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Fターム[5F157DC00]の内容

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【課題】露光装置の露光空間を構成する部材を良好に洗浄することにより、露光不良によるデバイスの欠陥を低減する露光装置及び露光装置の洗浄方法を得ることを課題とする。
【解決手段】露光装置の投影光学系の最終面とこの最終面に対向する基板ステージの表面との間の空間を形成する部材を洗浄するために、洗浄液又はリンス液を吐出する洗浄ノズルと、この洗浄ノズルに前記洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記洗浄ノズルに前記リンス液を供給するリンス液供給手段と、前記洗浄液供給手段及び前記リンス液供給手段の供給を制御する制御手段とを備え、この制御手段は、前記洗浄ノズルから洗浄液を吐出する前後に、前記リンス液を洗浄液の吐出に連続して供給するように制御することができる。 (もっと読む)


【課題】大気中でも良好に基板を洗浄できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】遮断板40は、搬送路30aの上方に配置されており、各搬送ローラ30により搬送される基板Wの上面と近接する。また、遮断板40には、リンス液供給ノズル60の設置スペースとして使用される複数の中空突出部42が設けられている。複数のリンス液供給ノズル60は、中空突出部42の延伸方向に沿うように、中空突出部42の中空空間42aに固定されており、搬送される基板Wに対して近接できる。シールドガス供給ノズル50、55は、第1処理空間71にシールドガスを供給し、第1処理空間71内の空気をシールドガスと置換する。これにより、第1処理空間71において、基板Wと、大気に含まれる酸素と、リンス液の水分と、が接触することを防止できる。 (もっと読む)


【課題】大型化することなく、処理室内からの処理流体を含む排気を、所望の個別排気管に良好に導くことができる基板処理装置を提供すること。また、3つの個別排気管が全て閉塞することを確実に防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室からの排気が集合管45に導入される。排気切換器50は、集合管45から排気が導入される排気導入室54と、排気導入室54の内部に回転可能に設けられた回転板55とを備えている。排気導入室54の側壁59には、3つの導出接続孔62,72,82が、回転軸線Cを中心とする円周上に等角度間隔に貫通して形成されている。各導出接続孔62,72,82には、個別排気管60,70,80の上流端が接続されている。回転板55の回転軸線Cまわりの回転に伴って、選択孔49が3つの導出接続孔62,72,82と順に対向する。 (もっと読む)


【課題】 ライン状のプラズマを生成するマイクロ波ラインプラズマ発生装置であっても、比較的安価に製造できるものとする。
【解決手段】 マイクロ波を導入される偏平な矩形状導波管1の周面壁1bの一部に開口部1aが形成され、この開口部1aが誘電体からなる平板体2aを介して閉鎖されると共に、この平板体2aの導波管外領域が容器3で包囲され、この容器3内の前記平板体2a寄り位置にプラズマ生成用ガスを連続的に供給するためのガス供給手段3aが設けられる。導波管1内に導入されたマイクロ波の電磁エネルギーが前記平板体2aを透過することで前記容器3内の前記平板体2a寄り位置に供給された前記ガスが励起されラインプラズマとなって前記容器3の放出口から放出される。 (もっと読む)


【課題】簡略な構造で、洗浄時の装置振動を抑制し、均一な洗浄を可能にする低コストの高圧洗浄液噴射式洗浄装置を提供する。
【解決手段】高圧洗浄液を一本の直線状に噴射させて洗浄する多数の噴射ノズル3を備えた高圧洗浄液噴射式洗浄装置1で、ノズルホルダー2が3本で、相互に平行に隣接させて配置し、往復スライダ・クランク機構7を介して共通のサーボモータ30により中央のノズルホルダー2cと両側方のノズルホルダー2bとを逆向きに直進往復移動させるとともに、中央のノズルホルダー2cの質量を両側方のノズルホルダー2bの質量の2倍に設定し、かつ往復スライダ・クランク機構による偏心量rを各ノズルホルダー2b・2cについて同一にし、洗浄対象物xをノズルホルダー2b・2cの長手方向に直交する方向に搬送しながらノズルホルダー2b・2cを長手方向に往復移動させると同時に、各噴射ノズル3から高圧洗浄液を噴射させて洗浄する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するためのシリコンウェハ用洗浄剤を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコンウェハ用洗浄剤は少なくとも水系洗浄液と、洗浄過程中に凹凸パターンの少なくとも凹部を撥水化するための撥水性洗浄液とを含み、該撥水性洗浄液は、シリコンウェハのSiと化学的に結合可能な反応性部位と疎水性基を含む撥水性化合物からなるもの、又は、該撥水性洗浄液の総量100質量%に対して0.1質量%以上の該撥水性化合物と、有機溶媒とが混合されて含まれるものとすること。 (もっと読む)


【課題】チャックプレート3の表面に堆積した汚染物質を、プラズマエッチングを行うことなく、安価且つ簡便に除去できるようにした静電チャックのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】チャックプレート3の表面にダミー基板6を吸着した状態で、ダミー基板6を加熱又は冷却してクリーニングを行う。ダミー基板6のチャックプレート3に対する接触面6bの硬度を、被処理基板の硬度よりも高く、チャックプレートの硬度よりも低くする。チャックプレートが窒化アルミニウム製であり、被処理基板がシリコンウエハである場合、前記接触面6bは窒化シリコンで形成される。ダミー基板6を加熱又は冷却すると、ダミー基板6とチャックプレート3との熱膨張差により、チャックプレート3の表面に堆積した汚染物質Sがダミー基板6で擦り取られる。 (もっと読む)


【課題】処理容器内のクリーニング性能を確保しつつ、被処理体を載置する高周波電極に設けられる静電チャックのエロージョンを効率的に低減する。
【解決手段】真空排気可能な処理容器10に上部電極38と下部電極12とが平行に配置され、下部電極12には第1高周波電源32より第1整合器34を介して第1の高周波が印加される。制御部68は、半導体ウエハWの無い処理容器10内で行われるプラズマクリーニングに際して、プラズマ生成に寄与する第1の高周波が、プラズマを生成させる第1の振幅を有する第1の期間と、プラズマを実質的に生成させない第2の振幅を有する第2の期間とを所定の周期で交互に繰り返すように、第1高周波電源32を制御する。 (もっと読む)


【課題】基板をより安定的に支持できるスピンヘッドを提供する。
【解決手段】本発明によるスピンヘッドは、支持板と、基板の側面を支持するように前記支持板に設置される複数のチャックピンと、前記支持板の中心から外側に向かう第1方向と垂直な第2方向に沿って前記チャックピンを移動させるチャックピン移動ユニットを包含することを特徴とする。
このような特徴によると、支持板の回転による遠心力がチャックピンに及ぶ影響を最小化して基板を安定的に支持できるスピンヘッドを提供できる。 (もっと読む)


【課題】基板にダメージを与えるプラズマを発生させずに気相でエッチングを行う。
【解決手段】シリコン酸化物101の除去に供される基板10を格納したチャンバ2には大気圧よりも低圧のもと室温でテトラフルオロエチレンガスとオゾンガスが供される。オゾンガスはオゾン発生装置4から供される。オゾン発生装置4はオゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化させて超高濃度オゾンガスを得る。チャンバ2は混合室と処理室を有するようにしてもよい。混合室、処理室はチャンバ2を上下二つの室に区画する仕切りによって成る。混合室にはテトラフルオロエチレンガスとオゾンガスが供される。混合室内のテトラフルオロエチレンとオゾンの混合ガスは基板10を格納した処理室に移行する。仕切りは混合室内のガスを処理室内に移行させるシャワーヘッドを備える。シャワーヘッドは仕切りに複数の孔を形成して成る。 (もっと読む)


【課題】 真空状態にある容器の内部で、直流放電によりプラズマを発生させた場合であっても、プラズマの状態変化を、精度良くかつ高い自由度で検出できる技術を提供する。
【解決手段】 アノード12およびカソード13の間となるプラズマ処理容器11の側壁の外面に、磁気センサ21を設け、プラズマ処理容器11のプラズマ生成空間に生成したプラズマPの流れの周囲に発生する磁界を計測する。磁界変化量生成部は、磁気センサ21で計測された磁界の初期値と当該初期値から変化した変化値との差分である、電磁界の変化量を生成し、プラズマ変化情報としてプラズマ処理制御部17に出力する。プラズマ処理制御部17は、取得したプラズマ変化情報に基づいて、例えば、プラズマ生成用電源14の印加電圧を変化させる等の制御を行う。 (もっと読む)


【課題】被処理物の外側に位置する保護部の交換頻度を少なくするため、保護部の長寿命化を図るプラズマ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】内部を真空とすることが可能な処理室1に、被処理物Sを載置する載置部3と、ガスを供給するためのガス供給部2とを備えたプラズマ処理装置において、載置部3は、被処理物Sの外周側に配置されたマスクリング33を有し、ガス供給部2は、被処理物Sの上部に位置し、プラズマ処理用のガスを供給する中心側開口部22a、中間開口部22bと、マスクリング33の上部若しくは外側に位置し、マスクリング33に堆積物を生じさせるガスを供給する外周側開口部22cとを有する。 (もっと読む)


【課題】基板上に発生した潮解性を有する汚染物質を簡便かつ確実に除去することができる洗浄方法、並びに装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る洗浄装置は、マスク基板11上に汚染物質として発生した潮解性の汚染物質15を除去する洗浄装置であって、汚染物質15の周辺の相対湿度を、汚染物質の臨界湿度以上100%未満に制御し、汚染物質を水滴化する冷却手段23と、水滴化した汚染物質15にレーザ光を照射する光源22とを有する。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、放射される紫外線を遮光する反応生成物の固着を抑制した紫外線ランプ及び紫外線照射装置を提供することにある。
【解決手段】
第1の発明に係る紫外線照射装置は、紫外線ランプと、該紫外線ランプを内部に配置した筐体と、該紫外線ランプを該筐体と共に取り囲む平板状の光照射窓と、からなる紫外線照射装置において、該光照射窓の紫外線ランプに対向する面に対して反対側の面に金又は白金からなる薄膜を設けたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置において、放電空間からのプラズマ光により筐体の導入流路を画成する内壁が腐食するのを防止する。
【解決手段】放電空間5を形成する一対の電極11,12及び固体誘電体13,14を含む電極構造10を筐体20に収容し保持する。筐体20の内部に、放電空間5への処理ガスの導入流路30を設ける。導入流路30内の放電空間5と面する箇所に被照射部材41を設ける。被照射部材41を、筐体20より耐光性が高い材料で構成する。 (もっと読む)


【課題】重量及びコストの著しい増大を回避しながら大型化が可能な基板処理槽と、これを製造するための方法を提供する。
【解決手段】基板処理槽は、槽本体10と支持枠体20とを備える。槽本体10は、樹脂製の板材からなるもので、底板13とその外縁14から立上がる補強板14とを一体に有する底部材12と、その補強板14の内側面に沿って立設される側板16A,16Bとからなる。支持枠体20は、底板13を下方から支持する底部枠23と、側板16A,16Bを外側から支持する側部枠26A,26Bとを備える。これらの支持は、槽本体10の形状を保ち、その形状保持のために板材の厚みを大幅に増やす必要をなくす。 (もっと読む)


【課題】基板からの処理液の排出性を向上させることができ、基板の周囲に飛散する処理液の液滴の粒径を小さくすることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Wを水平に保持するための支持リング8を有するスピンチャック3と、スピンチャック3に保持された基板Wに処理液を供給する洗浄液ノズルおよびリンス液ノズルとを備えている。支持リング8は、支持リング8に保持された基板Wの上面から外方へと処理液が流れていくように、当該基板Wの全周を取り囲んで当該基板Wの外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面36を有している。拡張面36は、処理液に対する親液性が基板Wよりも高い親液面とされている。 (もっと読む)


【課題】汚染物質を良好に除去することができ、しかも半導体熱処理治具の表面荒れ等も防止した、半導体熱処理治具の洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板を熱処理する際にこれを保持するために用いられる、シリコンからなる半導体熱処理治具の洗浄方法である。洗浄液として、弗酸の配合比が質量比で1%以上8%以下、硝酸の配合比が質量比で35%以上70%以下、水もしくは水と酢酸との混合物の配合比が質量比で30%以上60%以下に調製された、弗酸と硝酸と水もしくは水と酢酸との混合物との混合液を用い、この洗浄液によってシリコンからなる半導体熱処理治具をエッチングすることで、半導体熱処理治具を洗浄する洗浄工程を有する。 (もっと読む)


【課題】低流速で高い霧化効率を得て、微細な電気配線を有するデバイスに対してダメージを与えず、気体使用量を削減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置10は、気体と液体を混合させて液体を基板Wに吐き出すことで基板を処理する基板処理装置であって、基板Wに対して液体を吐き出す中央通路を有する内筒31と、内筒31の周囲に配置されて気体を吐き出す外周リング状通路34を有する外筒33とを有する供給ノズル30を備え、液体を吐き出す内筒31の出口部43には、出口部43において液体を拡散するために、内筒31の外周面側が内筒31の内周面側に比べて、内筒31の中心軸CLに平行に突出するように傾斜する傾斜面44が形成されており、傾斜面44の形成角度θは、内筒31の中心軸CLに対して直交する方向に対して、0度<形成角度θ≦30度の範囲で形成されている。 (もっと読む)


【課題】 銅等の金属配線の電気抵抗低減および安定化を実現し、銅等の金属配線の信頼性を向上させることが可能な金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供することである。また、配線構造を形成する過程で配線あるいはデバイス構成材料中に取り込まれた不純物を除去し、配線膜の比抵抗値の上昇を防止し、信頼性を高めることのできる金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供する。
【解決手段】 半導体ウエハー上にめっき法あるいは気相堆積法により形成された金属配線膜を常圧より高圧の二酸化炭素または不活性の気体ないし流体中に一定時間曝して処理する金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された配線およびこの配線を有するデバイスとした。 (もっと読む)


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