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Fターム[5F157DB51]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 最適処理を目的とするもの (4,470) | 再付着防止 (387)

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【課題】基板から外方へ飛散した処理液を十分に受け止めることができるとともに、受け止められた処理液が基板まで跳ね返ることを防止することが可能なカップおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】カップ中部51およびカップ下部52は基板Wの周囲を取り囲むように配置される。カップ中部51はカップ下部52の上面52a,52bの上方に配置される。また、側壁部55が、カップ中部51およびカップ下部52の周囲を取り囲むように設けられる。カップ下部52の上面52a,52bとカップ中部51の下面51aとの間隔は、基板Wの外周部側から外方に向かって漸次減少するとともに、カップ中部51およびカップ下部52の外周部で下面51aと上面52bとの間に間隙Sが形成される。側壁部55の内周面55aは、間隙Sの外方で間隙Sから離間しかつ間隙Sを取り囲むように形成される。 (もっと読む)


【課題】HFガスを用いたガラス基板のエッチング時に、チェンバ内壁に付着したアルカリ元素のフッ化物からなる堆積膜やパーティクルを従来に比して容易に洗浄することができるガラス基板処理装置を得ること。
【解決手段】真空チェンバ11と、真空チェンバ11内でガラス基板100を保持する基板ステージ12と、真空チェンバ11内にガラス基板100を処理する処理ガスを供給するガス供給機構20と、基板ステージ12の基板保持面に対向して配置され、基板ステージ12に向けて処理ガスを吐出するガスシャワーヘッド13と、真空チェンバ11内のガスを排気する排気手段と、真空チェンバ11内を洗浄水110で洗浄するシャワーヘッド31と、真空チェンバ11内に貯留した洗浄水110を排水する排水機構40と、を備える。 (もっと読む)


【課題】電子製品用の基板に付着した異物を除去する異物除去装置において、エアー射出による異物への除去作用を維持しながらも異物の拡散による再汚染を防止し、充分な異物除去能力を得ることができる。
【解決手段】この発明の異物除去装置においては、異物除去処理を行う際に基板1上部に隙間を空けて対向して配置される異物飛散防止板3と、異物飛散防止板3の外周に設けられる囲い板4と、異物飛散防止板3に開口して設けられるエアー射出部5と、エアー射出部5と囲い板4の間に開口して設けられるメインエアー吸引部6およびサブエアー吸引部7とを備えるものである。 (もっと読む)


【課題】液処理と乾燥処理を異なる高さ位置で行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、前記基板保持部を上昇及び下降させる基板保持部昇降部材と、前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板を囲う液受けカップと、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板と前記液受けカップの上方に位置し、前記基板を乾燥するときに、前記基板を囲い、かつ前記液受けカップの上方に位置する乾燥カップとを備えることを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】パターン形成後の配線形状を維持しつつ、銅等の金属不純物と凝集粒子の異物とを除去する。
【解決手段】基材10を準備する工程と、基材10の上方に金属膜20を形成する工程と、金属膜20上にレジスト膜30を形成する工程と、レジスト膜30をマスクとして金属膜20をエッチングして配線20Aを形成する工程と、レジスト膜30を剥離する工程と、基材10を洗浄する工程と、を含み、基材10を洗浄する工程は、酸洗浄液を用いて基材10を洗浄する第1の洗浄工程と、アルカリ洗浄液を用いて基材10を洗浄する第2の洗浄工程とを含む。アルカリ洗浄液の濃度は、当該洗浄液の中に析出される粒子の表面電位が基材10の表面電位と同一極性となる濃度以上で、かつ、配線20Aをエッチングしない濃度であり、酸洗浄液の濃度は、基材10に残った金属微粒子20aが洗浄液中に溶解する濃度以上で、かつ、配線20Aをエッチングしない濃度である。 (もっと読む)


【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板搬送の負荷を低減させる。
【解決手段】塗布現像処理システムのインターフェイスステーション5は、ウェハを露光装置に搬入する前に少なくともウェハの裏面を洗浄するウェハ洗浄部141と、洗浄後のウェハの裏面について、当該ウェハの露光が可能かどうかを露光装置に搬入前に検査するウェハ検査部142と、ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142との間でウェハWを搬送する搬送手段143を有している。ウェハ洗浄部141、ウェハ検査部142及び搬送手段143は、筐体140の内部に設けられている。 (もっと読む)


【課題】1つの液処理装置にて異なる種類の液処理を行うにあたって、各液処理時に基板の周辺の処理液由来の雰囲気が拡散することを防止ないし抑制しつつ、クロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板(W)を水平に保持して回転させる基板保持部と、基板に対して第1の処理液および第2の処理液をそれぞれ第1処理液供給ノズルおよび第2処理液供給ノズルと、基板に供給された後の処理液を受けるための液受けカップ(40,42,44)と、液受けカップの周囲に配設され、その上端が前記液受けカップの上方にある上昇位置と、前記上昇位置よりも下方に位置する下降位置との間で昇降自在な、上部に上部開口(50n)が形成された筒状の第1カップ外周筒(50A)と、その外側の第2カップ外周筒(50B)を備えている。使用される処理液に応じて、カップ外周筒50A、50Bを使い分ける。 (もっと読む)


【課題】基板の被処理面の背面に使用済みの処理液等の回り込みを防止する。
【解決手段】基板の被処理面を水平に支持した状態で当該被処理面と平行に回転するテーブルを有し、このテーブルに支持された当該基板Wの被処理面に所定の処理液を供給した後、この処理液を当該基板Wの外周方向に払拭することにより基板処理を行う装置の当該テーブルに、当該基板Wを着脱自在に嵌装するための基板装着部を形成しておく。この基板装着部に嵌装された基板Wをベルヌーイ吸着させるために当該基板Wの被処理面の背面に向けてN2ガス等を噴出供給して、このベルヌーイ吸着により生じる当該基板Wの変位力により、当該処理液の払拭路と当該被処理面の背面を通過した気体の排出路とを遮へいする。 (もっと読む)


【課題】薬液処理後の雰囲気の置換効率を向上させることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置10は、基板Wを水平に保持する基板保持部21と、基板保持部21に保持された基板Wを上方から覆い、基板保持部21に保持された基板を覆う処理空間30を形成する天板32と、を備えている。処理空間30においては、薬液ノズル82aにより、基板保持部21に保持された基板Wに対して薬液が供給され、置換ノズル82cにより、処理空間30の雰囲気を置換するための置換ガスが処理空間30に供給されるようになっている。また、置換ノズル82cは、処理空間30内に進出した進出位置と処理空間30から外方に退避した退避位置との間で水平方向に移動する置換ノズル支持アーム82rによって支持されると共に、置換ガスを上方に吐出するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】基板の液処理時に遮蔽扉に付着した処理液によって、基板の乾燥処理時にパーティクルが発生してしまうのを防止すること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置(1)において、処理液で基板(6)の液処理を行う液処理槽(7)と、前記液処理槽(7)の上方に設けられ、前記基板(6)の乾燥処理を行う乾燥処理槽(22)と、前記液処理槽(7)と乾燥処理槽(22)との間に設けられ、前記液処理槽(7)と乾燥処理槽(22)とを遮蔽可能な遮蔽扉(33)と、前記液処理槽(7)と乾燥処理槽(22)との間で前記基板(6)の搬送を行う基板搬送手段(5)と、前記遮蔽扉(33)に洗浄液を供給する洗浄液供給手段(36)とを設けることにした。 (もっと読む)


【課題】液滴が衝突する基板内の衝突位置での膜厚のばらつきを低減することにより、処理の均一性を向上させること。
【解決手段】洗浄ノズル5は、複数の噴射口31が形成された噴射部6と、吐出口36が形成された吐出部7とを含む。複数の噴射口31は、複数の液滴がそれぞれ基板W内の複数の衝突位置P1に衝突するように形成されている。吐出口36は、各衝突位置P1からの距離Dが等しい基板W内の着液位置P2に保護液が着液するように形成されている。洗浄ノズル5は、吐出口36から吐出された保護液の液膜によって覆われている基板Wに複数の噴射口31から噴射された複数の液滴を衝突させる。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の表面に生じるパーティクルを低減する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥装置は、半導体基板を収容し、密閉可能なチャンバ210と、チャンバ210の内部を加熱するヒータ212と、チャンバ210に二酸化炭素を供給する供給部と、チャンバ210から二酸化炭素を排出する排出部と、チャンバ210を回転させる回転部270と、を備えている。回転部270は、チャンバ210を水平方向に対して90°以上180°以下回転させる。 (もっと読む)


【課題】基板の洗浄面と反対側の面に液体が付着するを防ぐことが可能な枚葉式の基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】回転可能な回転板と、前記回転板の周縁に沿って設けられ基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部の上端に設けられ、前記基板の周縁を支持することにより前記基板を案内可能な案内部と、前記基板支持部により前記周縁が支持される前記基板に対して上方から液体を供給する供給部とを備え、前記案内部が、前記回転板の周方向に沿って少なくとも3つ以上設けられ、前記基板支持部により前記周縁が支持される前記基板の表面よりも高い高さを有する液処理装置により上述の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】 高圧蒸気を用いて被洗浄物を洗浄し且つ該被洗浄物の乾燥を行う洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】 所定の軸を中心に被洗浄物を回転可能に支持するステージユニットと、被洗浄物に対して飽和蒸気を吹き付け可能なノズル部と、ステージユニット及びノズル部を収容する筐体と、筐体から洗浄により生じた物質を排出するための排気系と接続される排気管と、飽和蒸気を生成する飽和蒸気発生ユニットと、を有しステージユニットは飽和蒸気の吹き付け時の低速回転モードと、被洗浄物を乾燥させるための高速回転モードとを有する。 (もっと読む)


【課題】液滴が衝突する基板の各位置での膜厚のばらつきを低減し、基板の処理品質を向上させること。
【解決手段】複数の噴射口28からそれぞれ基板の上面内の複数の噴射位置に向けて処理液の液滴が噴射される。これと並行して、複数の吐出口35からそれぞれ基板の上面内の複数の着液位置に向けて保護液が吐出される。複数の吐出口35から吐出された保護液は、複数の液膜を形成する。複数の液膜は、それぞれ異なる噴射位置を覆う。処理液の液滴は、保護液の液膜に覆われている噴射位置に向けて噴射される。 (もっと読む)


【課題】排気効率およびスペース効率を改善し、液切り乾燥直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止する。
【解決手段】上部および下部エアナイフ122U,122Lがそれらの間を通過する基板Gに対してナイフ状の鋭利な高圧エア流を吹き付けることにより、両エアナイフ122U,122Lの上流側の空間に多量のミストが発生する。基板Gの上で発生したミストの大部分は、下流側のFFU136から隙間Kを通って廻ってくる空気および入口118から入ってくる空気と一緒に上部排気口124に吸い込まれる。基板Gの下で発生したミストは、その全部がFFU136から廻ってくる空気および入口118から入ってくる空気と一緒に下部排気口126,128に吸い込まれる。 (もっと読む)


【課題】エッジホイールと基板との界面に付着した流体を効果的に除去できるエッジホイールの提供。
【解決手段】円板状基板を支持・回転するエッジホイール14において、エッジホイール14の外周面に基板10の端部と係合する溝13を形成し、該溝13から内部に伸張する少なくとも一本の放射状チャネル18を備え、該放射状チャネル18に、真空源あるいは流体源と連通し、放射状チャネル18を吸引することにより、基板10とエッジホイール14との間の界面に存在する液体を除去し、又逆に放射状チャネル18に流体を供給することにより、基板10の端部を濡らすことも可能にする。 (もっと読む)


【課題】薬液処理中あるいは天板の洗浄中に、天板に付着した薬液または洗浄液が望ましくない態様で飛散することを防止する。
【解決手段】液処理装置は、基板(W)を水平に保持して回転させる基板保持部(21)と、基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液ノズル(82)と、基板保持部に保持されたときの基板の周縁の外方に位置するよう設けられた、処理液ノズルにより基板に供給された後の処理液を受けるためのカップ(40)と、基板保持部に保持された基板を上方から覆う天板(32)と、天板を回転させる天板回転駆動機構と、天板の周縁を囲んで天板の外方に位置するように設けられ、天板から飛散する液体を受ける環状の液受け空間(132)を有する液受け部材(130)とを備えている。 (もっと読む)


【課題】単位時間当たりに多数のウェハを洗浄できる洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】複数枚の半導体基板を一度に洗浄するバッチ方式の洗浄方法であって、複数枚の半導体基板を所定の間隔で保持した状態で搬送する第1の工程と、複数枚の半導体基板の表面及び裏面ごとに複数本ずつ設けられ、長手方向が表面及び裏面に対して平行に配置されたロールブラシで、複数枚の半導体基板を挟持する第2の工程と、表面及び裏面ごとに設けられた複数本のロールブラシを回転させて、複数枚の半導体基板を洗浄する第3の工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる金属付着物の除去方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】金属付着物の除去方法は、金属層が形成された被処理基板を処理する処理空間を内部に有する処理容器の内部に付着した金属付着物を昇華させるように、前記処理容器内部の温度と、前記処理空間の圧力とを、制御する。 (もっと読む)


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