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Fターム[5F157CF58]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | 操作手段 (13)

Fターム[5F157CF58]に分類される特許

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【課題】複数の基板保持部材を備えた受け渡し機構を利用して、効率的に基板を搬送することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は処理された基板Wを基板収納部100に戻すにあたり、搬送機構5を用いて処理済みの基板Wを中間受け渡し部41bに搬送する。受け渡し機構2が、中間受け渡し部41a、41bから処理済みの基板Wを取り出して基板収納部100に受け渡す際に、制御部7は、前記基板収納部100からセットで取り出された第1の基板Wと第2の基板Wとのうち、先に処理を終えた前記第1の基板Wが中間受け渡し部41bに受け渡された後、後続の基板Wが中間受け渡し部41bに受け渡されることを待って両方の基板Wを一緒に搬送するか、後続の基板Wを待たずに前記第1の基板Wを搬送するかを判断する。 (もっと読む)


【課題】ロードポートの個数を見かけ上増加させることにより、装置コストを抑制しつつも収納器の搬送効率を向上させることができる。
【解決手段】仮想ロードポート管理部は、物理ロードポートR−LP1,2に対して2個の仮想ロードポートV−LP1,2を割り当てる。さらに、仮想ロードポート管理部は、基板処理装置5と、キャリア搬送システム7と、ホストコンピュータ9とに対して、2個の仮想ロードポートV−LP1,2を2個の物理ロードポートとして扱わせる。したがって、現実の物理ロードポートの個数以上にロードポートが存在するようにFOUP3の搬送を行うことができ、見かけ上、ロードポートの個数を増加させることができる。その結果、装置コストを抑制しつつも、FOUP3の搬送効率を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な手順によって、Si−H終端構造の存在比率が高い表面を有する基板を得ることができる洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法は、基板を、HF系薬液を用いて洗浄する薬液洗浄工程と、薬液洗浄工程の後、基板を、HF濃度が2500ppm以下のHF水溶液でリンスする希薄DHFリンス工程と、を備え、前記HF系薬液は、前記希薄DHFリンス工程で用いられるHF水溶液よりも高いHF濃度を有するHF水溶液からなるか、若しくは複数種のHF系薬剤を混合してなる。 (もっと読む)


【課題】処理済みの被処理基板をカセットの空になっている任意のスロットに載置すること。
【解決手段】基板処理装置は、複数のスロットSを有するカセットCから被処理基板Wを取り出して処理する。基板処理装置は、被処理基板Wを処理する基板処理部45と、被処理基板WをカセットCから基板処理部45へ搬送するとともに、基板処理部45で処理された被処理基板Wを基板処理部45からカセットCへ搬送するための搬送部32,42と、スロットSが空いているかを確認するスロット確認部11と、を備えている。基板処理装置は、被処理基板Wを基板処理部45で処理した後であってカセットCに載置する前に、基板処理部45で処理された後で収納される被処理基板W毎に指定されたスロットSを読み出し、当該スロットSが空いているかをスロット確認部11に確認させる制御部50も備えている。 (もっと読む)


【課題】ウエーハの表面を短時間で確実に洗浄することができるウエーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】スピンナーテーブルに保持されたウエーハの表面に洗浄水噴射ノズルから洗浄水を噴射してウエーハの表面を洗浄するウエーハの洗浄方法であって、スピンナーテーブルに保持されたウエーハの回転中心に洗浄水噴射ノズルを位置付ける噴射ノズル位置付け工程と、スピンナーテーブルを回転させ洗浄水噴射ノズルから洗浄水を噴射しつつ洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心から外周に向けて移動せしめる洗浄工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】供給ノズルから大流量及び小流量で供給する処理液の流量を精度よく制御でき、小流量で処理液を供給するときの流量変動を防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理液を供給するノズル部45と、ノズル部45に処理液を供給する供給系70とノズル部45とを接続する供給流路68aを絞る絞り部132aと、絞り部132aの両側の供給流路68a内の圧力を計測する圧力計測部132bと、供給流路68a上に設けられた流量制御弁133と、流量制御弁133を制御する流量制御部134とを有する。流量制御部134は、第1の流量F1で処理液を供給するときは、絞り部132aの両側の圧力差に基づいて流量制御弁133を制御し、第1の流量F1よりも小さい第2の流量F2で処理液を供給するときは、絞り部132aの片側の圧力に基づいて流量制御弁133を制御する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置のウェット処理において、エッチングを制御しながら薬液使用量を削減する。
【解決手段】薬液を用いて複数の基板を順次処理するウェット処理方法は、次の各工程を備える。つまり、第1の基板をウェット処理する際の設備パラメータの値を収集する工程(a)と、設備パラメータに基づいて、工程(a)における基板の被処理層のエッチングレートを算出する工程(b)と、エッチングレートと、被処理層に対して予定したエッチング量とに基づいて、処理時間を算出する工程(c)と、工程(a)の後に、第1の基板とは異なる他の基板について、処理時間のウェット処理を行なう工程(d)とを備える。 (もっと読む)


【課題】この発明は基板に付着残留するレジストを確実に除去することができるようにしたレジスト剥離装置を提供することにある。
【解決手段】基板の表面に付着残留するレジストを除去するレジスト剥離装置であって、
硫酸を供給する第1の供給管32と、オゾンガスを供給する第2の供給管33と、第1の供給管から供給される硫酸を第2の供給管から供給されるオゾンガスによって霧化させて基板に向けて噴射する上部ノズル体31と、硫酸とオゾンガスの供給量をそれぞれ制御する第1、第2の開閉弁38,39及び制御装置14を具備する。 (もっと読む)


【課題】プラズマエッチング後の所定の膜の表面に残存するエッチング残渣またはアッシング残渣をその膜にダメージを与えずに確実に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板にドライエッチングを施した後に所定の膜の表面に残存するエッチング残渣、またはエッチング残渣をアッシングした後にその膜の表面に残存するアッシング残渣を除去する基板処理方法は、基板表面に液体状の有機酸を形成し、液体状の有機酸によりCFポリマーを分解するとともに液体状の有機酸にその分解物を溶解させる第1工程と、その後、基板をアニールして、有機酸および有機酸に溶解したCFポリマーの溶解物を気化させて基板から除去する第2工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】基板の端面を含む周縁部に付着した付着物をブラシにより効果的に除去することができる基板洗浄装置を提供すること。
【解決手段】基板洗浄装置1は、基板Wを回転可能に保持するスピンチャック3と、スピンチャック3に保持されている基板Wを回転するモーター4と、スピンチャック3に保持されている基板Wに洗浄液を供給する洗浄液供給機構10と、洗浄時に基板Wの周縁部に接触する周縁部洗浄部21cを有するブラシ21、ブラシ21を回転させる回転機構33,34、およびブラシ21をウエハWに押しつける押しつけ機構27を有する洗浄機構20とを具備する。周縁部洗浄部21cは、径方向で洗浄力分布が形成されるように径方向に沿って状態が変化している状態変化部分52を有する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハを、凹部が形成された裏面を露出した状態に全面載置型のスピンナテーブルに保持して洗浄した後に、該ウェーハを安全、かつ確実に取り上げて所定の搬送先に円滑に搬送する。
【解決手段】スピンナテーブル71に保持して洗浄したウェーハ1の環状凸部5Aをウェーハ取り上げ機構90の吸着パッド94で吸着して取り上げ、次いで、露出した表面側を搬送ロボット23のロボットピック23cで受け取って吸着、保持し、搬送ロボット23を作動させてウェーハ1を回収カセット22B内に移送して収容する。 (もっと読む)


【課題】微小ピンセットに付着したパーティクルが試料に再付着するのを防止する。
【解決手段】開閉自在な一対のアームを有するナノピンセット1を試料表面に近接させ、該試料表面に付着したパーティクルPを把持し、パーティクルPを把持したナノピンセット1を粘着部材3上まで移動し、パーティクルPを粘着部材3に接触させ、その後、ナノピンセット1を開いた状態で粘着部材3から遠ざけることにより、パーティクル除去を確実に行うことができる。 (もっと読む)


【課題】基板の周縁部を確実に洗浄することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、ブラシに加わる鉛直方向の荷重を検出するための圧力センサ65を備えている。この圧力センサ65の出力は、マイクロコンピュータで構成される制御部67に入力されている。ブラシが基準位置に配置されると、ブラシに基板が微小な所定量だけ食い込み、ブラシが基板から鉛直方向の反力を受けるので、その前後でブラシに対して鉛直方向に加わる荷重が変化する。制御部67では、その荷重変化に基づいて、ブラシが基準位置に配置されたか否かが判断され、基板の周縁部に対するブラシの接触が検出される。 (もっと読む)


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