【課題】 輸送支持具の固定時間を短縮し、輸送支持具の壁の満足のいく清浄度を保証するために使用される、洗浄ステージ後の、異物、特に分子汚染化合物（ＡＭＣ、ＶＯＣ）および／または湿気の除去を大幅に改善かつ加速する、方法、ならびに輸送支持具用の処理ステーションを提案する。
【解決手段】 基板の運搬および保管のための輸送支持具（１）の処理方法であって、
前記輸送支持具（１）上の処理されるべき表面（１ａ）から異物を除去するために前記処理されるべき表面（１ａ）がその間に準大気圧のガス圧（ＰＳＡ）と赤外線（ＩＲ）との複合作用にさらされる処理ステージを含み、前記赤外線は断続的赤外線であり、材料の温度を最高許容温度を超えない温度設定あたりで維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断／回復されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置のスループットを低減させることなく、キャリアの内部やキャリアに収容された基板の汚損を防止すること。
【解決手段】本発明では、キャリア載置台（６）に載置されたキャリア（３）の蓋（５）を開放し、キャリア（３）に収容された基板（２）を基板処理室（７）へ搬送し、基板処理室（７）で基板（２）の処理を行う基板処理装置（１）及び基板処理方法並びに基板処理プログラムにおいて、キャリア載置台（６）に載置された第１のキャリア（３）に対して処理が行われている場合、第２のキャリア（３）の蓋（５）を閉塞させた状態で第２のキャリア（３）をキャリア載置台（６）に待機させ、その後、所定の条件が満たされたときに第２のキャリア（３）の蓋（５）を開放し、基板（２）の処理を開始することにした。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に生じるパーティクルを低減する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥装置は、半導体基板を収容し、密閉可能なチャンバ２１０と、チャンバ２１０の内部を加熱するヒータ２１２と、チャンバ２１０に二酸化炭素を供給する供給部と、チャンバ２１０から二酸化炭素を排出する排出部と、チャンバ２１０を回転させる回転部２７０と、を備えている。回転部２７０は、チャンバ２１０を水平方向に対して９０°以上１８０°以下回転させる。 （もっと読む）

【課題】基板の検出時間を短縮することができ、このことにより基板の処理のスループットを向上させることができる基板処理システム、基板検出装置および基板検出方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１は、処理前の状態のウエハＷの検出を行う第１の検出部４０と、処理後の状態のウエハＷの検出を行う第２の検出部５０とを備えている。第１の検出部４０は、収納容器８０の各収納部分８２にそれぞれ処理前の状態のウエハＷが収納されているか否かを検出するとともに各収納部分８２に収納された処理前の状態の各ウエハＷの収納状態を検出するようになっている。第２の検出部５０は、収納容器８０の各収納部分８２にそれぞれ処理後の状態のウエハＷが収納されているか否かを一括して検出するようになっている。 （もっと読む）

【課題】 凝固体を形成するための冷却ガスを使用せず、基板を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板Ｗに凝固対象液としての過冷却状態のＤＩＷを供給し、基板Ｗへ着液する衝撃でＤＩＷの凝固体を形成する。これにより、凝固体形成に必要な気体の冷媒を使用する必要がなくなり、気体の冷媒を生成する設備を不要とし、処理時間を短縮し、更にランニングコスト等を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】リブと半導体基板との間の貼り付きを防止し、洗浄液、エッチング液を半導体基板表面にスムーズに流し、均一なエッチングが実現できる方法を提供する。
【解決手段】基板カセットに設けられた複数のリブ１０の間に、単結晶シリコン基板を配置し、基板カセットをエッチング液が収容された槽内に浸漬し、単結晶シリコン基板の表面処理を行う半導体装置の製造方法であって、基板カセットのリブ１０の表面に単結晶シリコン基板との接触面積を低下させる穴部１０１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】隣接基板またはキャリア内壁との間に支持材を入れることにより、基板の貼り付きを容易かつ確実に防止して基板表面の清浄度を保つ。
【解決手段】基板搬送用キャリア１において、複数枚の基板３のうちの隣接基板間およびキャリア内壁面と基板３間に、基板貼り付き防止用の球状の支持部材６が配設されている。この球状の支持部材６は、互いに対向するキャリア側板５の隣接溝部５１間にそれぞれ接続されて、基板３の高さ方向中心部とその上部に対応する上下位置にそれぞれ設けられている。このため、洗浄処理時や乾燥処理時に、キャリア溝ピッチ以上に基板３が反っても、基板３同士の貼り付きやキャリア内壁と基板３との貼り付きが防止される。 （もっと読む）

【課題】基板処理速度を向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、垂直姿勢で水平方向に積層された複数枚の基板Ｗに対して一括して処理を施す基板処理部２と、基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２と基板処理部２との間で複数枚の基板Ｗを一括搬送する主搬送機構３と、フープＦに対して複数枚の基板Ｗを一括して搬出入するとともに、その複数枚の基板Ｗを水平姿勢と垂直姿勢との間で一括して姿勢変換させる搬出入機構４と、移載機構５と、第１および第２水平搬送機構６，７とを備えている。移載機構５は、移載位置Ｐ３において、搬出入機構４との間で基板Ｗを授受し、第１および第２水平搬送機構６，７との間で基板Ｗを授受する。第１および第２水平搬送機構は、それぞれ基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２で、主搬送機構３との間で基板Ｗを授受し、移載位置と基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２との間で基板Ｗを搬送する。 （もっと読む）

【課題】基板を清浄な状態で露光装置に搬入することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにより裏面洗浄された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２により保持されて冷却ユニットＣＰに搬送される。冷却ユニットＣＰにより温度調整された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により保持されて露光装置に搬送される。露光装置により露光処理された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１３により保持されて露光装置から基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送される。 （もっと読む）

【課題】２種類の薬液の混合液を用いて被処理基板から汚染物質を除去する処理にあたり、前記混合液による汚染物質の除去能の低下を抑制することが可能な基板処理装置などを提供する。
【解決手段】
処理槽２１には、被処理基板Ｗを浸漬し処理するための第１の薬液と、加熱されることにより、当該第１の薬液より蒸気圧が高く、被処理基板に対して不活性な物質を生成する第２の薬液と、の混合液が貯溜され、加熱部４１２は、処理槽２１内の混合液を加熱し、第１、第２の薬液供給部４３０、４２０は、混合液に第１、第２の薬液を補充供給する。制御部５は、混合液を第１の温度に加熱して被処理基板Ｗの処理を実行し、処理を行っていない期間中は、当該混合液の温度を第１の温度より高い第２の温度に加熱すると共に、加熱によって蒸発した混合液を補充するために、第１の薬液を補充供給するための制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】 アルカリ成分がオゾン洗浄液に混入することを抑制して、オゾン洗浄能力の低下が抑制できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】 チャック部材で、予めオゾン洗浄槽内のオゾン洗浄液に浸漬していた他の被処理物を保持するに先立ち、搬送アームの一部およびチャック部材に付着したアルカリ成分を洗浄除去して、アルカリ成分がオゾン洗浄液に混入するのを抑制することを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスが小さく、エピタキシャル膜の表面上のヘイズレベルが小さく、より微小サイズのＬＰＤについても検出可能であるエピタキシャルウェーハを提供することができ、さらに、ピット状欠陥の発生が低減されたエピタキシャルウェーハを提供を提供することにある。
【解決手段】シリコン基板上にエピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程（図１(ａ)）後、前記エピタキシャル膜の表面を酸化洗浄する酸化洗浄工程（図１(ｂ)）と、酸化洗浄工程後２４時間以内に、前記エピタキシャル膜の表面を研磨するエピ後研磨工程（図１(ｃ)）とを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】搬送レシピ設定を簡略化することができ、最適な搬送ルートで被処理基板を搬送することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】フープに対するウエハの搬入出を行う搬入出用搬送機構を有する搬入出部と、ウエハに対して所定の処理を行う複数の処理ユニットを有し、これら処理ユニットに対するウエハの搬送を行う主搬送機構を有する処理部と、搬入出部と処理部との間でウエハの受け渡しを行う複数の受け渡しユニットと、搬入出用搬送機構および主搬送機構によるウエハの搬送フローを制御する搬送フロー制御部と、搬入用および搬出用のフープの選択ならびに使用する処理ユニットの選択を行う選択部と、選択部で選択された搬入用および搬出用のフープならびに処理ユニットに応じて、使用する受け渡しユニットを自動的に選択し、ウエハの搬送ルートを自動的に生成する搬送レシピ作成部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】他の基板に優先して処理開始すべき基板と、通常のスケジュールで処理される基板とを並行して処理することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】
処理ブロック１４ａ（１４ｂ）は、基板搬送部１４１ａ、１４１ｂを用いて、基板搬入ブロック１１から搬入された基板Ｗに対し、複数の処理ユニット２にて同種の処理を行い、制御部５は他の基板Ｗよりも処理を優先する優先基板ＷＰが搬送される場合に、複数の処理ユニット２の一部または全部が割り振られた優先処理ユニット２Ｐのうち、次の基板Ｗの搬入が可能になった優先処理ユニット２Ｐに、他の基板Ｗに優先して優先基板ＷＰを搬入して処理を行う。 （もっと読む）

【課題】不具合が発生した場合でも、装置全体を停止することなく基板処理を継続できる可能性の高い基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板処理装置１は、基板Ｗを搬送するための第１、第２の基板搬送機構１４１ａ、１４１ｂと、当該基板搬送機構１４１ａ、１４１ｂの左右両側に各々設けられ、同一の処理が行われる処理ユニットの列Ｕ１〜Ｕ４と、を備えた第１、第２の処理ブロック１４ａ、１４ｂを備えている。処理ユニットの列Ｕ１、Ｕ３及び、他方側の処理ユニットの列Ｕ２、Ｕ４は各々共通化された処理流体の供給系３ａ、３ｂと接続されている。そしていずれかの基板搬送機構１４１ａ、１４１ｂ、処理流体の供給系３ａ、３ｂに不具合が発生すると、健全な基板搬送機構１４１ｂ、１４１ａ、処理流体の供給系３ｂ、３ａが受け持つ処理ユニットの列Ｕ１〜Ｕ４にて基板Ｗを処理する。 （もっと読む）

【課題】ロットの追い越し配置を可能にして処理効率を向上させることができる基板処理装置のスケジュール作成方法を提供する。
【解決手段】計画開始位置ＰＳＰ１〜ＰＳＰ３から、レシピに基づいて各ブロックを配置する。基板待機部ＣＷＳを使用するブロックＢから次のブロックＣまでの間に待機時間が生じる場合には、第２のロットの計画開始位置ＰＳＰ２を時間的に後にずらした調整計画開始位置ＭＳＰ２を求める。制御部は、調整計画開始位置ＭＳＰ２を含む計画開始位置ＰＳＰ１，３の時間的に早いロットの順に、ブロックの配置を開始する。これにより、計画開始位置ＰＳＰ３のままの短時間の処理を行うレシピを採用した第３のロットを、調整計画開始位置ＭＳＰ２の第２のロットよりも時間的に前に配置してスケジュールする追い越しができ、基板処理装置における処理効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上を図ることができる、基板処理装置および基板受渡方法を提供する。
【解決手段】ハンド９の上下面に、それぞれウエハＷを保持するための４つの支持突起２３および４つの挟持部材２４が備えられている。そのため、次の４つの動作ステップ１〜４で、ハンド９によるスピンチャックに対するウエハＷの受け取りおよび受け渡しが達成される。
１．４つの支持突起２３にウエハＷが保持されている状態で、ハンド９がスピンチャックと対向する位置に進出される。
２．スピンチャックに支持されているウエハＷが４つの挟持部材２４により保持されて、スピンチャックから４つの挟持部材２４にウエハＷが受け取られる。
３．４つの挟持部材２４によるウエハＷの受け取りに前後して、４つの支持突起２３からスピンチャックにウエハＷが受け渡される。
４．ハンドがスピンチャックと対向する位置から退避される。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を収容した搬送容器が載置されるロードポートと、搬送容器を保管する容器保管部と、を備えた基板処理装置において、ロードポートにおける搬送容器の受け渡し回数の増大を図ることができ、これにより基板を高いスループットで処理することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】横方向の位置が互いに異なる第１の搬送路１０２Ａ及び第２の搬送路１０２Ｂの各々に沿って、複数枚の基板を収容した搬送容器１０を搬送する第１の搬送装置１０４Ａ及び第２の搬送装置１０４Ｂを利用し、第１の搬送装置１０４Ａにより搬送容器１０の受け渡しが行われる第１のロードポート２１と、この第１のロードポート２１に対して階段状に設けられ、前記第２の搬送装置１０４Ｂにより搬送容器１０の受け渡しが行われる第２のロードポート２２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】樹脂容器の表面およびその内部に含まれる不純物を洗浄する樹脂容器の洗浄方法およびその方法により洗浄された樹脂容器を提供する。
【解決手段】本発明は、樹脂の表面張力の値よりも１０ｍＮ／ｍ以上低い表面張力の値を有する溶剤を用いて、樹脂または樹脂からなる樹脂容器を浸漬洗浄することを特徴とする樹脂容器の洗浄方法である。 （もっと読む）