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Fターム[5F157DB43]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 最適処理を目的とするもの (4,470) | 大型(大面積)基板への対応 (83)

Fターム[5F157DB43]に分類される特許

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【課題】カスケード方式の洗浄装置における菌体の繁殖を簡易な手段で防止することができ、被洗浄物の洗浄効率を向上させることができる洗浄装置及び方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板1がローラー2で搬送され、ジェット洗浄ノズル3及び最終リンスノズル4で洗浄される。最終リンスノズル4に純水が供給される。最終リンスノズル4からの洗浄排水がタンク7に流入し、ポンプ9からノズル3に供給される。タンク7内の菌体数が増加した場合、タンク7内の水をオゾン水供給装置12に循環通水し、タンク7内にオゾン水を供給し、殺菌する。 (もっと読む)


【課題】 基板の搬送速度を変更した場合においても、基板を均一に処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板100を水平方向に搬送する搬送ローラ9と、処理液吐出口21が形成され、この処理液吐出口21とガラス基板100の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル2と、処理液保持面31を備え、処理液吐出口21と処理液保持面31との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材3と、ガラス基板100の表面に供給された処理液がガラス基板100の搬送方向に対して上流側に流出することを防止するためのエアナイフ5と、ガラス基板100の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部4とを備える。 (もっと読む)


【課題】複数の大きさの基板を処理可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、任意の大きさの基板Wを水平に支持するセンターチャック13と、上向きの環状面57をそれぞれ有する複数のリング5とを含む。複数のリング5は、環状面57の内周縁の長さがそれぞれ異なる複数のサイズ調整リングを含み、内周縁がセンターチャック13に支持されている基板Wの周縁部に近接した状態で、環状面57が基板Wを水平に取り囲むように、複数のリング5のいずれか一つが、センターチャック13に支持されている基板Wの周囲に配置される。 (もっと読む)


【課題】被洗浄基板へのダメージの発生を抑えることができ、また、エレクトロニクス産業等で使用される高精密度の基板等に対して高清浄度の洗浄を行うことが可能な超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法を提供すること。
【解決手段】被洗浄物を超音波振動子の振動面から延びた垂線の液面までの成す領域(超音波照射領域)外の洗浄液の液面下の近傍に位置するように保持して、超音波によって洗浄液の表面に表面張力波を励起させ、被洗浄物に超音波を直接照射することなしに、表面張力波による音圧によって被洗浄物の微粒子汚染物を剥離するようにして、被洗浄基板へのダメージの発生を抑える。 (もっと読む)


【課題】基板の主面への処理液の飛散を抑制しつつ基板の端面を局所的に処理できる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置100は、硬脆性基板の一種であるガラス基板(基板90)の側端面91Sをエッチングする。基板処理装置100は、その外周面が基板90の側端面91に当接される当接面を形成するスポンジ体213(当接部材)と、スポンジ体213を回転させるスポンジ体回転駆動部240(回転駆動部)と、スポンジ体213に処理液を供給する処理液供給管251(処理液供給部)とを備える。搬送ローラー31により+y方向に搬送される基板90の側端面91Sに対して、z軸回りに回転するスポンジ体213の外周面が押し当てられることにより、基板90の側端面91Sのエッチングが行われる。 (もっと読む)


【課題】処理ガスをプラズマ生成空間及び吹出路に通して吹出し、被処理物を表面処理する際、吹出路からの電界の漏洩を防止する。
【解決手段】プラズマ生成部10の一対の電極11,12を対向方向に対向させ、これらの間にプラズマ生成空間19を形成する。ノズル部20を電気的に接地された金属製の角材21,22にて構成し、これをプラズマ生成部10の処理位置Pを向く面に配置する。連結部材31,32にてノズル部20をプラズマ生成部10に連結して支持する。吹出路29の吹出方向の長さをノズル部20の吹出路29を画成する面から上記対向方向の外側面までの寸法より大きくか略等しくする。 (もっと読む)


【課題】 基板を均一に処理することが可能な基板処理装置および搬送ローラを提供する。
【解決手段】 搬送ローラ1は、駆動軸3と、複数のローラ部2とから成る。そして、複数のローラ部2は、各々、同一形状を成す3個のローラ部材2a、2b、2cから構成される。これらのローラ部材2a、2b、2cには、その表面が駆動軸3を中心とする円上に配置されたガラス基板との当接領域と、その表面が円より駆動軸3の軸心側に配置されたガラス基板との非当接領域とが形成されている。この当接領域は、円の円周全域の1/3をわずかに越えている。 (もっと読む)


【課題】予備のNFを用いることによって、フッ素セルのオンサイトでの使用の困難性を克服して、安全で、連続的に、規制を遵守する方法でフッ素を与える。
【解決手段】次の工程を有する反応チャンバーの洗浄方法:
(a)目的の基材に材料を堆積させるための反応チャンバーを与える工程;
(b)上記反応チャンバーの内部で、上記目的の基材に上記材料を堆積させる工程;
(c)上記堆積を周期的に中断する工程;
(d)上記反応チャンバーの内部と、フッ素及び窒素の混合物とを接触させて、上記反応チャンバーの上記内部を洗浄する工程;及び
(e)上記フッ素及び窒素の混合物が使用できない場合に、切り替えを行って、上記反応チャンバーの内部と三フッ化窒素とを接触させる工程。 (もっと読む)


【課題】剥離処理により被処理基板と支持基板の剥離処理を行う際に発生するパーティクルが、当該剥離装置の外部に拡散することを抑制する。
【解決手段】剥離システム1は、被処理ウェハW、支持ウェハS又は重合ウェハTを搬入出する搬入出ステーション2と、被処理ウェハW、支持ウェハS及び重合ウェハTに所定の処理を行う剥離処理ステーション3と、搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3との間に設けられた搬送ステーション7とを有している。剥離処理ステーション3は、重合ウェハTを剥離する剥離装置30と、第1の洗浄装置31と、第2の洗浄装置33とを有している。搬送ステーション7内の圧力は、剥離装置30内の圧力、第1の洗浄装置31内の圧力及び第2の洗浄装置33内の圧力に対して陽圧である。 (もっと読む)


【課題】 基板面内や基板間の処理のバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理基板1が収容される槽TKと、処理槽TK内に液体、気体、又は液体と気体との両方を送り出す送出機構TB、Aと、処理基板1に対して、液体、気体、又は気体と液体との両方が槽TK内へ送り出される位置と対向する位置から槽TK内の液体、気体、又は気体と液体との両方を排出する排出手段10、20、30、40と、を備えた基板処理装置。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置のステージ電極の表面が損傷したとき、上記表面部分だけを容易に交換できるようにする。
【解決手段】ステージ電極20を電極本体21と電極板22とに分割する。電極本体21の周端面21eと電極板22の周端面22eとは互いに面一になっている。ステージ電極20の外周に沿って複数の枠部材30を設ける。これら枠部材30を進退機構5によって退避位置と進出位置との間で進退させる。枠部材30を進出位置に位置させると、枠部材30の位置決め面33が上記周端面21e,22eに当接し、電極板22が位置決めされる。また、枠部材30の段差31によって被処理物9が位置決めされる。 (もっと読む)


【課題】 乾燥すべき基板が大サイズとなった場合においても、装置コストや可動コストを低減しながら基板を確実に乾燥させることが可能な乾燥装置を提供する。
【解決手段】 乾燥ゾーン21を有するチャンバー24と、乾燥ゾーン21内において複数の基板100を上下方向に多段状に支持する支持ピン32と、チャンバーにおける搬入・搬出領域に配設された整流板41と、乾燥ゾーン21における整流板41とは逆側に配設された複数の排気口を有する仕切板47と、均圧ゾーン22と、均圧ゾーン22を介して整流板41における排気口から排気を行うための排気管26とを備える。 (もっと読む)


【課題】 乾燥すべき基板が大サイズとなった場合においても、装置コストや稼働コストを低減しながら基板を確実に乾燥させることができ、また、装置のメンテナンスを容易に実行することが可能な乾燥装置を提供する。
【解決手段】 移動支持部を構成する整流板41と接続する一対の仕切板47に連結された10本の支持棒31およびその支持棒31に配設された支持ピン32を、一対のスライドレール71の作用により、メンテナンス位置に移動させる。そして、扉部62を側壁61から取り外すことにより、オペレータがメンテナンス空間にアクセスすることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】マイクロ波の損失を極力低減し、高密度プラズマを効率良く生成できるプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】プラズマ生成装置100は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置21と、マイクロ波発生装置21に接続され、マイクロ波の伝送方向に長尺をなすとともに、該伝送方向に直交する方向の断面が矩形をした中空状の矩形導波管22と、矩形導波管22に接続されてその内部へ処理ガスを供給するガス供給装置23と、矩形導波管22の一部分であって、内部で生成したプラズマを外部で放出するアンテナ部40とを備えている。アンテナ部40は、その断面において短辺をなす壁40aに1又は複数のスロット孔41を有しており、大気圧状態の矩形導波管22内に供給された処理ガスをマイクロ波によってプラズマ化し、スロット孔41から外部の被処理体へ向けて放出する。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、再現性に優れたプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットTにおいて、螺旋形の導体棒3が石英管4の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック5が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒3に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材2に照射する。真鍮ブロック5は開口部12を先端として先細形状に構成され、放射光の光軸43が真鍮ブロック5によって遮られない位置に、基材2の表面温度を測定するための放射温度計受光部42が配置されている。 (もっと読む)


【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させる。
【解決手段】剥離システム1は、剥離処理ステーション3に対して、被処理ウェハW、支持ウェハS又は重合ウェハTを搬入出する搬入出ステーション2と、被処理ウェハW、支持ウェハS及び重合ウェハTに所定の処理を行う剥離処理ステーション3と、搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3との間で、被処理ウェハW、支持ウェハS又は重合ウェハTを搬送する第1の搬送装置20とを有している。剥離処理ステーション3は、重合ウェハTを被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する剥離装置30と、剥離装置30で剥離された被処理ウェハWを洗浄する第1の洗浄装置31と、剥離装置30で剥離された支持ウェハSを洗浄する第2の洗浄装置33とを有している。 (もっと読む)


【課題】基板の中心と回転中心とを一致させ基板を処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理部と、前記被処理基板の側面に接触させ、前記被処理基板の位置を定める位置決め機構部と、前記位置決め機構部を駆動する位置決め駆動部と、前記位置決め機構部の位置を検出する検出部と、前記被処理基板の基準となる基準基板に対する前記位置決め機構部の位置を基準位置情報として記憶する記憶部と、前記基準位置情報と前記検出部において検出された前記位置決め機構部の位置情報との差を算出し、前記差より前記被処理基板の実測情報を算出する演算部と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】薬液処理後の基板を水洗処理する場合に、純水の使用量を節減するとともに排液量を少なくすることができ、また処理時間を短縮し、さらに装置全体の省スペース化と製造コストの低減化が達成できる基板洗浄処理装置を提供する。
【解決手段】薬液処理後の基板Wに対し水洗処理を行う水洗処理室10が、基板搬送方向において置換水洗領域201、水洗領域202および直水洗領域203にこの順に画定され、置換水領域201内に、入口ノズル16と、高圧ノズル18と、強制排出ノズル100と、エアーノズル22と、がそれぞれ配設される。置換水洗領域201内へ基板Wが搬入される前に入口ノズル16、高圧ノズル18および強制排出ノズル100からの洗浄水の吐出を開始し、置換水洗領域201内から基板Wが搬出された後に入口ノズル16、高圧ノズル18および強制排出ノズル100からの洗浄水の吐出を停止するように制御する。 (もっと読む)


処理チャンバ(20)が、任意に過酸化水素などの酸化剤とともに硫酸などの酸の存在下で基板上に直接赤外線放射を行うことを通じて硬化フォトレジストをうまく除去する。この処理チャンバは、ウェハを保持して任意に回転させるためのウェハホルダ(26)を含む。赤外線照射アセンブリ(126)が、処理チャンバ内に赤外光を放射するように配置された、処理チャンバの外側の赤外線ランプ(140)を有する。これらの赤外線ランプは、ホルダ上のウェハ表面の実質的に全体を照射するように配列することができる。この赤外線放射アセンブリに冷却アセンブリ(150)を組み合わせて、迅速な冷却を行うとともに過剰処理を回避することができる。少量の薬品溶液を使用してフォトレジストが除去される。 (もっと読む)


【課題】被処理材に到達する荷電粒子を十分に抑制したうえで、ラジカルのみを効率的に供給できるリモート式のプラズマ処理装置とプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】前記放電部の圧力が大気圧近傍に維持され、前記処理室の圧力が前記放電部の圧力より低く維持され、前記一対の電極のうち第一電極は、前記仕切り板に重ね合わせて気密接続されるとともに前記複数の貫通孔にそれぞれ連なる細孔が設けられ、前記一対の電極のうち第二電極は、前記第一電極と所定の空隙を介して対向配置され、前記第一電極の前記空隙側の表面且つ前記第二電極の前記空隙側の表面および前記細孔の内面が誘電体で覆われている。 (もっと読む)


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