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Fターム[5F157CF86]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | 洗浄装置の構成 (539)

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【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板搬送の負荷を低減させる。
【解決手段】塗布現像処理システムのインターフェイスステーション5は、ウェハを露光装置に搬入する前に少なくともウェハの裏面を洗浄するウェハ洗浄部141と、洗浄後のウェハの裏面について、当該ウェハの露光が可能かどうかを露光装置に搬入前に検査するウェハ検査部142と、ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142との間でウェハWを搬送する搬送手段143を有している。ウェハ洗浄部141、ウェハ検査部142及び搬送手段143は、筐体140の内部に設けられている。 (もっと読む)


【課題】マイクロエレクトロニクス用の加工物を処理するための装置を提供する。
【解決手段】加工物12を処理するために、特別のバッフル174,218,262またはダクト構造を含み、加工物12および/または支持部材94の外側周辺部に近接して入口(340)を有する。また、障壁板556が、外側周辺部(566)、前記支持部材94の上に配置されて前記加工物を覆う内側表面(560)、この表面に対向配置される外側表面、及び両表面間に処理流体の連通を与える通路576を形成する内側周辺表面を含み、支持部材94の支持表面と内側表面が、その間に制御された流体の流路576を提供する。そして、排気ダクト通路(330)を開放するために、入れ子化されたバッフルを独立に移動し、前記バッフルの各々は、内側周辺部を有する流量制御表面(180,224,268)を備えて、流路外周縁部から流体の流れを受け入れて選択されたバッフルに関連した排気ダクト通路内に流体の流れを導くことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理方法および基板処理装置において、パーティクル除去効率を向上させる。
【解決手段】基板Wの表面Wfに、DIWにポリスチレン微粒子Pを分散させた処理液Lによる液膜LPを形成する。冷却ガス吐出ノズル3から冷却ガスを吐出させながら該ノズルを基板Wに対し走査移動させて、液膜LPを凍結させる。液膜中に混入された微粒子Pが凝固核となって氷塊ICの生成が促進されるため、液相から固相への相変化時間を短くしてパーティクル除去効率を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】重合基板から剥離された被処理基板を適切に保持し、当該被処理基板の搬送又は処理を適切に行う。
【解決手段】剥離システムは、重合ウェハから剥離された被処理ウェハWを搬送又は処理する際に、当該被処理ウェハWを非接触状態で保持する保持部60を有している。保持部60の保持面61には、気体を噴出する複数の噴出口62と気体を吸引する複数の吸引口63とが形成されている。複数の噴出口62と複数の吸引口63は、保持部60に保持される被処理ウェハWに対応する位置全体に亘って形成されている。剥離システムにおいて、保持部60は、被処理ウェハWを搬送する搬送装置、被処理ウェハWの表裏面を反転する反転装置、重合ウェハを被処理ウェハWと支持ウェハに剥離する剥離装置、被処理ウェハWを洗浄する洗浄装置、被処理ウェハWを検査する検査装置に設けられている。 (もっと読む)


【課題】洗浄装置との間で液体を循環させつつ、該液体の濃度および量を一定の範囲内に維持可能な管理システムを提供する。
【解決手段】アルコールと純水を含む洗浄液が調製される混合槽4および調整槽20と、混合槽4および調整槽20にアルコールを供給するアルコール供給手段と、混合槽4および調整槽20に純水を供給する純水供給手段と、混合槽4と洗浄装置100との間で洗浄液を循環させる循環手段と、混合槽4内の洗浄液の量を測定する液量測定手段と、洗浄液の成分濃度を測定する濃度測定手段と、液量測定手段の測定結果に基づいて液量調整処理を実行する第一の制御手段と、濃度測定手段の測定結果に基づいて濃度調整処理を実行する第二の制御手段と、必要に応じて調整槽20の洗浄液を混合槽4へ供給する補充処理を実行する第三の制御手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】洗浄装置との間で液体を循環させつつ、該液体の濃度および量を一定の範囲内に維持可能な管理システムを提供する。
【解決手段】アルコールと純水を含む洗浄液が調製される混合槽4と、混合槽4にアルコールを供給するアルコール供給手段と、混合槽4に純水を供給する純水供給手段と、混合槽4と洗浄装置100との間で洗浄液を循環させる循環手段と、混合槽4内の洗浄液の量を測定する液量測定手段と、洗浄液の成分濃度を測定する濃度測定手段と、液量測定手段の測定結果に基づいて液量調整処理を実行する第一の制御手段と、濃度測定手段の測定結果に基づいて濃度調整処理を実行する第二の制御手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】基板の処理に使用される処理液の消費量を低減すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を吸収可能で弾性変形可能なスポンジ41と、スポンジ41に処理液を供給する貯留槽40と、基板Wを保持する基板搬送ロボット21とを含む。基板搬送ロボット21は、スポンジ41と基板Wとを相対移動させてスポンジ41と基板Wの下面とを接触させることにより、スポンジ41に吸収されている処理液を基板Wの下面に供給させる。 (もっと読む)


【課題】基板から飛散した処理液の回収率を向上させることができる基板液処理装置の提供。
【解決手段】基板液処理装置は、基板保持台12に保持されて回転する基板Wから飛散した処理液を下方へ案内する第1案内カップ31および第2案内カップ41と、基板保持台12と、第1案内カップ31および第2案内カップ41との間の位置関係を調整する位置調整機構と、第1案内カップ31および第2案内カップ41により案内された処理液を回収する第1処理液回収用タンク61および第2処理液回収用タンク62と、を備えている。第1処理液回収用タンク61と第2処理液回収用タンク62との間には、排気部材71が設けられている。第2案内カップ41の下端部41bに、第1案内カップ31からの処理液を第1処理液回収用タンク61に案内すると共に、第2案内カップ41からの処理液を第2処理液回収用タンク62に案内する案内部材81が設けている。 (もっと読む)


【課題】水蒸気中の不純物を低減することで基板上の微粒子等を確実に除去すること。
【解決手段】純水PWを加熱沸騰させて水蒸気を発生させる石英ガラス製の水蒸気発生容器110と、水蒸気発生容器110に純水PWを供給する純水供給部400と、水蒸気発生容器110で発生した飽和水蒸気SVを加熱して過熱水蒸気HVを生成する石英ガラス製の過熱水蒸気生成容器150と、過熱水蒸気生成容器150で発生した過熱水蒸気HVを基板Wの表面に噴射させる基板処理装置300とを備えている。 (もっと読む)


【課題】薬液処理時に処理槽内の薬液の温度を均一にして、複数の基板を均一に薬液処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置1は、互いに対向する一対の側壁10a、10bを有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽10と、複数の基板を起立させて保持する保持部21と、保持部21に連結され、処理槽10内に搬入された際に、保持部21に保持された基板と処理槽10の一方の側壁10aとの間に介在される背部22とを有し、保持部21に保持された基板を薬液に浸漬させる基板保持機構20とを備えている。処理槽10に、貯留された薬液を加熱する加熱器80が設けられている。この加熱器80は、一方の側壁10aに設けられた第1加熱器81と、他方の側壁10bに設けられた第2加熱器82と、を有しており、第1加熱器81の出力と第2加熱器82の出力は個別に制御される。 (もっと読む)


【課題】基板の一方面中央部を保護しつつ基板に処理を施すことができるとともに、回転軸線方向に異なる複数の位置で所定の回転処理を基板に良好に施すことが可能な基板保持回転装置および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スピンチャック3は、ウエハWの下面中央部を支持するためのセンターチャック7と、ウエハWの下面周縁部を支持するための外周リング部材8と、ウエハWの下面周縁部と外周リング部材8との間をシールするための第1シール部材9とを備える。吸着ベース10は昇降モータによって、処理位置と、下面リンス位置と、取合位置との間で昇降されるようになっている。吸着ベース10の上面10aには、吸引口26と吸引溝27とが形成されている。吸引溝27には、吸着ベース10の側面に開口するオリフィス30が接続されている。 (もっと読む)



【課題】容器内部に付着した金属の錯体化の効率を向上させることができる洗浄方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】容器内部にガスを供給し、容器内部に付着した金属を供給したガスと化合させ、金属及びガスが化合した金属化合物を気化させて該容器を洗浄する洗浄方法において、容器内部に酸化ガス又はハロゲン化ガスを供給して、容器内部に付着した金属に酸化処理又はハロゲン化処理を施す第一工程と、容器内部に錯体化ガスを供給して、酸化処理又はハロゲン化処理を施した金属に錯体化処理を施す第二工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】ロール電極の内部を流通する冷却液が、ロール電極を構成する部材どうしの接合面を通してロール電極の外面へ漏れ出たとしても、処理の安定性が損なわれるのを防止するプラズマ表面処理装置の提供。
【解決手段】ロール電極1の円筒部20の端壁部30Lを構成する複数の部材31L,33Lどうしの接合面54Lが、冷却液路60に達して内側接合線55Lを形成し、かつ端壁部30Lの外面に達して外側接合線56Lを形成している。端壁部30Lの外面における、放電面21aとの境界1bと外側接合線56Lとの間に、端壁部30Lの周方向に沿って延びる溝41Lを形成する。 (もっと読む)


【課題】液処理部等を含むあるエリアにおいて発生したミスト又はパーティクルが、搬送部又は他の処理部等を含む他のエリアに流出することを防止できる液処理システムを提供する。
【解決手段】薬液を用いて基板を液処理する液処理部COTと、基板を液処理部COTに搬入出する搬送部8と、液処理部COTと搬送部8との間を仕切るとともに、搬送部8が基板Wを液処理部COTに搬入出するための開口部51が設けられた仕切板50とを備え、仕切板50に、液処理部COTが設けられた空間27の雰囲気を排気する排気孔52が設けられたことを特徴とする。 (もっと読む)


【解決手段】上側処理ヘッドは、基板の上面に洗浄材料に施すように及び次いで基板を上側すすぎメニスカスに曝すように構成された上側モジュールを含む。上側モジュールは、上側すすぎメニスカス内を洗浄材料に向かって且つ基板の移動方向に反対に実質的に一方向にすすぎ材料を流れさせるように構成されている。下側処理ヘッドは、上側すすぎメニスカスによって基板に加えられる力と釣り合うように基板に下側すすぎメニスカスを施すように構成されている下側モジュールを含む。下側モジュールは、上側処理ヘッドと下側処理ヘッドとの間に基板キャリアが存在しないときに上側処理ヘッドから吐出される洗浄材料を収集及び排出するための排出溝を提供するように構成されている。上側処理ヘッド及び下側処理ヘッドは、複数の上側モジュール及び下側モジュールをそれぞれ含むことができる。 (もっと読む)


【課題】表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】配管22の吹き出し口から外部へ吹き出された水蒸気80は、電子ビーム照射部10の窓14から出力された電子ビームが照射されて水分子が分解され、水素ラジカル、OHラジカル、水素イオン、オゾン等の極めて活性な分子を含む活性水蒸気となる。この活性化された水蒸気80は、モータ31により回転させられている試料台32に載置された処理対象物90の表面に吹き付けられる。 (もっと読む)


【課題】表面処理装置の処理室内に渦流やガス溜りが形成されるのを防止する。
【解決手段】処理容器10の処理室10a内に支持部21を設け、この支持部21にて被処理物9を支持する。処理ガス供給系60によって処理ガスを被処理物9に供給する。排気系70によって、処理室10a内のガスを排出する。排気系70の排気孔71を被処理物9と直交する方向から見て被処理物9(処理領域)を囲むように環状に分布させて設ける。 (もっと読む)


【課題】 構造を簡略化でき、小型・軽量化を図れ、低コスト化を達成でき、また洗浄時の装置の振動を抑制し、均一で効率的な洗浄を可能にする高圧洗浄液噴射式洗浄装置を提供する。
【解決手段】 高圧洗浄液を洗浄対象物xに対し一本の直線状に噴射させて洗浄する多数の噴射ノズル3を備えた高圧洗浄液噴射式洗浄装置1で、多数の噴射ノズル3をノズルホルダー2の下面の長手方向に沿って一定の間隔をあけて配列するとともに、ノズルホルダー2をその両側で支柱13の支持部材14の先端部に対し振り子部材15によりノズルホルダー2の長手方向に揺動可能に支持し、洗浄対象物xをノズルホルダー2の長手方向に直交する方向に搬送しながらノズルホルダー2を長手方向に振り子運動させると同時に、各噴射ノズル3から高圧洗浄液を洗浄対象物xに対し噴射させて洗浄する。 (もっと読む)


【課題】基板を均一に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Wを水平に保持するスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板Wの上面に処理液を供給する処理液ノズル4と、スピンチャックに保持された基板Wの周囲を間隔をあけて取り囲み、当該基板Wの上面周縁部から外方に排出される処理液に抵抗を与えるリング6とを含む。 (もっと読む)


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