【課題】基板を洗浄するのに使用された薬液を再生する基板処理装置及び薬液再生方法 が提供される。
【解決手段】本発明の基板処理装置１は基板の上の異物を洗浄する洗浄チャンバー２と、上記基板を洗浄するのに使用された第１薬液及び第２薬液を含む混合液を回収して再生する再生ユニット３と、を含み、再生ユニット３は、洗浄チャンバー２で回収された上記混合液を分離する分離ユニット３０と、分離ユニット３０と洗浄チャンバー２とを連結し、上記混合液が分離ユニット３０へ流入するようにする回収ライン７００と、一側が分離ユニット３０に連結され、分離ユニット３０で蒸発した混合液が排気される減圧ライン７１０と、減圧ライン７１０に設置され、分離ユニット３０の内部の圧力を低くする減圧ユニット４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板に対する異物の付着力を低下させることができ、ランニングコストを低減できる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】液滴ノズル１５からの液滴が基板Ｗの上面内の一部の領域だけに供給される。その後、基板Ｗの上面に保持されている液滴が冷却または加熱される。これにより、基板Ｗ上の液滴の温度が変化する。液滴に接しているパーティクルは、液滴によって冷却または加熱され、収縮または膨張する。 （もっと読む）

【課題】カップ部を昇降する昇降ユニットの高さを低減することを図る。
【解決手段】昇降ユニット５０は、第１シャフト５４１、ボールねじナット５４２およびスプラインナット５４３を有するボールねじスプライン５４を備え、第１シャフトはカップ部に固定される。サーボモータ５６の第２シャフト５６１は、第１シャフトに略平行であり、第１シャフトに垂直な方向において少なくとも一部が第１シャフトに対向する。これにより、昇降ユニットの高さが低減される。ボールねじナットおよび第２シャフトには互いに係合する第１および第２平歯車５７１，５７２がそれぞれ固定され、第１シャフトを昇降する際に、第２シャフトの回転がボールねじナットに減速して伝達される。これにより、昇降ユニットでは、カップ部の位置を保持する際にサーボモータにおいて必要となる回転トルクが小さくなり、消費電力の削減が図られる。 （もっと読む）

【課題】薬液を使用することなく、基板から膜を剥離して製造コストおよび環境負荷を低減することができる技術を提供する。
【解決手段】界面ＢＦでの超短パルスレーザービームのフルエンスが基板加工閾値よりも大きく、かつ膜加工閾値よりも小さくなるように設定された、超短パルスレーザービームが薄膜Ｆを介して界面ＢＦに照射される。このため、当該界面ＢＦでのレーザー照射部分で基板Ｗが選択的に加工されて基板Ｗと薄膜Ｆの結合が低下して薄膜Ｆが剥離される。このように薄膜Ｆに対して物理的あるいは化学的に作用させることなく、いわゆるドライ処理によってレーザー照射を行った部分の薄膜Ｆを選択的に剥離させることができる。したがって、薬液を使用することなく、薄膜Ｆを剥離させることができ、製造コストおよび環境負荷を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ヒータレスにて薬液の温調を行うことができる薬液温調装置および薬液温調方法を提供する。
【解決手段】温調槽２０に硫酸を含む薬液を貯留する。温調槽２０の薬液に添加液投入部３０から添加液として水を投入すると、硫酸の水和熱によって薬液の温度が上昇する。調合槽１０には硫酸の新液を貯留する。熱交換部４０を用いて調合槽１０の硫酸の新液と温調槽２０の薬液との間で熱交換を行い、新液を目標温度にまで昇温する。また、必要に応じて調合槽１０の新液を冷却部５０によって冷却する。調合槽１０の新液が予め設定された目標温度に到達した後に、その目標温度の新液を洗浄処理部８に送給する。硫酸と水とが反応することによって発生する反応熱を用いて調合槽１０の新たな薬液を目標温度にまで昇温しているため、ヒータレスにて薬液の温調を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させて基板の上面から処理液を除去して基板を乾燥する際に、基板の上面全体にわたって処理液の除去に要する時間を均一化して基板を良好に乾燥させる。
【解決手段】赤外線照射部５から出射される赤外線が基板Ｗの下方から基板中央部分Ｗcpに照射され、基板中央部分Ｗcpの上面に付着するＩＰＡ液で吸収される。この赤外線吸収によってＩＰＡ液の温度が上昇し、基板中央部分Ｗcpの上面に付着するＩＰＡ液の液膜温度が基板Ｗの周縁部分に付着するＩＰＡ液の液膜温度よりも高くなる。これにより、基板中央部分Ｗcpでの蒸発乾燥が基板Ｗの周縁部分での蒸発乾燥よりも促進され、基板中央部分Ｗcpと周縁部分との乾燥時間の差が抑制される。その結果、基板Ｗの上面Ｗus全体にわたって乾燥時間が均一化される。 （もっと読む）

【課題】各構成装置の配置の自由度が低下するのを防止することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造システム１０は、高温でウエハＷを処理する熱処理装置１２と、低温でウエハＷを処理する洗浄装置１３と、熱処理装置１２及び洗浄装置１３と着脱自在であり、熱処理装置１２と接続された場合に高温の冷却ガスが供給され、洗浄装置１３と接続された場合に低温の加熱ガスが供給される蓄熱モジュール１４とを備え、蓄熱モジュール１４は相変化材料５７が含浸された蓄熱材５２を内蔵し、供給される高温の冷却ガスの温度が相変化材料５７の温度よりも高い場合には、相変化材料５７が高温の冷却ガスから熱エネルギーを受け取って蓄積し、供給される低温の加熱ガスの温度が相変化材料５７の温度よりも低い場合には、相変化材料５７が低温の加熱ガスへ蓄積された熱エネルギーを受け渡す。 （もっと読む）

【課題】電力消費量を低減することができる基板処理装置および電源管理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板の処理のための工程を実行する複数のユニットＩＲ，ＳＨ、ＣＲ、ＭＰＣ、ＣＣと、複数のユニットにそれぞれ対応しており、対応するユニットに電力を供給するオン状態と、対応するユニットへの電力供給を停止するオフ状態との間で切り替わる複数のオン・オフ切替装置２２と、基板処理装置１に投入される基板の処理内容および終了期限を含む生産情報を取得し、処理内容に応じて複数のユニットによって行われる全ての工程が終了期限以前に完了するように、複数のユニットの稼働計画を表すタイムチャートを生産情報に基づいて作成し、タイムチャートに基づいて複数のユニットを稼働させると共に、タイムチャートに基づいて複数のオン・オフ切替装置２２を制御するメインコントローラ６とを含む。 （もっと読む）

【課題】凍結洗浄技術を用いて基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する基板処理技術を、簡易な設備で、しかも低ランニングコストで提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に常温よりも高い凝固点を有する凝固対象液を供給して液膜を形成し、その液膜を凝固させて基板表面に凝固対象液の凝固体を形成した後、その凝固体を融解除去している。したがって、従来技術において凝固のために必須となっていた極低温ガスを使用する必要がなくなる。このため、ランニングコストを抑制することができる。また、供給ラインの断熱が不要となるため、装置や周辺設備の大規模化を防止することができ、プットプリントの低減を図ることができるとともに、装置や周辺設備のコストも抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】誘電体バリア放電方式の放電部の耐久性を向上させる。
【解決手段】プラズマ処理装置は、誘電体バリア放電方式のプラズマ源の近傍に、コロナ放電方式のプラズマ源を設置し、コロナ放電によって生成されるプラズマを補助プラズマとして用いて、誘電体バリア放電によって生成される主プラズマの放電維持電圧を低下させる。 （もっと読む）

【課題】酸性処理液とアルカリ性処理液とにより生成される生成物が付着することを防止し、排気効率を向上させることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置１０は、被処理体Ｗに、酸性処理液またはアルカリ性処理液を供給する液処理部４０と、液処理部４０に連結された主排気ダクト６４と、主排気ダクト６４に、排気方向下流側から順にそれぞれ連結され、液処理部４０内の雰囲気を排出する複数の個別排気ダクト６１、６２、６３と、主排気ダクト６４と複数の個別排気ダクト６１、６２、６３の各々との間に設けられた複数の排気開閉弁７１、７２、７３と、を備えている。主排気ダクト６４は、分岐部６４ｂを有し、液処理部４０と主排気ダクト６４の分岐部６４ｂとの間に、洗浄流体を噴出する洗浄流体噴出部８０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】処理液を含む雰囲気の漏洩を抑制または防止するとともに、排気量を低減することができるポットおよびこのポットを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、薬液を吐出する薬液吐出口３ａを有する薬液ノズル３と、待機位置Ｐ１３に配置された薬液ポット５とを含む。薬液ポット５は、薬液吐出口３ａが配置される内部空間Ｓ１を区画するハウジング２５と、内部空間Ｓ１を仕切る仕切部材２６とを含む。ハウジング２５は、薬液ノズル３が挿入される挿入口２７と、挿入口２７より下方に配置された排出口２８とを有している。また、仕切部材２６は、挿入口２７と排出口２８との間の高さで内部空間Ｓ１を上方空間Ｓ２と下方空間Ｓ３とに仕切っている。仕切部材２６は、上方空間Ｓ２と下方空間Ｓ３とを接続する接続口３０を有している。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ上に生じるパーティクルを低減する超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】超臨界乾燥方法は、表面が薬液で濡れた半導体基板をチャンバ２１０内に導入する工程と、前記チャンバ内に超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の温度を前記薬液の臨界温度以上に調整し、圧力を前記薬液の臨界圧力以上に調整して、前記薬液を超臨界状態にする工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、前記超臨界状態の薬液を気体に変化させて、前記チャンバから排出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】汚れの除去と乾燥を同じ工程で行う洗浄であって、洗浄時間の高速化と洗浄処理物面積の広域化を可能とする省エネルギー型で、小型で高速の洗浄乾燥を可能にする、洗浄乾燥方法および装置を提供する。
【解決手段】洗浄除去すべき物質を含む被処理物１１の洗浄乾燥方法であって、該被処理物１１を大気圧下の洗浄乾燥室１８に搬入する工程、加圧過熱液体または加圧過熱蒸気の状態にある洗浄溶剤を該洗浄乾燥室１８内に噴射する工程、および洗浄乾燥された該被処理物１１を該洗浄乾燥室１８から搬出する工程を含み、該洗浄乾燥室１８内に噴射された該洗浄溶剤から発生する該洗浄溶剤の蒸気の大気圧での体積が、該被処理物１１を該洗浄乾燥室１８に搬入した際の該洗浄乾燥室１８内における空隙容積の１００倍以上であることを特徴とする、洗浄乾燥方法、およびその方法を実施するための洗浄乾燥装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】真空励起管の洗浄に際し、該真空励起管の真空状態を維持しつつ、該真空励起管を洗浄する方法、及び、この方法を用いる真空処理装置を提供する。
【解決手段】
真空処理装置は、真空チャンバ２０と石英を構成材料とする放電管１０ａを備えるマイクロ波アプリケータ１０とを備えて構成され、該放電管１０ａにてアンモニアガスを励起し、その励起種を真空チャンバ内へ供給して、基板の自然酸化膜を除去するものである。また、放電管１０ａにおける真空チャンバ２０の反対側からこれを排気しつつ、三フッ化窒素ガスと塩素ガスとを放電管１０ａの真空チャン２０バ側からこれに供給して、同放電管１０ａ内にフッ化塩素を生成し、放電管１０ａの内表面に形成された窒化ケイ素とフッ化塩素とを反応させて、窒化ケイ素を放電管１０ａの内表面から排気除去する。 （もっと読む）

【課題】消耗部材の交換頻度を低減できる半導体デバイスの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体デバイスの製造装置は、基板の処理条件毎に消耗部材の消費量が記憶されている第１の記憶部と、消耗部材の使用限度と現在の消費量がプロセスチャンバ毎に記憶されている第２の記憶部と、第１，第２の記憶部を参照して、プロセスチャンバ毎に基板の処理可能枚数を算出する算出部と、算出したプロセスチャンバ毎の処理可能枚数に基づいて、基板の処理を指示する割当部と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】照射効率の高い超音波照射装置を提供することを目的とする。
【解決手段】超音波と洗浄媒体とで基板の洗浄を行う超音波照射装置１２に、超音波を発生する振動子３２と、振動子から発生した超音波を所定の位置にライン状に集束させる、焦点を有する放物面形状３６Ａの表面を持つ反射レンズ３６と、を少なくとも備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】 基板を回転させながら所定の処理を施す基板処理装置において、基板を支持部材に均一に押圧させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 スピンベース３０の周縁部には、立設された支持ピン３１０が複数個設けられている。そして、支持ピン３１０に基板Ｗが略水平状態で支持されている。基板Ｗの表面Ｗｆに遮断部材５０を近接して対向配置された状態で、ガス吐出口５０２から所定の角度で基板Ｗにガスを吐出する。これにより、基板Ｗはその上面側に所定の角度で供給されるガスによって、支持ピン３１０に押圧されて確実にスピンベース３０に保持される。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の反応炉部品上の残留反応生成物（不可視膜）の有無を、簡単な方法で検知できる反応生成物の検知方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を気相成長させた後の反応炉部品１１上に付着した反応生成物を洗浄した後、反応炉部品１１に特定の波長の光、例えば、ブラックライト１６を照射して反応炉部品１１上に残留する反応生成物の発光状態を検出することにより、反応炉部品１１上の反応生成物の残留状態を検知する。 （もっと読む）

本発明は、実質的に水分を含まないフォトレジスト剥離用組成物に関する。特に、イオン注入工程の後にフォトレジストを剥離するのに有用な実質的に水分を含まないフォトレジスト剥離用組成物であって、
（ａ）アミン
（ｂ）有機溶媒Ａ，及び
（ｃ）共溶媒、
を含み、組成物は実質的に水分を含まない（＜３質量％Ｈ₂Ｏ）。本発明は、同様に、本発明の組成物を用いてポストイオン注入フォトレジスト剥離のプロセスを提供する。 （もっと読む）