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Fターム[5F157DB01]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 最適処理を目的とするもの (4,470) | 洗浄効率向上 (1,298)

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【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、より短時間で効率よく液膜の温度を低下させることのできる技術を提供する。
【解決手段】冷却ガスノズル3のノズル筐体311の外周下部を外側に延伸させて、平板状のフランジ312を形成する。フランジ312の下面312aが基板表面Wfに近接対向配置される。ノズル筐体311の中央下部に設けたガス吐出口30から低温の冷却ガスが吐出されると、冷却ガスは基板表面Wfとフランジ312の下面312aとの間隙空間を基板表面Wfに沿って流れる。基板上の液膜が冷却ガスに触れる時間が長く、またガスの流速が増大するとともに周囲雰囲気の巻き込みに起因するガス温度の上昇が抑えられるので、液膜を効率よく短時間で冷却することができる。 (もっと読む)


【課題】処理液を用いた基板処理を良好に行うことができるとともに、処理時間をより短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wに対して処理液による処理を施す処理チャンバ10と、基板収容器17を保持する収容器保持部4と、収容器保持部4と処理チャンバ10との間で基板Wを搬送するインデクサロボット6、シャトル搬送機構7および主搬送ロボット9を備えている。シャトル搬送機構7が備えられたシャトル搬送空間14の上部には、172nmの波長を中心とする紫外線を照射するランプハウスが設けられている。シャトル搬送機構7によって基板Wを搬送するのと同時に、搬送中の基板Wに紫外線を照射することによって、基板Wに付着している有機物を分解・除去したり、基板W表面に酸化膜を形成する処理を行う。 (もっと読む)


【課題】改善されたイメージ品質を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハ並びにエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの適切な製造方法の提供
【解決手段】丸められたエッジを備えたシリコンウェハのグループを準備する工程、前記シリコンウェハのエッジをポリシングする工程、前記シリコンウェハを洗浄する工程、欠陥及びエッジラフネスに関してシリコンウェハのグループのエッジ領域を調査し、前記シリコンウェハのグループから、10〜80μmの空間波長領域に関して1nm RMSよりも低い表面粗さを有するシリコンウェハを選択する工程、選択されたシリコンウェハを枚葉型エピタキシー反応器中で前処理し、その際、第1の工程で水素雰囲気中で1〜100slmの流量で処理を行い、更に第2の工程でエッチング媒体を0.5〜5slmの流量で前記水素雰囲気に添加し、ガス分配装置を用いて反応室中で分配する工程、前記シリコンウェハをエピタキシャル被覆する工程を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの製造方法 (もっと読む)


【課題】 基板の搬送処理を良好に実行できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 制御部25、45は、それぞれ基板搬送ユニット20、40により実行される搬送処理を制御する。制御部30、50は、それぞれ処理ユニットC00〜C08、および処理ユニットC09〜C15で実行される基板処理を制御する。制御部25、45は、基板の受け渡しと略同期して受け渡された基板情報データ60の処理フローデータに基づいて、次に搬送すべき処理ユニットC00〜C15を決定する。 (もっと読む)


【課題】形成されたパターンに与えるダメージが少ない基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板の表面にドライエア又は不活性ガスの気流にのせた洗浄用の微粒子を基板に衝突させて、前記基板の洗浄を行う洗浄工程と、前記洗浄用の微粒子を除去する除去工程と、を有することを特徴とする基板洗浄方法を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】 オゾンガスと紫外線とを併用する酸化による表面処理方法において、酸化効率を向上させることのできる手段を提供する。
【解決手段】 キセノンガス等の希ガスとオゾンガスとの混合ガスを被処理物に作用させ、その混合ガスに紫外光を照射作用させる。混合ガス中の酸素分子密度を減じることでオゾンガスの分解を促進して、酸化効率を向上させ、原子状酸素を有効に基板表面に到達させる。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハのエッジ部に形成された膜を除去することによりパーティクルの発生を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るの半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ10の表面に熱酸化法又はCVD法により膜を成膜することにより、前記半導体ウエハのエッジ部10aにも前記膜が成膜される工程と、前記半導体ウエハのエッジ部に研磨材12を吹き付けることにより、前記エッジ部に成膜された膜を研磨して除去する工程と、を具備することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板にダメージを与えることなく、レジストを良好に除去することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】SPM液ノズルに対し、170℃以上に温度調節された硫酸と、常温の過酸化水素水とが、1:0.1〜0.35の流量比で供給される。硫酸と過酸化水素水とが混合して生成されたSPM液が、SPM液ノズル3からウエハWの表面に供給される。
【効果】ウエハWの表面上のほぼ全域において、レジストを良好にかつ均一に除去することができる。 (もっと読む)


【課題】間隙空間内を流通する洗浄液の流速にかかわらず、洗浄液に超音波振動を十分に付与して基板表面を良好に洗浄することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板表面Wfに対向して近接部材21の下面211が離間配置される。そして、基板表面Wfと下面211とで挟まれた間隙空間SPに洗浄液が供給されるとともに、近接部材21を介して洗浄液に超音波振動が付与される。また、近接部材21が基板表面Wfに沿って移動するが、基板Wに対する近接部材21の相対移動に応じてノズル31からの洗浄液の吐出流量が変更されて間隙空間SPを流通する洗浄液の流速が変化する。間隙空間SPへの洗浄液の供給は近接部材21の側面212に向けてノズル31から洗浄液を吐出することで側面212から間隙空間SPに洗浄液を回り込ませることで行われる。 (もっと読む)


【課題】処理流体による基板処理の際に、基板表面上で顕著な変化を生じさせ、これにより、処理効率の向上を図ることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ミキシングバルブ4の混合部40には、薬液供給源71〜74からの薬液原液ならびに純水供源からの常温純水および温純水を供給できる。ミキシングバルブ40から、処理液供給路3を介して、処理液ノズル2に処理液が供給され、この処理液が基板Wに供給される。処理液による基板Wの処理中に、薬液導入バルブ41〜44、流量調整バルブ101〜104、純水供給源バルブ51、温純水供給源バルブ52、純水バルブ5などの制御によって、プロセスパラメータに揺らぎが付与される。 (もっと読む)


【課題】パーティクル除去性能を少なくとも低下させることなく、かつ、基板のダメージを低減できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部47は、処理槽1の基板処理環境を大気圧よりも高い加圧環境とするように圧力調整ユニット45を制御し、かつ、純水供給源19から処理槽1内へ供給される純水に気体を溶存させるように気体溶存ユニット25を制御するとともに、処理槽1内に貯留された処理液に超音波振動を付与するように超音波発生部51を制御しているので、処理槽1の基板処理環境が大気圧よりも高い加圧環境とすることができ、大気圧下での気体溶存量よりも多くの気体を純水に溶存させることができ、キャビテーションを和らげるクッションとして作用する溶存気体を増加させることができ、ダメージを低減できるだけでなく、気体溶存量の増加によってパーティクルの除去性能も上がる。 (もっと読む)


【解決手段】半導体ウエハの表面を洗浄するための方法が開示される。ウエハ表面上の汚染物質を除去するために、ウエハ表面に第1の洗浄溶液が適用される。第1の洗浄溶液は、ウエハ表面上の汚染物質の一部とともに除去される。次に、ウエハ表面に酸化剤溶液が適用される。酸化剤溶液は、残る汚染物質上に酸化層を形成する。酸化剤溶液は除去され、次いで、ウエハ表面に第2の洗浄溶液が適用される。第2の洗浄溶液は、ウエハ表面から除去される。この洗浄溶液は、酸化層を残る汚染物質とともに実質的に除去するように構成される。 (もっと読む)


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