【課題】カスケード方式の洗浄装置における菌体の繁殖を簡易な手段で防止することができ、被洗浄物の洗浄効率を向上させることができる洗浄装置及び方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１がローラー２で搬送され、ジェット洗浄ノズル３及び最終リンスノズル４で洗浄される。最終リンスノズル４に純水が供給される。最終リンスノズル４からの洗浄排水がタンク７に流入し、ポンプ９からノズル３に供給される。タンク７内の菌体数が増加した場合、タンク７内の水をオゾン水供給装置１２に循環通水し、タンク７内にオゾン水を供給し、殺菌する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理方法においては、まず、基板Ｗが薬液処理される。次に、基板Ｗにリンス液が供給されてリンス処理工程が行われる。その後、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗを乾燥する乾燥処理工程が行われる。乾燥処理工程は、基板Ｗを第１回転数で回転させながら基板Ｗへ乾燥液を供給する第１乾燥処理工程と、第１乾燥処理工程の後、基板に乾燥液を供給しながら基板を第１回転数より低い第２回転数へ減速させる第２乾燥処理工程とを有する。第２乾燥処理工程において、基板Ｗ上のリンス液および乾燥液に対してブレーキをかけた状態とし、リンス液と乾燥液を撹拌して置換させる。第２乾燥処理工程の後、第３乾燥工程において基板に乾燥液を供給しながら基板の回転数を第２回転数から第３回転数まで上げ、その後第４乾燥工程において基板を回転させて、基板上の乾燥液を振り切る。 （もっと読む）

【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】混合すると反応熱を生じる第１処理液と第２処理液の混合液を用いて基板を処理するにあたって、基板温度の面内均一性を高めることができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板の中心領域に向けて第１および第２処理液を供給する第１供給部（３２、２００）と、中心領域を取り囲む環状の周縁領域に向けて第１および第２処理液を供給する第２供給部（１２０，１３０）とを備えている。第１供給部および第２供給部にはそれぞれ、第１処理液を供給する第１処理液供給管と第２処理液を供給する第２処理液供給管が接続されている。第１供給部は、第１および第２処理液との混合液を基板の中心領域に向けて吐出するように構成された中心部吐出口を有しており、第２供給部は、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第１処理液を吐出する複数の第１吐出口と、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第２処理液を吐出する複数の第２吐出口とを有している。 （もっと読む）

【課題】研削装置のチャックテーブルに保持されていた円形板状ワークの被保持面側が保持部材によって保持されている場合において、被保持面のうち保持部材によって保持されている部分も洗浄できるようにする。
【解決手段】洗浄部材６２１に、搬出手段が保持した円形板状ワークの被保持面Ｔを接触させ、洗浄手段を構成する回転防止部材８２を上昇させ被保持面Ｔに接触させて洗浄部材６２１の回転動作によって被保持面Ｔのうち回転防止部材８２が接触している箇所以外の部分を洗浄し、その後、回転防止部材８２を下降させて、被保持面Ｔのうち回転防止部材８２が接触していた部分を露出させ、洗浄部材６２１を所定角度回転させることによって円形板状ワークが当該所定角度と同じ角度回転した後、再び回転防止部材８２を上昇させ被保持面Ｔに接触させて洗浄部材６２１の回転動作によって被保持面Ｔの未洗浄部分を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面をＩＰＡなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、乾燥処理の効率化を図る。
【解決手段】遮断部材９０と基板表面Ｗｆとの間に形成される間隙空間ＳＰに環状気体吐出口９９ａから低露点空気を供給しつつ溶剤吐出口９７ａから低表面張力溶剤を吐出させて基板表面Ｗｆの処理液を低表面張力溶剤で置換するのに続いて、溶剤吐出口９７ａからの低表面張力溶剤の吐出を停止させるとともに、環状気体吐出口９９ａから間隙空間ＳＰへの低露点空気の供給を継続させたまま、基板Ｗの表面中央部に向けて中央気体吐出口９８ａから乾燥用ガスを吹きつけ、さらに基板Ｗを高速回転させて低表面張力溶剤を基板表面Ｗｆから除去して該基板表面Ｗｆを乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】基板の乾燥処理時に基板から液滴を迅速かつ良好に滴下させて、基板処理装置のスループットを向上させるとともに、基板を良好に乾燥させること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、処理液で基板（６）の液処理を行う液処理槽（７）と、前記液処理槽（７）の上方に設けられ、前記基板（６）の乾燥処理を行う乾燥処理槽（２２）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間に設けられ、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）とを遮蔽可能な遮蔽扉（３３）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間で前記基板（６）の搬送を行う基板搬送手段（５）と、前記液処理を行った前記基板（６）から液滴を除去するために前記基板（６）の外周縁部に対して相対的に接離可能に設けた液滴除去部材（４６）とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも基板の熱洗浄によって表面の不純物および酸化物の除去が可能な程度に表面が清浄なＧａＡｓ半導体基板を提供する。
【解決手段】 本ＧａＡｓ半導体基板１０は、Ｘ線光電子分光法により、光電子取り出し角θが１０°の条件で測定されるＧａ原子およびＡｓ原子の３ｄ電子スペクトルを用いて算出される、ＧａＡｓ半導体基板１０の表面層１０ａにおける全Ａｓ原子に対する全Ｇａ原子の構成原子比Ｇａ／Ａｓが０．５以上０．９以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＡｓ原子の比（Ａｓ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＧａ原子の比（Ｇａ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下である。 （もっと読む）

【課題】処理液の補充による処理液の濃度増加を防止すること。
【解決手段】本発明では、薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって処理液の濃度を設定温度における飽和濃度とし、処理液に基板を浸漬させて基板の処理を行う基板処理装置(1)において、基板(10)を処理液で処理する処理槽(2)と、処理槽(2)に貯留した処理液を設定温度に加熱する処理液加熱手段(5)と、処理槽(2)から処理液を排出する処理液排出手段(6)と、処理槽(2)に処理液を補充する処理液補充手段(7)と、設定温度を変更する設定温度変更手段(8)と、処理液排出手段(6)と処理液補充手段(7)を制御する制御手段(9)とを有し、制御手段(9)は、処理液排出手段(6)で所定量の処理液を処理槽(2)から排出し、設定温度変更手段(8)で変更された設定温度における飽和濃度となる濃度の処理液を処理液補充手段(7)から処理槽(2)に補充するよう制御することにした。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の均一な洗浄が行え、かつダメージを低減できる超音波洗浄装置を実現すること。
【解決手段】超音波洗浄装置は、被洗浄物８を洗浄液７で浸した洗浄槽２と、前記洗浄槽２の底面に配置され、前記洗浄液７を振動させる複数の超音波振動素子３０２と、前記素子毎の共振周波数を記憶するメモリ部４０９と、発振周波数を切り替え可能な発振部４０２と、前記素子３０２をランダムに切り替えて、前記メモリ部４０９に記憶された素子毎の共振周波数に基づいて前記発振部４０２を制御し、前記素子に高周波電力を供給する制御部４０１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面にウォーターマークが残ることを防止しつつ、洗浄装置の省スペース化に寄与することができる基板の洗浄方法及び、基板の洗浄装置を提供する。
【解決手段】まず、ウェハーをフッ酸槽４に運び、このフッ酸槽４内でＨＦ溶液によるウェットエッチングを行ってウェハーのシリコン表面を露出させる。次に、ウェハーを純水リンス槽５に運び、この純水リンス槽５内でウェハーをリンスする。そして、ウェハーを乾燥装置６に運び、この乾燥装置６内でウェハーを乾燥させる。このように、ＨＦ溶液によるエッチングと、リンスとを行った後で、ウェハーを一旦乾燥させる。次に、ウェハーをアルカリ槽２に運び、このアルカリ槽２内でウェハーをアルカリ洗浄して、シリコン表面に薄いケミカル酸化膜を形成する。その後、ウェハーを純水リンス槽３に運び、純水リンス槽３内でウェハーをリンスする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に付着する付着物を効率良く除去する。
【解決手段】氷体５３２がＤＩＷの液膜ＬＦを介して基板Ｗの表面Ｗｆに近接した状態で０℃よりも低い温度に冷却された窒素ガスが氷体５３２の下面の外周縁近傍に供給され、基板Ｗの表面Ｗｆと氷体５３２とに挟まれるＤＩＷが凝固して凝固領域ＦＲが形成される。これによって、凝固領域ＦＲでは、氷結の形成による体積膨脹によって基板Ｗの表面Ｗｆに対するパーティクルＰＴなどの付着物の付着力が弱まるとともに、付着物が凝固領域ＦＲに取り込まれる。そして、凍結ヘッド５３が基板Ｗに対して相対移動することで凝固領域ＦＲが基板Ｗの表面Ｗｆから剥離され、パーティクルＰＴも一緒に基板Ｗの表面Ｗｆから除去される。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＭ処理の際に、基板上における処理液の温度低下を抑制する。
【解決手段】基板処理装置１では、基板回転機構５により回転する基板９の上面９１に向けて処理液供給部３から液体が吐出される。処理液供給部３は、硫酸供給部３１、過酸化水素水供給部３２、混合液生成部３３およびノズル３４を備える。基板処理装置１では、硫酸供給部３１により加熱された硫酸がノズル３４から基板９に供給され、基板９に対する予備加熱処理が行われる。その後、硫酸供給部３１からの加熱された硫酸と過酸化水素水供給部３２からの過酸化水素水とが混合液生成部３３にて混合されてＳＰＭ液が生成され、ＳＰＭ液が基板９に供給されてＳＰＭ処理が行われる。予備加熱処理が行われることにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９上に供給された高温のＳＰＭ液の温度低下を抑制することができる。その結果、ＳＰＭ処理の効率を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面の任意の領域に液体が回り込む量を調整することで、基板の表面に液体を供給して処理するだけでなく基板の裏面の任意の領域にも液体を供給して処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗを回転可能に保持する基板保持部１１と、制御部１００と、制御部１００の指令により基板Ｗの表面Ｓに処理用の液体を供給する液体供給部１８と、基板保持部１１と基板Ｗの裏面Ｂの間に形成される裏面空間領域３２に、制御部１００の指令により不活性ガスを吐き出す吐出ガス供給系１５と、制御部１００の指令により裏面空間領域３２内の空間圧力を制御するエアー吸引系１６を備える。 （もっと読む）

【課題】コストの増加を抑制しながら、基板の主面全域を覆う液膜を速やかに形成でき、それによって、基板処理の品質を向上できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを保持して回転させる基板保持回転機構２，３と、基板Ｗの主面に向けて処理液を吐出する処理液ノズル１１を有する処理液供給機構４と、基板Ｗの主面の全域を覆う液膜を形成するのに十分な量の処理液を貯留する処理液溜まり５と、処理液溜まり５に貯留された処理液を一気に基板Ｗの主面に供給することにより、基板Ｗの主面の全域を覆う液膜を形成する液膜形成ユニット６と、制御ユニット７とを含む。制御ユニット７は、基板Ｗの主面の全域を覆う液膜を形成させた後に、処理液ノズル１１から基板Ｗの主面に向けて処理液を吐出させる。 （もっと読む）

【課題】液膜の幅を安定させることができるスリットノズルおよびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スリットノズル１１は、長手方向Ｘ１に延びるスリット状の吐出口５４が形成された吐出部４５と、吐出口５４の長手方向Ｘ１の両端にそれぞれ配置された一対のガイド部４６とを含む。一対のガイド部４６は、長手方向Ｘ１に間隔を空けて対向する一対のガイド面６６をそれぞれ含む。一対のガイド部４６のそれぞれには、ガイド面６６より凹んだ凹部６８が形成されている。 （もっと読む）