【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板搬送の負荷を低減させる。
【解決手段】塗布現像処理システムのインターフェイスステーション５は、ウェハを露光装置に搬入する前に少なくともウェハの裏面を洗浄するウェハ洗浄部１４１と、洗浄後のウェハの裏面について、当該ウェハの露光が可能かどうかを露光装置に搬入前に検査するウェハ検査部１４２と、ウェハ洗浄部１４１とウェハ検査部１４２との間でウェハＷを搬送する搬送手段１４３を有している。ウェハ洗浄部１４１、ウェハ検査部１４２及び搬送手段１４３は、筐体１４０の内部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、ソレノイドコイル３が、第一石英板４、第二石英板５、及び、複数の石英管６によって囲まれた長尺チャンバの周囲に配置され、最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。石英管６の内部には冷却水が供給される。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】洗浄時間を低減しつつ基板表面全体で所望のパーティクル除去率を達成できる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄部の周縁領域での第１の移動速度と基板の第１の回転速度とを決定する予備工程Ｓ５１、Ｓ５２と、基板の周縁領域より中心側で第１の移動速度よりも速い移動速度で移動するように第１の移動速度を基準に洗浄部の移動速度を決定する移動速度決定工程Ｓ５３と、基板の周縁領域より中心側で基板の第１の回転速度よりも速い回転速度で回転するように第１の回転速度を基準に基板の回転速度を決定する回転速度決定工程Ｓ５４と、移動速度決定工程にて決定した洗浄部の移動速度に従って基板の中心側から周縁領域まで洗浄部を移動させながら、回転速度決定工程で決定した基板の回転速度に従って基板回転速度を変化させ、洗浄部により基板を洗浄する洗浄工程Ｓ５６と、を含む基板洗浄方法である。 （もっと読む）

【課題】薬液処理後の雰囲気の置換効率を向上させることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置１０は、基板Ｗを水平に保持する基板保持部２１と、基板保持部２１に保持された基板Ｗを上方から覆い、基板保持部２１に保持された基板を覆う処理空間３０を形成する天板３２と、を備えている。処理空間３０においては、薬液ノズル８２ａにより、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して薬液が供給され、置換ノズル８２ｃにより、処理空間３０の雰囲気を置換するための置換ガスが処理空間３０に供給されるようになっている。また、置換ノズル８２ｃは、処理空間３０内に進出した進出位置と処理空間３０から外方に退避した退避位置との間で水平方向に移動する置換ノズル支持アーム８２ｒによって支持されると共に、置換ガスを上方に吐出するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】処理工程全体の処理時間の短縮を図る。
【解決手段】本発明による液処理方法は、第１ノズル３１Ａを用い第１処理液をウエハＷに供給するとともに、第１処理液を第１排出路４６ａから排出して第１気液分離器４８ａへ導く第１処理工程と、第２ノズル３１Ｂを用い第２処理液をウエハＷに供給するとともに、第２処理液を第２排出路４６ｂから排出して第２気液分離器４８ｂへ導く第２処理工程とを備えている。第２処理工程が開始される前に、第１ノズル３１Ａから第２ノズル３１Ｂへのノズル切換作業と、案内カップ４４を上下させて第１排出路４６ｂから第２排出路４６ｂへ切換える排出機構切換作業が行なわれる。切換作業に要する時間のうち最長となる時間を最大準備時間として、第１処理工程の終了時から最大準備時間以上早めた時間から上記切換作業が開始される。 （もっと読む）

【課題】液切処理にかかる時間を短縮できる液切処理装置、液処理装置及び液切処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１は、キャリア２に液処理を施す液処理部１０と、液処理後のキャリア２が搬送される搬送部２０とを有する。搬送部２０は、搬送レール２１と、液切処理部２２とを有する。液切処理部２２は、回転テーブル２４と、回転テーブル２４上に固定され、搬送レール２１から搬送されるキャリア２を水平状態に保持する回転レール２３と、回転テーブル２４を回転駆動し、回転レール２３に保持されたキャリアを高速回転させる駆動モータとを有する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板の一括搬送および１枚の基板の枚葉搬送の切換えに要する時間を短縮することができ、構成も簡略化できる基板搬送装置およびそれを用いた基板処理装置を提供する。
【解決手段】搬出入機構４は、複数枚の基板Ｗを積層状態で一括して保持するバッチハンド４０と、このバッチハンド４０を進退させるバッチハンド進退機構と、１枚の基板Ｗを保持する枚葉ハンド３９と、この枚葉ハンド３９を進退させる枚葉ハンド進退機構と、バッチハンド進退機構および枚葉ハンド進退機構を保持する保持ベース４１と、保持ベース４１を上下動させる昇降ブロック４３と、前記保持ベース４１を鉛直方向に沿う旋回ブロック４２とを含む。 （もっと読む）

【課題】除去処理体の処理部材で有効に除去処理できる有効除去範囲を拡大させて、基板処理装置での処理時間を短縮してスループットを向上させること。
【解決手段】本発明では、基板（２）の表面に処理部材（３８）を押圧した状態で基板（２）に対して相対的に移動しながら基板（２）の表面から除去対象物を除去する基板処理装置（１）、及び同基板処理装置（１）の処理部材（３８）、並びに基板処理方法において、処理部材（３８）は、円環状に形成され、所定の硬度を有する基準硬度処理部（４０）と、基準硬度処理部（４０）に隣接し、基準硬度処理部（４０）よりも硬度の低い低硬度処理部（４１，４２）とを有することにした。 （もっと読む）

【課題】単位時間当たりに多数のウェハを洗浄できる洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】複数枚の半導体基板を一度に洗浄するバッチ方式の洗浄方法であって、複数枚の半導体基板を所定の間隔で保持した状態で搬送する第１の工程と、複数枚の半導体基板の表面及び裏面ごとに複数本ずつ設けられ、長手方向が表面及び裏面に対して平行に配置されたロールブラシで、複数枚の半導体基板を挟持する第２の工程と、表面及び裏面ごとに設けられた複数本のロールブラシを回転させて、複数枚の半導体基板を洗浄する第３の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、より短時間で効率よく液膜の温度を低下させることのできる技術を提供する。
【解決手段】冷却ガスノズル３のノズル筐体３１１の外周下部を外側に延伸させて、平板状のフランジ３１２を形成する。フランジ３１２の下面３１２ａが基板表面Ｗｆに近接対向配置される。ノズル筐体３１１の中央下部に設けたガス吐出口３０から低温の冷却ガスが吐出されると、冷却ガスは基板表面Ｗｆとフランジ３１２の下面３１２ａとの間隙空間を基板表面Ｗｆに沿って流れる。基板上の液膜が冷却ガスに触れる時間が長く、またガスの流速が増大するとともに周囲雰囲気の巻き込みに起因するガス温度の上昇が抑えられるので、液膜を効率よく短時間で冷却することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の検出時間を短縮することができ、このことにより基板の処理のスループットを向上させることができる基板処理システム、基板検出装置および基板検出方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１は、処理前の状態のウエハＷの検出を行う第１の検出部４０と、処理後の状態のウエハＷの検出を行う第２の検出部５０とを備えている。第１の検出部４０は、収納容器８０の各収納部分８２にそれぞれ処理前の状態のウエハＷが収納されているか否かを検出するとともに各収納部分８２に収納された処理前の状態の各ウエハＷの収納状態を検出するようになっている。第２の検出部５０は、収納容器８０の各収納部分８２にそれぞれ処理後の状態のウエハＷが収納されているか否かを一括して検出するようになっている。 （もっと読む）

【課題】実運転に近い条件で、効率的に試運転を実行可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】搬送容器（ＦＯＵＰ１〜４）から基板Ｗを取り出して処理モジュール２にて処理を行い、元の搬送容器に戻す基板処理装置１において、選択部３１は、基板搬送機構１５、１７や処理モジュール２の動作確認運転を行うモードの選択を受け付け、ジョブ設定部３２は、動作確認用の複数のコントロールジョブ（ＣＪ）を設定すると共に、基板Ｗに対して実行されるレシピであるプロセスジョブ（ＰＪ）をＣＪ毎に設定し、制御部３は、順番が相前後する２つのＣＪのＰＪが並列で実行可能か判断する。 （もっと読む）

【課題】過硫酸含有硫酸溶液を用いた電子材料の洗浄を廃液を伴うことを短時間かつ効果的に行うことを可能にする。
【解決手段】７０質量％以上の硫酸溶液を電解する電解部１１と、電解部１１で電解されて得られた過硫酸含有硫酸溶液を送液する送りラインと、送りラインで送液される過硫酸含有硫酸溶液が収容される洗浄槽２１と、オゾンを生成するオゾン生成部（オゾン発生器２８）と、オゾン生成部で生成されたオゾンを洗浄槽２１内の過硫酸含有硫酸溶液に供給するオゾン供給部（オゾン供給管２６、バブリングノズル２７）を備える電子材料洗浄装置１を用いて、電解して得られた過硫酸含有硫酸溶液が収容されている洗浄槽に電子材料１００を浸漬して洗浄を行うとともに、洗浄中に洗浄槽２１内の過硫酸含有硫酸溶液にオゾンガスを供給することでオゾンの分解を促し、優れた酸化力を得る。 （もっと読む）

【課題】 凝固体を形成するための冷却ガスを使用せず、基板を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板Ｗに凝固対象液としての過冷却状態のＤＩＷを供給し、基板Ｗへ着液する衝撃でＤＩＷの凝固体を形成する。これにより、凝固体形成に必要な気体の冷媒を使用する必要がなくなり、気体の冷媒を生成する設備を不要とし、処理時間を短縮し、更にランニングコスト等を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、酸化セリウムが表面に付着した被洗浄物に対し、当該酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて洗浄除去することが可能な洗浄液及びそれを用いた洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被洗浄物表面に残存する酸化セリウムを除去する洗浄液において、
（１）フッ化水素と、（２）塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも1種のアンモニウム塩と、を含むことを特徴とする洗浄液。 （もっと読む）

【課題】処理される試料の温度の精度あるいは信頼性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内側でプラズマが形成される処理室３と、該処理室内の下方に配置され、その上面に試料５が載置される試料台であってその内部に冷凍サイクルの冷媒が通流して蒸発器として動作する円筒形を有する試料台４と、該試料台４の内部に配置され、前記円筒の中心について同心状に配置された前記冷媒の流路と、前記試料台４の下方に配置され、該試料台４の振動を検出する少なくとも１つの検知器３７と、前記冷凍サイクル上の圧縮機と前記試料台４との間に配置され、前記検知器３７の出力から前記流路内側を通流する前記冷媒の乾き度を検出し、その結果に基づいて前記試料台４に流入する前記冷媒の温度を調節する調節部３３と、を備えたプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】処理液により処理した後、基板をリンス処理する際に、処理液が基板に残留することを防止でき、処理時間を短縮できる液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理液により処理する液処理装置１０において、基板を保持する基板保持部３０、４０と、基板保持部３０、４０に保持されている基板に処理液を供給する処理液供給部７０と、基板にリンス液を供給するリンス液供給部８０と、基板のみが吸収する波長領域の光を発光し、発光した光を基板に照射する発光素子１１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】減圧乾燥処理装置のチャンバーにおける配管の引き回し施行の簡略化と、装置の構造の簡素化を図ることにある。
【解決手段】隔壁部１にて大気と隔離して密封状態を保持可能な１乃至複数の基板ｐを収容する減圧チャンバー室Ａと、該チャンバー室Ａ内に装備され収容する前記１乃至複数の基板ｐを載置する可動式又は固定式の加熱用プレートＣと、隔壁部２１にて大気と隔離して密封状態を保持可能な加圧チャンバー室Ｂとを備え、前記減圧チャンバー室Ａと加圧チャンバー室Ｂは、互いに近接位置に隣接して開閉する密閉シャッタ部２５にて区画され、該密閉シャッタ部の開動作による連通状態と閉動作による互いに独立した密封状態とを保持可能であり、前記密閉シャッタ部２５を閉鎖して減圧チャンバー室Ａ内の基板ｐの減圧乾燥を行い、開放して減圧チャンバー室Ａ内を大気圧に戻すことができる。 （もっと読む）