【課題】処理液を廃棄することなくフィルタに蓄積される気泡を効率よく除去することが可能な処理液供給装置、基板処理装置、気泡の除去方法および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板の処理時には、フィルタ２５０により気泡が除去された処理液が配管Ｌ９，Ｌ１１を通してノズル２８に供給される。気泡の除去時には、バルブｖ５が開放されるとともにバルブｖ２が閉止されることにより、気体を含む処理液がフィルタ２５０から配管Ｌ８を通して気液分離トラップタンク２３０に戻される。気液分離トラップタンク２３０内の上部空間に一定量の気体が蓄積されることにより気液分離トラップタンク２３０内の処理液の液面が予め定められた所定の位置まで低下した場合に、バルブｖ５が閉止されるとともにバルブｖ２が開放される。 （もっと読む）

【課題】高温高圧流体の準備を行う容器の急激な圧力変動を抑え、簡素な手法で液体原料の移送を行うことが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、高温高圧流体により基板Ｗの乾燥を行うための処理容器１と、液体状態の原料を収容する原料収容部３と、高温高圧流体を処理容器１に供給するための供給部２と、を備え、この供給部２は、前記処理容器１及び原料収容部２に接続され、密閉自在な外部容器２１と、この外部容器２１を加熱するための加熱機構２５と、外部容器２１内に設けられ、原料収容部３から原料を受け入れて、加熱機構２５により加熱される外部容器２１の被加熱部に向けて当該原料を落下させるための開孔部２２１が設けられた内部容器２２と、を備え、内部容器２２に原料を受け入れた後、当該原料を前記被加熱部に接触させて得られた高温高圧流体を処理容器１へ供給する。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板９を１枚ずつ処理する枚葉処理装置１、比抵抗がＳＰＭ液の比抵抗よりも大きい目標比抵抗に維持された除電液を貯溜する除電液貯溜部７１、および、基板９に対する減圧乾燥処理を行う基板乾燥部７５を備える。基板処理装置１０では、カートリッジ７３に保持された複数の基板９が、除電液貯溜部７１内の除電液に浸漬され、基板９の両側の主面が全面に亘って除電液に接触する。これにより、基板９が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理、および、基板乾燥部７５による乾燥処理の終了後に、処理液供給部３により基板９の上面９１上にＳＰＭ液が供給されてＳＰＭ処理が行われる。これにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９からＳＰＭ液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板９の損傷を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成の液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、ウエハ２１に対してＳＰＭ液を吐出する吐出機構５０と、吐出機構５０に硫酸を供給する第１液供給機構１２と、吐出機構５０に過酸化水素水を供給する第２液供給機構１４と、を備えている。第１液供給機構１２は、第１温度に加熱された第１の液を保持する一次温調機構３０と、一次温調機構３０に接続された二次温調機構４０と、二次温調機構４０と吐出機構５０を接続する吐出ライン５１と、を有している。二次温調機構４０は、一次温調機構３０の第１循環ライン３３から分岐し、一次温調機構３０に戻る第２循環ライン４１と、第２循環ライン４１に設けられ、第１の液を第１温度よりも高い供給温度に加熱する第２加熱器４２と、を有している。吐出ライン５１は、第２加熱器４２よりも下流側で第２循環ライン４１から切替弁４４を介して分岐している。 （もっと読む）

【課題】処理液中に含まれるナノオーダーの微小なパーティクルを、効率よく除去する。
【解決手段】現像液ノズル１４２に現像液を供給する現像液供給装置１９０は、現像液貯槽２０１と、現像液ノズル１４２との間に設けられた中間貯槽２０３と、現像液に直流電圧を印加する電極２０４と、電極２０４に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニット２０５と、中間貯槽２０３へ洗浄液を供給する洗浄液供給管２１０と、中間貯槽２０３から洗浄液を排出する廃液管２２０と、を有している。電極２０４は、中間貯槽２０３に設けられている。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体を利用して基板を乾燥させる基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法を提供する。
【解決手段】超臨界流体で提供される流体を利用して基板の上の有機溶剤を溶解して前記基板を乾燥させる工程チャンバー２５００と、前記工程チャンバーから排出された前記流体から前記有機溶剤を分離して前記流体を再生する再生ユニット４０００と、を含む基板処理装置である。また、超臨界流体で提供される流体を利用して基板の上の有機溶剤を溶解して前記基板を乾燥させる段階と、前記流体から前記有機溶剤を分離して前記流体を再生する段階と、を含む基板処理方法である。 （もっと読む）

【課題】簡略な装置構成で電解装置への固形物の混入を防止して連続的かつ安定的な運転を実現する硫酸溶液供給システム及び硫酸溶液供給方法を提供する。
【解決手段】硫酸溶液を冷却する冷却器２５、硫酸溶液を電解する電解セル４、バッチ式洗浄機２で使用された硫酸溶液を冷却器２５、電解セル４をこの順に介してバッチ式洗浄機２に戻す電解側循環ラインと、バッチ式洗浄機２で使用された硫酸溶液を冷却器２５を介さずにバッチ式洗浄機２に戻す使用側循環ラインを備え、電解側循環ラインと使用側循環ラインが、バッチ式洗浄機２から排液された硫酸溶液が流れる共通した共通排液ライン１０を有し、共通排液ライン１０の下流側端部にある分岐点１０ａからそれぞれが分岐しており、共通排液ライン１０に固形物を捕捉する洗浄機側フィルタ２１を備える。 （もっと読む）

【課題】 設備コスト、設置場所の縮小を図ることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 基板Ｗに対して剥離処理と洗浄処理を行なう基板処理装置において、導入された空気を窒素ガスと酸素ガスのガス成分に分離して取り出し可能とするガス分離モジュール９と、この分離モジュール９から分離取り出された窒素ガス、酸素ガスをそれぞれ用いたマイクロナノバブル発生装置５、６を設け、各発生装置で発生した微小気泡を剥離部２、洗浄部３にそれぞれ供給する。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板上のＣｕ膜若しくはＣｕ合金膜をウェットエッチングすることによって配線等とする際に、Ｃｕ膜にダメージを与えないように剥離し、なおかつ、Ｃｕ膜の上に堆積させる層との間の接着力を低下させないフォトレジストの剥離液を用いた剥離液リサイクルシステムを提供する。
【解決手段】主剤と極性溶媒と水からなる混合液およびレジスト成分からなる剥離液を繰り返し使用し、剥離液中のレジスト濃度が所定の値に達したら、剥離液の一部を排出管から排出し、新たな剥離液の供給を受けるレジスト剥離装置と、廃液タンクと、廃液タンク中の剥離液を蒸留する蒸留再生装置と、前記分離液中の主剤と極性溶媒の組成比率を調べる成分検査装置と、分離液の主剤と極性溶媒および水の比率が予め決められた比率になるように不足分の主剤と極性溶媒および水を追加して、混合液を調製する調合装置と混合液を貯留する供給タンクを有する。 （もっと読む）

【課題】洗浄装置との間で液体を循環させつつ、該液体の濃度および量を一定の範囲内に維持可能な管理システムを提供する。
【解決手段】アルコールと純水を含む洗浄液が調製される混合槽４および調整槽２０と、混合槽４および調整槽２０にアルコールを供給するアルコール供給手段と、混合槽４および調整槽２０に純水を供給する純水供給手段と、混合槽４と洗浄装置１００との間で洗浄液を循環させる循環手段と、混合槽４内の洗浄液の量を測定する液量測定手段と、洗浄液の成分濃度を測定する濃度測定手段と、液量測定手段の測定結果に基づいて液量調整処理を実行する第一の制御手段と、濃度測定手段の測定結果に基づいて濃度調整処理を実行する第二の制御手段と、必要に応じて調整槽２０の洗浄液を混合槽４へ供給する補充処理を実行する第三の制御手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】洗浄装置との間で液体を循環させつつ、該液体の濃度および量を一定の範囲内に維持可能な管理システムを提供する。
【解決手段】アルコールと純水を含む洗浄液が調製される混合槽４と、混合槽４にアルコールを供給するアルコール供給手段と、混合槽４に純水を供給する純水供給手段と、混合槽４と洗浄装置１００との間で洗浄液を循環させる循環手段と、混合槽４内の洗浄液の量を測定する液量測定手段と、洗浄液の成分濃度を測定する濃度測定手段と、液量測定手段の測定結果に基づいて液量調整処理を実行する第一の制御手段と、濃度測定手段の測定結果に基づいて濃度調整処理を実行する第二の制御手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板処理に伴うパーティクルの再付着を抑制するとともに、基板処理の均一性を向上する。
【解決手段】処理槽内の液面レベルを、処理槽内に保持される基板よりも下の液面レベルに制御し、その処理液を、第１循環手段に備えられた第1吐出部から基板に向けて処理槽内で空中吐出する。そのため、基板は処理槽内に貯留された処理液と接触することがなく、基板処理に使用した後の処理液中に含まれるパーティクルが基板に再付着することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】金属膜が形成された基板においてパターンの倒壊を抑制すること。
【解決手段】水を含むリンス液が、金属膜が形成された基板に供給される（Ｓ２）。その後、水酸基を含まない第１溶剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が第１溶剤に置換される（Ｓ４、Ｓ５）。その後、水酸基を含まない第２溶剤を含み金属を疎水化する疎水化剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が疎水化剤に置換される（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】液相処理をより均一に行うことができる処理装置等を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理装置は底面と、前記底面に連続する側面と、前記側面と連続する第１開口と、前記側面に位置する第２開口と、を有する処理槽と、前記第２開口に設けられた導入部と、前記導入部から前記処理槽内に延び、末端部を有する配管と、前記配管に設けられた複数の吐出孔と、を含み、前記複数の吐出孔は、第１吐出孔と、第２吐出孔と、を含み、前記第２吐出孔は、前記第１吐出孔よりも前記末端部側に配置され、前記第１吐出孔の開口面積は前記第２吐出孔の開口面積より大きい。 （もっと読む）

【課題】処理液の再利用にともなって処理液に析出する不純物の発生を抑制し、基板の処理不良を防止できる。
【解決手段】第３配管３３において第１分岐管４１が接続されている部位４５よりも下流側の位置の部位５１に、第２分岐管４７の上流側の一端が接続されており、第２分岐管４７の下流側は第１回収タンク２３に接続されている。制御部が、開閉弁４３及び開閉弁４９を開にし、開閉弁５３を閉にした状態で、ヒータ３５及び駆動ポンプ３９をＯＮにした後に、ヒータ３５により加熱された処理液は、第３配管３３から第２分岐管４７に流れて、第１回収タンク２３に供給され続ける。このため、加熱された処理液により第１回収タンク２３に貯留された処理液が温められ、処理液の粘性が高くなることもなく、第１回収タンク２３において処理液が滞留することもなく、処理液に不要物が析出するることが抑制される。 （もっと読む）

【課題】イオン注入されたレジストを除去する際に、レジスト生じた好ましくない化学的変化の影響を小さくできる方法、装置および化学物質を提供すること。
【解決手段】実施形態の方法は、炭化材料および有機材料の少なくとも一方を半導体構造から除去する方法であり、超酸種を具備する超酸組成に前記半導体構造を接触させることを具備する。 （もっと読む）

【課題】過硫酸含有硫酸溶液を用いた電子材料の洗浄を廃液を伴うことを短時間かつ効果的に行うことを可能にする。
【解決手段】７０質量％以上の硫酸溶液を電解する電解部１１と、電解部１１で電解されて得られた過硫酸含有硫酸溶液を送液する送りラインと、送りラインで送液される過硫酸含有硫酸溶液が収容される洗浄槽２１と、オゾンを生成するオゾン生成部（オゾン発生器２８）と、オゾン生成部で生成されたオゾンを洗浄槽２１内の過硫酸含有硫酸溶液に供給するオゾン供給部（オゾン供給管２６、バブリングノズル２７）を備える電子材料洗浄装置１を用いて、電解して得られた過硫酸含有硫酸溶液が収容されている洗浄槽に電子材料１００を浸漬して洗浄を行うとともに、洗浄中に洗浄槽２１内の過硫酸含有硫酸溶液にオゾンガスを供給することでオゾンの分解を促し、優れた酸化力を得る。 （もっと読む）

【課題】過硫酸を含む硫酸溶液を洗浄液として、循環利用して電子材料を洗浄する際に、洗浄排液の廃棄と循環とを効果的に選り分けることを可能にする。
【解決手段】過硫酸を含む硫酸溶液を洗浄液として電子材料に供給することにより該電子材料に前記洗浄液を接触させて該電子材料を枚葉式で洗浄し、洗浄排液を系内に循環させ過硫酸を再生して前記洗浄液として再利用する洗浄方法において、前記電子材料ごとの洗浄開始から洗浄終了までの間に、前記洗浄開始から、第１のタイミングまでは、前記洗浄排液を系内に循環させ、前記第１のタイミング後、第２のタイミングまでは、前記洗浄排液を系外に廃棄し、前記第２タイミング後、洗浄終了まで、前記洗浄排液を系内に循環させることで、レジスト濃度の高い時間帯の洗浄排液は系外に廃棄し、それ以外の時間帯の洗浄排液は系内に循環し再利用することが可能になり、効果的な選り分けが可能になる。 （もっと読む）

【課題】処理室内に溜まった処理液の泡を、簡単な設備を用いて効果的に除去する。
【解決手段】吸引口３０ｆ及び排出口３０ｇと、圧縮空気導入口３０ｈとを有し、圧縮空気を圧縮空気導入口３０ｈから排出口３０ｇへ流し、吸引口３０ｆと排出口３０ｇとの間に生じた圧力差により吸引口３０ｆから吸引した物を、圧縮空気と共に排出口３０ｇから排出するエジェクタ３０を用い、処理室２０内に溜まった処理液の泡を、第１の配管３１を介して吸引口３０ｆから吸引し、吸引した処理液の泡を圧縮空気の圧力でつぶして液化し、液化した処理液を圧縮空気と共に排出口３０ｇから第２の配管３２を介して処理室２０内へ吐出する。 （もっと読む）

【課題】処理液の流量変動を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを保持するスピンチャック２と、基板Ｗに処理液を供給する処理液供給ノズル３を備えている。処理液は処理液タンク５に貯留され、処理液タンク５と処理液供給ノズル３との間には処理液供給配管４が設けられている。処理液供給配管４の途中部には、ポンプ６、温調用ヒータ７、フィルタ８が設けられている。分岐部Ｊ１には処理液帰還配管１２が分岐接続され、処理液帰還配管１２は処理液タンク５に導かれている。分岐部Ｊ１よりも下流側の処理液供給配管４には、供給流量調節バルブ９、流量計１０、供給バルブ１１が介装されている。供給流量調節バルブ９と流量計１０との間の分岐部Ｊ２には処理液分岐配管１５が分岐接続され、処理液分岐配管１５にはオリフィス１６が設けられている。 （もっと読む）