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Fターム[5F157CF72]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | 構成要素の配置 (451)

Fターム[5F157CF72]に分類される特許

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【課題】基板の裏面を洗浄する基板洗浄装置及び基板洗浄方法であって、基板の裏面を洗浄する洗浄手段及び基板を保持する基板保持手段を洗浄することができる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供すること。
【解決手段】基板の裏面を洗浄する基板洗浄装置であって、前記裏面の第1の領域に接触して、前記基板を保持する第1の基板保持手段と、前記第1の領域以外の前記裏面の第2の領域に接触して、前記基板を保持する第2の基板保持手段と、前記第1の基板保持手段又は前記第2の基板保持手段により保持された基板の裏面を洗浄する第1の洗浄手段と、前記基板と接触する前記第2の基板保持手段の接触面を洗浄する第2の洗浄手段とを有することを特徴とする基板洗浄装置により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板処理装置に関する。
【解決手段】本発明の実施例によると、第1外壁で取り囲まれ、処理液を噴射する上部チャンバと、上部チャンバの下部に形成され、第2外壁で取り囲まれており、第2外壁に平行に離隔されるように形成された隔壁を含み、上部チャンバから噴射された処理液を回収する下部チャンバと、上部チャンバと下部チャンバとの間に形成され、基板を進行方向に沿って移送する基板移送部と、を含み、下部チャンバの第2外壁間の幅が上部チャンバの第1外壁間の幅より大きい基板処理装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】ガス管路118からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部113、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部115と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓111を備えた。 (もっと読む)


【課題】従来のような二流体ノズルや高圧ジェットを用いた場合、たとえば、パターン等が形成された基板を洗浄する場合、洗浄液の供給される力によって、基板上に形成されたパターンに損傷が生じる場合があり、一方、損傷を防止するために供給する力を抑制すれば、洗浄を十分に行えないという問題があった。
【解決手段】微細気泡を含む洗浄液を用いて基板の洗浄を行う。洗浄液を供給するノズルの先端を、基板上に形成された液膜の液面より低い位置に配置し、ノズルの先端部分付近(微細気泡発生領域)を洗浄液が通過する際に、洗浄液中に微細気泡が発生するように構成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、樹脂及びワークの側面にエッチング液が付着することを低減し、樹脂のエッチング及びワークの表面のエッチングを防止することを目的とする。
【解決手段】エッチング装置1は、ワークセット2を保持して回転可能な保持テーブル3と、ワークセット2の上方に配設されエッチング液40を滴下するエッチングノズル4と、保持テーブル3に保持したワークセット2の周囲に配設されワークセット2の側面に向けて水を供給する水供給手段5とを備え、水供給手段5は、水供給源51と、水供給バルブ52と、水供給ノズル50とを少なくとも備え、水供給ノズル50は、リング形状に形成されワークセット2の周囲からワークセット2の側面に向かう方向に複数の水供給口50aを備えている。そして、水供給ノズル50から供給される水がエッチング液40を薄めて洗い流すことにより、樹脂21及びワークWの下面Waのエッチングを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】電子製品用の基板に付着した異物を除去する異物除去装置において、エアー射出による異物への除去作用を維持しながらも異物の拡散による再汚染を防止し、充分な異物除去能力を得ることができる。
【解決手段】この発明の異物除去装置においては、異物除去処理を行う際に基板1上部に隙間を空けて対向して配置される異物飛散防止板3と、異物飛散防止板3の外周に設けられる囲い板4と、異物飛散防止板3に開口して設けられるエアー射出部5と、エアー射出部5と囲い板4の間に開口して設けられるメインエアー吸引部6およびサブエアー吸引部7とを備えるものである。 (もっと読む)


【課題】最適の噴射液塗布(洗浄)性能が発揮できるようにする。
【解決手段】互いに離隔配列される二つの支持体と、ボトムシャフト両端部に結合される二つのボトム移送ローラーの外周面に放射状に2以上の整数個のワイヤ両端部が連結されるボトム連結部材とを有する複数のボトム回転移送体と、トップシャフトの両端部に結合されるトップ移送ローラーとを含む複数のトップ回転移送体と、ボトム及びトップ回転移送体のボトム及びトップシャフトを回転させボトム及びトップ回転移送体の間に移送対象体を移送させる駆動手段と、中継シャフト両端部にそれぞれ結合される二つの中継移送ローラーの外周面に放射状に2以上の整数個のワイヤ両端部が連結される中継連結部材とを含む複数の中継回転移送体の中継シャフトを回転させるために駆動手段の動力を中継シャフトに伝達する連動手段とからなる。 (もっと読む)


【課題】研削装置のチャックテーブルに保持されていた円形板状ワークの被保持面側が保持部材によって保持されている場合において、被保持面のうち保持部材によって保持されている部分も洗浄できるようにする。
【解決手段】洗浄部材621に、搬出手段が保持した円形板状ワークの被保持面Tを接触させ、洗浄手段を構成する回転防止部材82を上昇させ被保持面Tに接触させて洗浄部材621の回転動作によって被保持面Tのうち回転防止部材82が接触している箇所以外の部分を洗浄し、その後、回転防止部材82を下降させて、被保持面Tのうち回転防止部材82が接触していた部分を露出させ、洗浄部材621を所定角度回転させることによって円形板状ワークが当該所定角度と同じ角度回転した後、再び回転防止部材82を上昇させ被保持面Tに接触させて洗浄部材621の回転動作によって被保持面Tの未洗浄部分を洗浄する。 (もっと読む)


【課題】酸化物の不所望量を失うことなく及び基板を過度に損傷することなく格別のパーティクル除去効率を達成する清浄方法の提供。
【解決手段】液体エーロゾル小滴をウェハー13上へ向けるための複数のノズルを含むスプレーバー20と回転モーター15により駆動される回転可能なチャック14とを備え、スプレーバー20により水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を形成して、チャック14上に支持されたウェハー13の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって、該表面と接触させる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面102を有する隔壁板102であって、隔壁板102の下側表面106と半製品と間の距離は隔壁板102の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板102と、隔壁板102の下側表面106と流れが連通するように隔壁構造14内に設けられた吸引通路であって、隔壁板102の下側表面106上の液体を隔壁板102の下側表面106上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板102の下側表面106上の液体が隔壁板102の下側106から吸引されて抜き取られるように構成した。 (もっと読む)


【課題】処理液で濡れた基板表面をIPAなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、乾燥処理の効率化を図る。
【解決手段】遮断部材90と基板表面Wfとの間に形成される間隙空間SPに環状気体吐出口99aから低露点空気を供給しつつ溶剤吐出口97aから低表面張力溶剤を吐出させて基板表面Wfの処理液を低表面張力溶剤で置換するのに続いて、溶剤吐出口97aからの低表面張力溶剤の吐出を停止させるとともに、環状気体吐出口99aから間隙空間SPへの低露点空気の供給を継続させたまま、基板Wの表面中央部に向けて中央気体吐出口98aから乾燥用ガスを吹きつけ、さらに基板Wを高速回転させて低表面張力溶剤を基板表面Wfから除去して該基板表面Wfを乾燥させる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面102を有する隔壁板102であって、隔壁板102の下側表面106と半製品と間の距離は隔壁板102の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板102と、隔壁板102の下側表面106と流れが連通するように隔壁構造14内に設けられた吸引通路であって、隔壁板102の下側表面106上の液体を隔壁板102の下側表面106上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板102の下側表面106上の液体が隔壁板102の下側106から吸引されて抜き取られるように構成した。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面102を有する隔壁板102であって、隔壁板102の下側表面106と半製品との間の距離は隔壁板102の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板102と、隔壁板102の下側表面106と流れが連通するように隔壁構造14内に設けられた吸引通路であって、隔壁板102の下側表面106上の液体を隔壁板102の下側表面106上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板102の下側表面106上の液体が隔壁板102の下側106から吸引されて抜き取られるように構成した。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、ソレノイドコイル3が、第一石英板4、第二石英板5、及び、複数の石英管6によって囲まれた長尺チャンバの周囲に配置され、最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。石英管6の内部には冷却水が供給される。長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】基板の被処理面の背面に使用済みの処理液等の回り込みを防止する。
【解決手段】基板の被処理面を水平に支持した状態で当該被処理面と平行に回転するテーブルを有し、このテーブルに支持された当該基板Wの被処理面に所定の処理液を供給した後、この処理液を当該基板Wの外周方向に払拭することにより基板処理を行う装置の当該テーブルに、当該基板Wを着脱自在に嵌装するための基板装着部を形成しておく。この基板装着部に嵌装された基板Wをベルヌーイ吸着させるために当該基板Wの被処理面の背面に向けてN2ガス等を噴出供給して、このベルヌーイ吸着により生じる当該基板Wの変位力により、当該処理液の払拭路と当該被処理面の背面を通過した気体の排出路とを遮へいする。 (もっと読む)


【課題】1つの液処理装置にて異なる種類の液処理を行うにあたって、各液処理時に基板の周辺の処理液由来の雰囲気が拡散することを防止ないし抑制しつつ、クロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板(W)を水平に保持して回転させる基板保持部と、基板に対して第1の処理液および第2の処理液をそれぞれ第1処理液供給ノズルおよび第2処理液供給ノズルと、基板に供給された後の処理液を受けるための液受けカップ(40,42,44)と、液受けカップの周囲に配設され、その上端が前記液受けカップの上方にある上昇位置と、前記上昇位置よりも下方に位置する下降位置との間で昇降自在な、上部に上部開口(50n)が形成された筒状の第1カップ外周筒(50A)と、その外側の第2カップ外周筒(50B)を備えている。使用される処理液に応じて、カップ外周筒50A、50Bを使い分ける。 (もっと読む)


【課題】基板の液処理時に遮蔽扉に付着した処理液によって、基板の乾燥処理時にパーティクルが発生してしまうのを防止すること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置(1)において、処理液で基板(6)の液処理を行う液処理槽(7)と、前記液処理槽(7)の上方に設けられ、前記基板(6)の乾燥処理を行う乾燥処理槽(22)と、前記液処理槽(7)と乾燥処理槽(22)との間に設けられ、前記液処理槽(7)と乾燥処理槽(22)とを遮蔽可能な遮蔽扉(33)と、前記液処理槽(7)と乾燥処理槽(22)との間で前記基板(6)の搬送を行う基板搬送手段(5)と、前記遮蔽扉(33)に洗浄液を供給する洗浄液供給手段(36)とを設けることにした。 (もっと読む)


【課題】基板の裏面の任意の領域に液体が回り込む量を調整することで、基板の表面に液体を供給して処理するだけでなく基板の裏面の任意の領域にも液体を供給して処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Wを回転可能に保持する基板保持部11と、制御部100と、制御部100の指令により基板Wの表面Sに処理用の液体を供給する液体供給部18と、基板保持部11と基板Wの裏面Bの間に形成される裏面空間領域32に、制御部100の指令により不活性ガスを吐き出す吐出ガス供給系15と、制御部100の指令により裏面空間領域32内の空間圧力を制御するエアー吸引系16を備える。 (もっと読む)


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