるので、プロセスレシピ制御の再開後に、劣化した薬液がウエハに供給されることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】混合槽で生成される処理液の混合比率を一定に保つ。
【解決手段】まず排出弁２３，２４，２５を開弁し、供給弁２６〜３１を閉弁して、原料液体Ａ，Ｂ，Ｃを排出弁２３，２４，２５から外部に排出する。その後、ＬＦＣ２０，２１，２２が検出する原料液体Ａ，Ｂ，Ｃの流量が全て所定の流量に達した後に、排出弁２３，２４，２５を閉弁し、供給弁１７，２９，３１を開弁して、供給弁１７，２９，３１を通して原料液体Ａ，Ｂ，Ｃを第２の混合槽３に供給する。 （もっと読む）

【課題】ブラシの交換時期を適切に判断することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に対する裏面洗浄処理時には、ブラシ１６は、裏面処理時位置に配置され、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周縁部に対して押し込まれる。そして、その状態が所定時間にわたって維持された後、ブラシ１６は、ウエハＷから離間される。一方、ブラシに加わる荷重が圧力センサにより検出され、その検出される荷重に基づいて、制御部により、ブラシ１６が裏面側処理時位置に配置されたか否かが判断される。そして、ブラシ１６が裏面側処理時位置に配置されたと判断された時点からブラシ１６がウエハＷからの離間のために移動し始めるまでの時間が計測され、その時間がメモリに累積して記憶される。 （もっと読む）

【課題】処理液供給ライン内に付着する汚染物質を効果的に除去して処理液供給ライン内を洗浄することができ、更には既存の処理液供給ラインに大幅な変更を加えることなく容易に接続できる配管ユニット及び処理液供給ライン洗浄方法を提供すること。
【解決手段】上流側に薬液Ａ及び薬液Ｂ供給ライン１２Ａ、１２Ｂが接続され、下流側に処理槽２０が接続され、薬液Ａ及び薬液Ｂ供給ライン１２Ａ、１２Ｂから供給される処理液を処理槽２０に供給するための装置側薬液Ａ及び薬液Ｂ供給ライン１３Ａ、１３Ｂに分岐接続されてなる配管ユニット３０であって、装置側薬液Ａ及び薬液Ｂ供給ライン１３Ａ、１３Ｂに切換え可能に分岐接続される分岐管３１と、分岐管３１から並列に分岐接続される強流ライン３４及び弱流ライン３５と、強流ライン３４を開閉するバルブ３７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】薬液の供給を監視することにより、薬液の濃度測定系に異常が発生したことを精度よく検知することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】薬液の濃度測定系に異常があれば、アラーム値メモリ５７に記憶されている、正常な状態で供給された時の一定時間内における供給量（正常値）と、供給量積算部６３が算出する一定時間内における実績値との間に差が生じるので、判断部５９はその比較に基づき異常の発生を判断できる。供給量積算部６３は、濃度測定部５３及び濃度制御部５５の制御の下で所定時間内に薬液供給管３９から供給される薬液の供給量を積算し、供給配管１７を通して処理槽１に供給される処理液中の濃度を測定する濃度測定部５３とは別系統であるので、濃度測定部５３の不具合に関係なく、異常を正確に判断することができる。 （もっと読む）