【課題】搬送途上において基板を反転することを容易に可能とする。
【解決手段】基板処理装置は、基板の上方を向く主面を処理する処理部と、基板が載置される載置部近傍の前部移載位置５０１と処理部近傍の後部移載位置５０２との間にて基板を搬送する基板搬送部５とを有する。基板搬送部５では、基板を保持する基板保持部５１の両側部に一対の円筒部５５が設けられ、搬送方向におよそ沿って伸びる一対の外側レール部５３が基板保持部５１の両側に設けられる。昇降機構５７１，５７２は、搬送方向における一対の外側レール部５３の両端部に高低差を設けることにより、前部移載位置５０１から後部移載位置５０２へと一対の円筒部５５を転がして、基板を反転しつつ基板保持部５１を搬送する。これにより、搬送途上において基板を反転することが容易に可能となり、基板処理装置におけるスループットを向上することができる。 （もっと読む）

【課題】検査の定量性を確保するとともに、作業効率を改善するフォトマスク洗浄システムを提供する。
【解決手段】フォトマスクを洗浄する洗浄装置と、フォトマスクに付着している異物を検出する異物検出手段を有し洗浄装置により洗浄されたフォトマスクを検査する検査装置と、検査装置による検査結果に基づいてフォトマスクに異物が付着している箇所を再生部位として指示する指示手段を有し当該フォトマスクを再生する再生装置と、洗浄装置、検査装置および再生装置との間でフォトマスクを運搬する運搬装置と、を備える。 （もっと読む）

【課題】タンクである容器の破損を抑制しつつ、効率的に溶剤蒸気を発生できる蒸気発生装置を提供する。
【解決手段】
この蒸気発生装置３７では、フランジ７５ａを有する支持部材７５、第１凹部７５ｂ、及び第１Ｏリング７６により、タンク７１を下側から支持しているので、従来のような加熱手段からの熱による熱応力により、接着シールが破損することもなく、タンク７１の支持機能を維持することができる。また、支持部材７５、支持部材７５の側部に形成された第２凹部７５ｃ、及び第２Ｏリング７７により、タンク７１を側部から支持しているので、第２Ｏリング７７によりタンク７１の側部下側の熱変形に対応できる。さらに、上側アルミ板８１の上部とタンク７１との間には伝熱スポンジ８４が設けられているので、タンク７１の底面の反りとヒータ４１の反りに対応できる。 （もっと読む）

【課題】減圧乾燥処理装置のチャンバーにおける配管の引き回し施行の簡略化と、装置の構造の簡素化を図ることにある。
【解決手段】隔壁部１にて大気と隔離して密封状態を保持可能な１乃至複数の基板ｐを収容する減圧チャンバー室Ａと、該チャンバー室Ａ内に装備され収容する前記１乃至複数の基板ｐを載置する可動式又は固定式の加熱用プレートＣと、隔壁部２１にて大気と隔離して密封状態を保持可能な加圧チャンバー室Ｂとを備え、前記減圧チャンバー室Ａと加圧チャンバー室Ｂは、互いに近接位置に隣接して開閉する密閉シャッタ部２５にて区画され、該密閉シャッタ部の開動作による連通状態と閉動作による互いに独立した密封状態とを保持可能であり、前記密閉シャッタ部２５を閉鎖して減圧チャンバー室Ａ内の基板ｐの減圧乾燥を行い、開放して減圧チャンバー室Ａ内を大気圧に戻すことができる。 （もっと読む）

【課題】その表面にレジスト膜からなるマスクが形成され、周縁部のレジスト膜の膜厚が中央領域よりも厚い基板にダメージを与えずに、当該基板の表面に形成されたレジスト膜を確実に除去できる技術を提供すること。
【解決手段】前記基板の表面全体にレジスト膜を酸化するための酸化性の処理流体を供給し、レジスト膜を除去する第１の工程と、前記基板の周縁部に当該基板の辺に沿ってアルカリ性の処理液をノズルから吐出して、基板の端部のレジストを除去する第２の工程と、を実施することにより、基板の端部におけるレジスト膜の残留を防ぎ、基板に与えるダメージを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行う。
【解決手段】剥離装置３０は、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４を備え、且つ当該被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１を備え、且つ当該支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、第１の鉛直移動部１５１と第２の鉛直移動部１５２とを備えた移動機構１５０とを有している。第１の鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳが、その外周部から中心部に向けて第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷから連続的に剥離するように、第２の保持部１１１の外周部を保持して鉛直方向に移動させる。 （もっと読む）

【課題】表面特性が良好になるようにＳｉＣ半導体を洗浄するＳｉＣ半導体の洗浄方法およびＳｉＣ半導体の洗浄装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、ＳｉＣ半導体の表面に酸化膜を形成する工程（ステップＳ２）と、酸化膜を除去する工程（ステップＳ３）とを備え、酸化膜を除去する工程（ステップＳ３）では、ハロゲンプラズマまたは水素プラズマによって、酸化膜を除去する。酸化膜を除去する工程（ステップＳ３）では、ハロゲンプラズマとしてフッ素プラズマを用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】１つの処理室における処理状況によりは排気圧が大きく変動することはなく、排気圧の変動にともなうウエハへのパーティクルの付着を抑制できる。
【解決手段】ＳＣ１処理、ふっ酸処理、ＩＰＡ蒸気による置換処理の場合、個別排気管のいずれかが開放されているとき、遮蔽板１１５は開放されている個別排気管に対応する開放口６５，７５を閉塞するとともに、閉塞されている個別排気管に対応する開放口６５，７５を開放しているので、この開放口６５，７５からはエアが導入されている。これにより、１つの処理室における酸系の処理時、アルカリ系の処理時等とでは排気圧が大きく変動することはなく、この排気圧の変動にともなうウエハへのパーティクルの付着を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面に存在する有機物等の汚染物を高い効率で除去することができると共に、被処理物の表面の濡れ性を向上させることができ、被処理物の表面に高い密着性を有する薄膜を形成することができるドライ洗浄方法およびドライ洗浄装置を提供する。
【解決手段】被処理物１に大気圧プラズマを作用させることにより洗浄処理する第１洗浄工程と、この第１洗浄工程によって洗浄処理された被処理物１にエキシマランプから放射されたエキシマ光を照射することにより洗浄処理する第２洗浄工程とを有し、搬送される被処理物１に対して被処理物１の搬送方向の上流位置に大気圧プラズマ装置２０を配置し、被処理物１の搬送方向の下流位置にエキシマ光照射装置３０を配置する。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上を図り、不具合が発生した場合でも、装置全体の稼働率の低下を抑えることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】キャリアＣに対してウエハの受け渡しを行う搬入出アームＢを備えた基板搬入ブロックの後段側に、第１の処理ブロック３１と第２の処理ブロック３２と第３の処理ブロック３３とを順に配置する。基板搬入ブロックに、前記搬入出アームＢから第１の処理ブロック３１にウエハを受け渡すための受け渡しステージ（２１ａ ２１ｂ）と、第２の処理ブロックにウエハを受け渡すための受け渡しステージ２２と、第３の処理ブロックにウエハを受け渡すための受け渡しステージ２３と、を設け、受け渡しステージ２２上のウエハを第１直接搬送機構Ａ１により第２の処理ブロック３２に直接搬送し、受け渡しステージ２３上のウエハを第２直接搬送機構Ａ２により第３の処理ブロック３３に直接搬送する。 （もっと読む）

【課題】大気中でも良好に基板を洗浄できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】遮断板４０は、搬送路３０ａの上方に配置されており、各搬送ローラ３０により搬送される基板Ｗの上面と近接する。また、遮断板４０には、リンス液供給ノズル６０の設置スペースとして使用される複数の中空突出部４２が設けられている。複数のリンス液供給ノズル６０は、中空突出部４２の延伸方向に沿うように、中空突出部４２の中空空間４２ａに固定されており、搬送される基板Ｗに対して近接できる。シールドガス供給ノズル５０、５５は、第１処理空間７１にシールドガスを供給し、第１処理空間７１内の空気をシールドガスと置換する。これにより、第１処理空間７１において、基板Ｗと、大気に含まれる酸素と、リンス液の水分と、が接触することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】研磨工具等を囲む筺体内の洗浄を容易に行えるようにする。
【解決手段】洗浄機構２０は、筐体内に配設され、水源３１等に連通する第１の連通路２２ａを有する第１の回転支持部２２と、第１の回転支持部２２によって回転可能に支持され、第１の連通路２２ａに連通する第２の連通路２３ａを有する第１のノズル体２３と、第１のノズル体２３において第１の回転支持部２２を中心として描かれる円の接線方向に開口し、第２の連通路２３ａに連通する第１の噴射口２４と、第１のノズル体２３に配設され、第２の連通路２３ａに連通する第３の連通路を有する第２の回転支持部２５と、第２の回転支持部２５によって回転可能に支持され、第３の連通路に連通する第４の連通路を有する第２のノズル体２６と、第２のノズル体２６において第２の回転支持部２５を中心として描かれる円の接線方向に開口し、第４の連通路に連通する第２の噴射口２７とを有する。 （もっと読む）

【課題】ロットの追い越し配置を可能にして処理効率を向上させることができる基板処理装置のスケジュール作成方法を提供する。
【解決手段】計画開始位置ＰＳＰ１〜ＰＳＰ３から、レシピに基づいて各ブロックを配置する。基板待機部ＣＷＳを使用するブロックＢから次のブロックＣまでの間に待機時間が生じる場合には、第２のロットの計画開始位置ＰＳＰ２を時間的に後にずらした調整計画開始位置ＭＳＰ２を求める。制御部は、調整計画開始位置ＭＳＰ２を含む計画開始位置ＰＳＰ１，３の時間的に早いロットの順に、ブロックの配置を開始する。これにより、計画開始位置ＰＳＰ３のままの短時間の処理を行うレシピを採用した第３のロットを、調整計画開始位置ＭＳＰ２の第２のロットよりも時間的に前に配置してスケジュールする追い越しができ、基板処理装置における処理効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】乾燥処理に用いられるガス中のパーティクルを除去する濾材に対して、当該濾材をガスの流れる流路上に配置した状態のまま、この濾材に付着した付着物を除去することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は乾燥ガス発生部２３にて乾燥用のガスを発生させ、このガスを濾材３１に通流させてパーティクルを除去した後、処理部にて液体の付着した基板Ｗと接触させて、基板Ｗの乾燥処理を行う。濾材加熱部は、乾燥処理時には、乾燥ガスの温度を露点以上に維持するために濾材３１を第１の温度に加熱し、濾材３１の再生処理時には、濾材３１に付着した付着物を気化させて除去するため当該濾材３１を第１の温度よりも高い第２の温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板の一括搬送および１枚の基板の枚葉搬送の切り換えに要する時間を短縮することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、バッチハンド２４によりフープ保持部に保持されたフープに対して複数枚の基板Ｗを一括して搬入および搬出するバッチ式の第１搬出入機構４と、第１および第２枚葉ハンド４５，４６によりそれぞれバッチハンド２４およびフープに対して１枚の基板Ｗを搬入および搬出する枚葉式の第２搬出入機構５とを含む。 （もっと読む）

【課題】平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第１の処理液を分別回収して第２の処理液に置き換える動作を効率よくスムースに行い、現像斑の発生を抑制する。
【解決手段】被処理基板Ｇを平流し搬送する基板搬送路２と、前記基板搬送路を搬送される被処理基板に第１の処理液を供給する第１の処理液供給手段９と、前記基板搬送路を搬送され、前記第１の処理液が供給された前記被処理基板に対し、所定のガス流を鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付ける気体供給手段２１と、前記気体供給手段によりガス流が吹き付けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し、所定の流速で第２の処理液を供給する第１のリンス手段２２と、前記第２の処理液が供給され、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し、前記第１のリンス液供給手段よりも高流速で前記第２の処理液を供給する第２のリンス手段２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理体へ悪影響を及ぼすことなく、被処理体を連続して処理する際におけるスループットを向上させること。
【解決手段】処理装置は、延長可能液処理機構４０，４５と、一の被処理体と他の被処理体を順次取り扱う共有取扱部１０と、を備えている。処理装置は、リンス液処理工程と、共有取扱工程と、を有するレシピを算出するレシピ算出部５１も備えている。レシピ算出部５１は、共有取扱部１０が一の被処理体を取り扱う一の共有取扱工程と共有取扱部１０が他の被処理体を取り扱う他の共有取扱工程とが時間的に重複する場合に、他の被処理体についての延長可能液処理工程を延長し、かつ、延長可能液処理工程を延長した分だけ他の共有取扱工程をシフトさせることによって、一の共有取扱工程と他の共有取扱工程とが時間的に重複しないようにする。 （もっと読む）

【課題】基板を収容するための基板収容部と、上下方向に複数段設けられた各基板処理ユニットとの間で複数の基板を効率的に搬送することができ、このため単位時間あたりの基板の処理枚数を多くすることができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理ユニット４０と基板収容部３０との間で基板Ｗの搬送を行う第２の基板搬送装置６０ａ、６０ｂは、複数の基板処理ユニット４０が区分けされる各グループに対応するよう上下方向に複数段設けられている。また、第１の基板搬送装置５０により基板収容部３０に搬送された、基板処理ユニット４０により処理される前の基板Ｗ、および第２の基板搬送装置６０ａにより基板収容部３０に搬送された、基板処理ユニット４０ａにより処理された基板Ｗを、それぞれ、基板収容部３０における上下方向の別の位置に移し換えるための基板移し換え装置３５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板の上面側縁部と端部と下面側縁部とからなる基板の縁部全体を良好に洗浄できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（２）の上面側縁部と端部と下面側縁部を洗浄するための基板処理装置（１）において、基板（２）を保持する基板保持手段（１９）と、基板（２）の上面側縁部を加圧した洗浄液で洗浄するための第１洗浄手段（２５）と、基板（２）の端部及び下面側縁部を洗浄部材に接触させた状態で洗浄するための第２洗浄手段（２６）とを有し、第１洗浄手段（２５）で基板（２）の上面側縁部を洗浄するとともに、第２洗浄手段（２６）で基板（２）の端部及び下面側縁部を洗浄するように構成することにした。 （もっと読む）

【課題】装置の占有面積を抑制しながら、基板処理速度を向上する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板処理部と、払出機構７０と、搬入機構７１と、プッシャ６と、主搬送機構３とを含む。基板処理部は、複数枚の基板Ｗに対して一括して処理を施す。払出機構７０は、払出チャック７３を基板移載位置Ｓと基板受け渡し位置Ｐとの間で第１横行経路１０１に沿って横行させる。搬入機構７１は、搬入チャック７４を基板移載位置Ｓと基板受け渡し位置Ｐとの間で第１横行経路１０１よりも下方の第２横行経路１０２に沿って横行させる。プッシャ６は、昇降保持部１０５を基板移載位置Ｓにおいて昇降させる。主搬送機構３は、基板受け渡し位置Ｐと前記基板処理部との間で複数枚の基板Ｗを一括して搬送する。払出チャック７３、搬入チャック７４および昇降保持部１０５は、それぞれ、複数枚の基板Ｗを一括して保持することができる。 （もっと読む）