Fターム[5F157DB22]の内容
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Fターム[5F157DB22]に分類される特許
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基板処理装置及び基板処理方法
【課題】基板の被処理面の背面に使用済みの処理液等の回り込みを防止する。
【解決手段】基板の被処理面を水平に支持した状態で当該被処理面と平行に回転するテーブルを有し、このテーブルに支持された当該基板Wの被処理面に所定の処理液を供給した後、この処理液を当該基板Wの外周方向に払拭することにより基板処理を行う装置の当該テーブルに、当該基板Wを着脱自在に嵌装するための基板装着部を形成しておく。この基板装着部に嵌装された基板Wをベルヌーイ吸着させるために当該基板Wの被処理面の背面に向けてN2ガス等を噴出供給して、このベルヌーイ吸着により生じる当該基板Wの変位力により、当該処理液の払拭路と当該被処理面の背面を通過した気体の排出路とを遮へいする。
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基板処理装置および基板処理方法
【課題】基板の裏面の任意の領域に液体が回り込む量を調整することで、基板の表面に液体を供給して処理するだけでなく基板の裏面の任意の領域にも液体を供給して処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Wを回転可能に保持する基板保持部11と、制御部100と、制御部100の指令により基板Wの表面Sに処理用の液体を供給する液体供給部18と、基板保持部11と基板Wの裏面Bの間に形成される裏面空間領域32に、制御部100の指令により不活性ガスを吐き出す吐出ガス供給系15と、制御部100の指令により裏面空間領域32内の空間圧力を制御するエアー吸引系16を備える。
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スリットノズルおよび基板処理装置
【課題】液膜の幅を安定させることができるスリットノズルおよびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スリットノズル11は、長手方向X1に延びるスリット状の吐出口54が形成された吐出部45と、吐出口54の長手方向X1の両端にそれぞれ配置された一対のガイド部46とを含む。一対のガイド部46は、長手方向X1に間隔を空けて対向する一対のガイド面66をそれぞれ含む。一対のガイド部46のそれぞれには、ガイド面66より凹んだ凹部68が形成されている。
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基板処理装置および基板処理方法
【課題】処理槽に貯留される処理液から基板を直立姿勢で当該処理槽に貯留される処理液の液面より鉛直方向の上方の待機位置まで引き上げる際に、基板を自然乾燥させることなく、基板に付着している処理液の量を効率的に削減する。
【解決手段】処理槽1内でのリンス処理が完了した後に待機位置WPで置換処理を行うために、単に基板Wを待機位置WPに引き上げるのではなく、その引き上げ処理中にリンス処理で使用した処理液と同じ成分の蒸気、つまりDIW蒸気が基板Wに対して水平方向よりも下方向きに向けて供給される。このため、DIW蒸気の動圧によって基板Wに付着しているDIWが下方へ押し流されて基板Wに残存するDIW量が低下する。また、基板WのうちDIW蒸気供給を直接受ける領域では水蒸気の凝集によってDIWの凝集膜が形成されて当該表面領域の自然乾燥が防止される。
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基板処理装置および基板処理方法
【課題】基板のダメージを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Wを水平に保持するスピンチャックと、基板Wの上面内の噴射領域T1に吹き付けられる処理液の液滴を生成する液滴ノズル5と、基板Wを保護する保護液を基板Wの上面に向けて吐出する保護液ノズル6とを含む。保護液ノズル6は、保護液が基板Wの上面に沿って噴射領域T1の方に流れるように基板Wの上面に対して斜めに保護液を吐出し、噴射領域T1が保護液の液膜で覆われている状態で処理液の液滴を噴射領域T1に衝突させる。
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基板処理装置および基板処理装置の清掃装置
【課題】 処理液による処理中の基板への処理液の飛沫の付着を防止して清浄に保つことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 気体吐出ノズル11は中心に開口11gを有する円環状で、本体11aの外側の側面11bには上下2列に並んだ多数の外側気体吐出穴11cが、開口11gの側面11dには1列に並んだ多数の内側気体吐出穴11eが形成される。処理中に、基板Wは外側気体吐出穴11c、内側気体吐出穴11eからの気体により覆われて液の飛沫が付着することがない。
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液処理装置及び液処理方法
【課題】複数の処理液供給部を基板の裏面側に配置することが可能な液処理装置、及びこの液処理装置における液処理方法を提供する。
【解決手段】基板の裏面周縁を支持し、前記基板を回転する基板支持部材と、前記基板支持部材により支持される前記基板の一方の面に対して処理を行う少なくとも2つの処理部と、前記基板支持部により支持される基板の中心に対応する位置に配置され、第1の回転軸の周りを回転する第1の回転部と、前記第1の回転部から第1の方向に離間して配置され、前記第1の回転軸と平行な第2の回転軸の周りを回転する第2の回転部とを備える液処理装置が提供される。少なくとも前記第1の回転部の回転により、前記少なくとも2つの処理部が前記第1の方向に沿って互いに平行に、且つ前記第1の方向と直交する第2の方向に移動できるように前記第1の回転部及び前記第2の回転部に取り付けられる。
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基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体
【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置1は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する2つの基板保持手段(吸着パッド2、スピンチャック3)を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材(ブラシ5)は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、2つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。
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被噴射体噴射装置及び被噴射体噴射方法
【課題】基板に形成されたレジストを除去する際のレジストの残渣の発生を抑える一方で、基板を洗浄する際の洗浄能力の低下を図る。
【解決手段】被噴射体噴射装置は、回転軸41を有し、回転軸41の回転によって基板を回転させるスピンナー40と、基板に相対する位置であってスピンナー40の回転軸41からずれて配置され、被噴射体を噴射するノズル24及びノズル25と、を備え、スピンナー40の回転軸41の方向に見て、ノズル24の噴射口24Aがスピンナー40の回転軸41が回転する向きと向き合っており、ノズル25の噴射口25Aが第一ノズル24の噴射口24Aの向きとは逆向きである。
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液処理装置および液処理方法
【課題】基板の処理対象面を下向きにして基板を処理する際に、基板下面に付着した純水をIPAに効率よく置換すること。
【解決手段】基板処理方法は、処理対象面が下面となるように基板Wを保持して回転させる工程と、基板の下面にDIW(純水)を供給して基板にリンス処理を施す工程と、その後、基板の下面にIPA(イソプロピルアルコール)とN2ガスとを含むミストを供給してDIWをIPAで置換する工程と、を備える。ミストの供給は、基板の中心部に対向する位置と基板の周縁部に対向する位置の間に配列された複数の吐出口62を有する、基板の下方に設けられたノズル60により行われる。
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エッチング装置及びエッチング方法
【課題】エッチングエンドのタイミングを確実に判別し、エッチングに必要な薬液の使用量を低減する。
【解決手段】エッチング室の入口から導入された処理基板を傾斜した状態で搬送する送りローラと、エッチング室内において送りローラによって搬送される処理基板に向けてエッチングに必要な薬液を吐出する吐出ノズルと、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜上方に位置する一端部に対向する第1センサ、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜下方に位置する他端部に対向する第2センサ、エッチング室内の出口側に設けられ処理基板の一端部と他端部との間の中央部に対向する第3センサを含むセンサ群と、センサ群に含まれる第1乃至第3センサの各々からの出力信号に基づいてエッチングエンドを判別する演算装置と、を備えたエッチング装置。
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基板処理方法および基板処理装置
【課題】基板の表面からリンス液を良好に除去することができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハWの表面に純水が供給され、ウエハWの表面に対するリンス処理(ウエハWの表面を純水で洗い流す処理)が行われた後、純水よりも表面張力の低いIPA液がウエハWの表面に供給される。また、IPA液の供給と並行して、ウエハWの表面と反対側の裏面に温水が供給される。
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液処理装置および液処理方法
【課題】基板の下面を効率良く洗浄することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置(10)は、基板保持機構に保持された基板(W)の下面の下方に位置して基板の下面に処理液を吐出するノズル(60)を備える。ノズルは基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間に配列された複数の第1の吐出口(61)を有している。第1吐出口は、基板の下面に向けて吐出される処理液の吐出方向が基板の回転方向の成分を持つように形成されている。
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液処理装置および液処理方法
【課題】基板の乾燥後にリフトピンに処理液が残ることを防止することができ、かつ、基板の下面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板(W)の周縁を保持する保持プレート(30)と、基板を下方から支持するリフトピン(22)を有するリフトピンプレート(20)と、保持プレートを回転させる回転駆動部(39)と、保持プレートおよびリフトピンプレートの貫通穴を通る処理流体供給管(40)と、基板の下面に処理流体を吐出するノズル(60)と、処理流体供給管、ノズルおよびリフトピンプレートを連動させて昇降させる昇降機構(44,46,50,52)を備える。ノズルは、基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間に配列されている複数の吐出口(61)を有する。
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スピンナ洗浄装置
【課題】チャンバー内のダクトから遠い位置にあるミストもダクト側に運ぶことができ、従来よりも効率よくチャンバー内を排気する。
【解決手段】チャンバー40内の保持テーブル10上にワークWを保持し、保持テーブル10を回転させた状態でワークWの上面に洗浄水Cを供給するスピンナ洗浄装置において、保持テーブル10の外周側面12に形成した複数の羽13によって保持テーブル10の外周周囲に該外周周囲に沿った空気の流れを発生させ、この空気の流れによってチャンバー40内におけるダクト50の反対側のミストもダクト50側に導く。
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液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
【課題】処理液により処理した後、基板をリンス処理する際に、処理液が基板に残留することを防止でき、処理時間を短縮できる液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理液により処理する液処理装置10において、基板を保持する基板保持部30、40と、基板保持部30、40に保持されている基板に処理液を供給する処理液供給部70と、基板にリンス液を供給するリンス液供給部80と、基板のみが吸収する波長領域の光を発光し、発光した光を基板に照射する発光素子112とを有する。
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エッチング装置および半導体基板の水洗方法
【課題】ウェットエッチング装置のリンス用純水の使用量を削減し、処理能力を高める。
【解決手段】半導体基板2を化学薬液処理にてエッチングし水洗するウェットエッチング装置1において、前記半導体基板に化学薬液処理を行う薬液槽4と、前記半導体基板に付着した前記薬液を希釈・除去する粗水洗槽5と、該粗水洗槽処理後に、前記半導体基板に残留・付着した前記薬液を純水に置換させるQDR(クイックダンプリンス)槽6と、を備えたウェットエッチング装置とする。
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シリコンからなる半導体ウェハを半導体ウェハの研磨のプロセス直後に洗浄するための方法
【課題】化学機械研磨のプロセス後、シリコンからなる半導体ウェハから研磨された表面および裏面の研磨プロセスの残渣を取除く。
【解決手段】シリコンからなる半導体ウェハを半導体ウェハの化学機械研磨のプロセス直後に洗浄するための方法であって、a)半導体ウェハを研磨板から第1の洗浄モジュールに搬送し、搬送中、半導体ウェハの両側面に、少なくとも1回、1000Pa以下の圧力で水を吹付ける工程と、b)回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、c)半導体ウェハの側面に、70000Pa以下の圧力でフッ化水素および界面活性剤を含有する水溶液を吹付ける工程と、d)半導体ウェハの側面に、20000Pa以下の圧力で水を吹付ける工程と、e)半導体ウェハをアルカリ性洗浄水溶液に浸漬する工程と、f)回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、g)半導体ウェハに水を吹付ける工程と、h)半導体ウェハを乾燥する工程とを、示す順に含む方法。
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ウェーハの洗浄方法
【課題】エッチング後のウェーハにおいて、残留エッチング液による再反応を、コストを増大することなくかつ簡便に抑制できるウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウェーハWを浸漬可能なリンス槽31に満たされた洗浄液Lの液面L1より上方に上方ノズル34を設け、ウェーハWを立てた状態で洗浄液Lに浸漬し、上方ノズル34からリンス槽31の底部に向かって噴射液Fを噴射して、空気を巻き込みながら噴射液Fをリンス槽31内に導入することでウェーハWを洗浄する。
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基板処理装置および基板処理方法
【課題】処理液消費量の低減を実現できるとともに、基板の広範囲に処理液を行き渡らせることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ノズル3の対向面23には吐出口26が形成されている。対向面23を、水平姿勢のウエハW表面に微小間隔Sを隔てて対向配置させる。ウエハWの回転開始後、ウエハW表面の対向領域A1と対向面23との間の空間にDIWを供給し、当該空間を液密状態とするとともにDIWの供給を停止して、当該空間にDIWの液溜まりDLを形成する。液溜まりDLの形成後、吐出口26からDIWが吐出される。ウエハWの表面にDIWの液膜が形成された後、吐出口26からDIWに代えて薬液が吐出される。ウエハWの表面を覆う液膜が、DIWから薬液へと置換される。
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