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Fターム[5F157DC51]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | その他の課題の解決 (1,637) | 小型化、スペース節約 (187)

Fターム[5F157DC51]に分類される特許

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【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板搬送の負荷を低減させる。
【解決手段】塗布現像処理システムのインターフェイスステーション5は、ウェハを露光装置に搬入する前に少なくともウェハの裏面を洗浄するウェハ洗浄部141と、洗浄後のウェハの裏面について、当該ウェハの露光が可能かどうかを露光装置に搬入前に検査するウェハ検査部142と、ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142との間でウェハWを搬送する搬送手段143を有している。ウェハ洗浄部141、ウェハ検査部142及び搬送手段143は、筐体140の内部に設けられている。 (もっと読む)


【課題】基板処理機構部に対して外付け接続するだけで、処理液から金属イオンを除去して、金属イオンの除去後に処理液の濃度を調整して基板処理機構部に循環して送ることができ、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、基板処理機構部2に接続されて基板Wの処理に用いた処理液Lを回収する貯留槽3と、貯留槽3内に配置されて基板Wの処理に用いた処理液Lから金属イオンを除去する処理液再生部5と、処理液再生部5により金属イオンを除去した処理液Lの濃度を補正する濃度補正貯留部51,52と、濃度が補正された処理液Lを、濃度補正貯留部51,52から基板処理機構部2に送る送液部71を備える。 (もっと読む)


【課題】処理液から金属イオンを除去でき、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wの処理に用いた処理液L中から金属イオンを除去することができ、基板処理装置1は、基板Wに処理液Lを供給する基板処理機構部2と、基板Wの処理に用いた処理液Lを回収する貯留槽3と、貯留槽3内に配置されて基板Wの処理に用いた処理液Lから金属イオンを除去する処理液再生部5と、処理液再生部5により金属イオンを除去した処理液Lを基板処理機構部2に送る送液部29を備える。 (もっと読む)


【課題】マイクロエレクトロニクス用の加工物を処理するための装置を提供する。
【解決手段】加工物12を処理するために、特別のバッフル174,218,262またはダクト構造を含み、加工物12および/または支持部材94の外側周辺部に近接して入口(340)を有する。また、障壁板556が、外側周辺部(566)、前記支持部材94の上に配置されて前記加工物を覆う内側表面(560)、この表面に対向配置される外側表面、及び両表面間に処理流体の連通を与える通路576を形成する内側周辺表面を含み、支持部材94の支持表面と内側表面が、その間に制御された流体の流路576を提供する。そして、排気ダクト通路(330)を開放するために、入れ子化されたバッフルを独立に移動し、前記バッフルの各々は、内側周辺部を有する流量制御表面(180,224,268)を備えて、流路外周縁部から流体の流れを受け入れて選択されたバッフルに関連した排気ダクト通路内に流体の流れを導くことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】カップ部を昇降する昇降ユニットの高さを低減することを図る。
【解決手段】昇降ユニット50は、第1シャフト541、ボールねじナット542およびスプラインナット543を有するボールねじスプライン54を備え、第1シャフトはカップ部に固定される。サーボモータ56の第2シャフト561は、第1シャフトに略平行であり、第1シャフトに垂直な方向において少なくとも一部が第1シャフトに対向する。これにより、昇降ユニットの高さが低減される。ボールねじナットおよび第2シャフトには互いに係合する第1および第2平歯車571,572がそれぞれ固定され、第1シャフトを昇降する際に、第2シャフトの回転がボールねじナットに減速して伝達される。これにより、昇降ユニットでは、カップ部の位置を保持する際にサーボモータにおいて必要となる回転トルクが小さくなり、消費電力の削減が図られる。 (もっと読む)


【課題】排気効率およびスペース効率を改善し、液切り乾燥直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止する。
【解決手段】上部および下部エアナイフ122U,122Lがそれらの間を通過する基板Gに対してナイフ状の鋭利な高圧エア流を吹き付けることにより、両エアナイフ122U,122Lの上流側の空間に多量のミストが発生する。基板Gの上で発生したミストの大部分は、下流側のFFU136から隙間Kを通って廻ってくる空気および入口118から入ってくる空気と一緒に上部排気口124に吸い込まれる。基板Gの下で発生したミストは、その全部がFFU136から廻ってくる空気および入口118から入ってくる空気と一緒に下部排気口126,128に吸い込まれる。 (もっと読む)


【課題】複数枚の基板の一括搬送および1枚の基板の枚葉搬送の切換えに要する時間を短縮することができ、構成も簡略化できる基板搬送装置およびそれを用いた基板処理装置を提供する。
【解決手段】搬出入機構4は、複数枚の基板Wを積層状態で一括して保持するバッチハンド40と、このバッチハンド40を進退させるバッチハンド進退機構と、1枚の基板Wを保持する枚葉ハンド39と、この枚葉ハンド39を進退させる枚葉ハンド進退機構と、バッチハンド進退機構および枚葉ハンド進退機構を保持する保持ベース41と、保持ベース41を上下動させる昇降ブロック43と、前記保持ベース41を鉛直方向に沿う旋回ブロック42とを含む。 (もっと読む)


【課題】回収カップとは別個に気液分離装置を設ける必要をなくして、基板液処理装置の小型化を図ること。
【解決手段】本発明では、基板を保持するとともに保持した基板を回転させるための基板回転機構と、基板に複数種類の処理液を選択的に供給する処理液供給機構と、基板に供給した後の処理液を回収するための回収カップと、処理液を回収するために回収カップに形成した複数の液回収部と、液回収部から回収した処理液を排出するために回収カップの底部に形成した排液口と、回収カップの排液口よりも上方側に形成した排気口と、排気口の上方を所定の間隔をあけて覆うために回収カップに形成した固定カバーと、基板に供給した後の処理液を液回収部へ案内するために固定カバーの上方に設けた昇降カップと、処理液の種類に応じて昇降カップを昇降させるためのカップ昇降機構とを有することにした。 (もっと読む)


【課題】超臨界工程を遂行する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、一面に基板が出入する開口が形成され、高圧工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記ハウジング内に設置され、前記基板を支持する支持部材と、前記開口を開閉するドアと、前記高圧工程の時、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアへ力を加圧する加圧部材と、を含む。 (もっと読む)


【課題】洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄された基板を乾燥させる処理を、簡易な装置構成で速やかに進行させること。
【解決手段】ウエハW表面に、昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように加熱された置換液を供給し、次いで、液状の昇華性物質を含む処理液を前記凝固点よりも高い温度にして共用ノズル5を介して供給する。前記置換液の供給により、リンス液の置換液による置換とウエハWの表面の加熱を同時に行うことができ、加熱されたウエハWに、前記凝固点よりも高い温度の処理液を供給しているので、ウエハW上に処理液の液膜を薄く広げることができる。加熱した置換液や処理液をウエハW表面に供給しているので装置構成が簡易なものとなり、また、処理液の薄い液膜を形成することができるため、昇華性物質の固化や昇華に要する時間が短縮され、基板を乾燥させるための処理が速やかに進行する。 (もっと読む)


【課題】 設備コスト、設置場所の縮小を図ることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 基板Wに対して剥離処理と洗浄処理を行なう基板処理装置において、導入された空気を窒素ガスと酸素ガスのガス成分に分離して取り出し可能とするガス分離モジュール9と、この分離モジュール9から分離取り出された窒素ガス、酸素ガスをそれぞれ用いたマイクロナノバブル発生装置5、6を設け、各発生装置で発生した微小気泡を剥離部2、洗浄部3にそれぞれ供給する。 (もっと読む)


【課題】基板の全面を十分に洗浄することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、基板を保持して回転させるスピンチャック2と、スピンチャック2に保持された基板Wに向けて処理液の液滴を吐出するノズル4とを含む。ノズル4には、処理液の液滴を吐出する複数の吐出口33が一列に並べられた列L1が複数列配置されている。ノズル4はノズルアーム18に保持されて、スピンチャック2に保持された基板Wの主面に垂直な垂直方向D1から見たときに基板Wの主面の回転中心C1を通る軌跡X1に沿って移動する。ノズル4は、垂直方向D1から見たときに複数の列L1と軌跡X1とが交差するようにノズルアーム18に保持される。 (もっと読む)


【課題】基板に対する処理性能を低下させることなく処理ユニットの占有スペースを減少し、より多くの処理ユニットが搭載できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Wfに対し、シート部材231を基板表面Wfに沿うように近接して張設し、基板表面Wfの上方の空間を外気から遮断する。基板表面Wfとシート部材231の間の空間には窒素ガスが供給され、基板表面Wfと外気との接触を遮断する。基板表面Wfが外気と接触しない状態になった時点で、基板表面Wfに対して処理液を供給して処理を行う。これにより、外気に接触することによって生ずるウォーターマークや金属配線の腐食等を防止することができる。また、処理液等が付着したシート部材231は、処理に応じて基板表面Wfに沿った方向に移動され、清浄な面を基板対向面とすることができるため、シート部材231から液体等が落下して基板表面Wfを汚染することがない。 (もっと読む)


【課題】基板の表面のフォトレジスト膜などの有機物または金属粒子などを除去する洗浄工程を簡略化し、半導体装置の製造コストを低減する。
【解決手段】SPM洗浄、APM洗浄およびHPM洗浄を行わず、過硫酸生成装置を用いて生成された過硫酸を含む硫酸溶液を用いて半導体ウエハの表面を洗浄し、フォトレジスト膜などの有機物または金属粒子などを除去した後に、半導体ウエハを純水洗浄し、乾燥させる。これにより、過酸化水素水の補充を必要とするSPM洗浄を行う場合に比べて高いレジスト除去性能を維持し、また、少ない工程で洗浄を完了することができる。 (もっと読む)


【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置1は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する2つの基板保持手段(吸着パッド2、スピンチャック3)を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材(ブラシ5)は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、2つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。 (もっと読む)


【課題】
プラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には安価に済むプラズマ電位計測方法及びそれを利用した装置を提供する
【課題を解決するための手段】
真空チャンバ1内の測定対象プラズマ2のプラズマ電位計測方法であって、該真空チャンバ1内に質量分析器3を配置し、前記プラズマ2と前記質量分析器3との間にバイアス電圧を印加して質量分析を実施し、イオンが検出された条件において、前記質量分析器3内のサプレッサー電圧を変化させていき、イオン電流が検出されなくなるサプレッサー電圧と前記バイアス電圧との関係からプラズマ電位を算出するプラズマ電位計測方法及び装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】ノズル支持アームをその長手方向軸を中心として回転させることができる場合でも、ノズルに接続される配管における配管抵抗を小さくすることができ、またこの配管の占めるスペースを小さくすることにより省スペース化を図ることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置10において、ノズル支持アーム82は、当該ノズル支持アーム82の移動方向に沿った長手方向軸を中心として回転可能となっており、ノズル支持アーム82は、ノズル82aに流体を送るための配管83p〜83uを有し、配管83p〜83uは可撓性材料から形成されている。配管83p〜83uは、ノズル支持アーム82が退避位置にあるときにノズル支持アーム82の後端部で当該ノズル支持アーム82の延びる方向に直交する平面上で渦巻き形状となるよう構成されている。 (もっと読む)


【課題】凍結洗浄技術を用いて基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する基板処理技術を、簡易な設備で、しかも低ランニングコストで提供する。
【解決手段】基板Wの表面に常温よりも高い凝固点を有する凝固対象液を供給して液膜を形成し、その液膜を凝固させて基板表面に凝固対象液の凝固体を形成した後、その凝固体を融解除去している。したがって、従来技術において凝固のために必須となっていた極低温ガスを使用する必要がなくなる。このため、ランニングコストを抑制することができる。また、供給ラインの断熱が不要となるため、装置や周辺設備の大規模化を防止することができ、プットプリントの低減を図ることができるとともに、装置や周辺設備のコストも抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】水蒸気中の不純物を低減することで基板上の微粒子等を確実に除去すること。
【解決手段】純水PWを加熱沸騰させて水蒸気を発生させる石英ガラス製の水蒸気発生容器110と、水蒸気発生容器110に純水PWを供給する純水供給部400と、水蒸気発生容器110で発生した飽和水蒸気SVを加熱して過熱水蒸気HVを生成する石英ガラス製の過熱水蒸気生成容器150と、過熱水蒸気生成容器150で発生した過熱水蒸気HVを基板Wの表面に噴射させる基板処理装置300とを備えている。 (もっと読む)


【課題】広範囲にわたる基板の処理を行うことができるとともに、設置面積を削減することができる基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した2流体を基板に向けて吐出して基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理室内に、ノズルの内部で2流体を混合して外部に吐出する内部混合手段と、ノズルの外部に2流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段とを設け、前記基板の表面側に前記外部混合手段を配置するとともに、前記基板の裏面側に前記内部混合手段を配置することにした。 (もっと読む)


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