【課題】共振器面として、密着性が非常に良好で、十分な放熱性を確保することができ、信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基板と、該基板上に積層され、その表面にリッジを有する窒化物半導体層と、該窒化物半導体層と電気的に接続する電極とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、前記リッジ側面から該リッジ両側の窒化物半導体層の上面にかけて形成されたＡｌ含有窒化物膜からなる第１膜と、前記窒化物半導体層に形成された共振器面と前記窒化物半導体層の上面に形成された前記第１膜を被覆し、かつＡｌ含有窒化物膜からなる第２膜とを備えていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リッジなどが形成されて平坦でない半導体表面に対しエピタキシャル成長を行った際に生じる半導体層の突起による弊害を回避できる半導体光素子とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたリッジと、前記リッジの側面に接して形成された半導体層とを備える。そして、前記リッジの側面であって前記半導体層に埋め込まれた部分の上端部分には（１１１）Ｂ面が形成される。 （もっと読む）

【課題】 高速大容量の光伝送が可能な集積型光半導体素子および光モジュールを提供する。
【解決手段】 半絶縁性材料で埋め込まれた光素子が複数同一基板上に集積された集積型半導体光素子およびこれを用いた光モジュールにおいて、光素子毎に埋込層の構成（材料や電気特性）を異ならしめる。 （もっと読む）

【課題】実装の際にワイヤボンディングが不要で、かつ、オーミック抵抗が低い半導体レーザと、その製造方法を提供する。
【解決手段】第1導電型クラッド層20と、活性層30と、電流ブロック部40と、第2導電型クラッド層50と、コンタクト層60と、第1電極70と、第2電極80と、貫通電極90とを備えて構成される。活性層は第1導電型クラッド層の第1の主表面側に形成され、電流ブロック部は第1導電型クラッド層上の活性層の両側に形成されている。第2導電型クラッド層は活性層及び電流ブロック部上に形成され、コンタクト層は第2導電型クラッド層上に形成されている。第1電極は第1導電型クラッド層の第2の主表面上に形成され、第2電極はコンタクト層上に形成されている。貫通電極は、第1導電型クラッド層、電流ブロック部、第2導電型クラッド層及びコンタクト層を貫通する貫通孔内に形成され、第1電極及び第2電極のいずれか一方と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであって、電流阻止領域のリ−ク電流が小さく、高出力動作や高温動作が可能な半導体装置提供することを目的とする。
【解決手段】 ｎ型基板上に、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層に挟まれた活性層を含むダブルへテロ構造を有するメサストライプと、該ダブルへテロ構造のメサストライプ側面部に一の材料で構成されるｐｎ接合からなる電流阻止領域を有する半導体装置において、前記電流阻止領域を構成するｎ型電流阻止層の開口端と前記メサストライプを構成する前記ｐ型クラッド層の離間距離ｔは２０ｎｍ乃至４０ｎｍであって、かつ前記活性層の垂直方向の中心から前記ｎ型電流阻止層の上端までの距離ｈ_１と前記活性層の垂直方向の中心から前記メサストライプを構成するｐ型クラッド層の上端までの距離ｈ_２の比（ｈ_１／ｈ_２）が０．９４以上１未満であることを特徴とする （もっと読む）

【課題】基板に付着している大気の成分を除去する。
【解決手段】ロードロック室に基板が搬入されると、ロードロック室の中は、まず排気され、その後パージガスが導入されて圧力が上昇する。そしてロードロック室は再び排気される。これにより、基板上に付着している大気の成分は除去される。その後、基板はロードロック室から処理室に搬送され、処理室の中で処理される。基板を処理する工程は、例えば大気に含まれる成分と反応するガスを用いて基板に膜を成膜する工程である。 （もっと読む）

【課題】
素子特性の低下や結合損失の増加を抑えることができる半導体光集積素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
まず、半導体基板１１の第３の領域３Ｃを含む主面１１ａ上に単一半導体層からなる光導波層１５を形成する。次に、第２の領域３Ｂ及び第３の領域３Ｃの光導波層１５上に第1エッチングマスク１９Ａを形成し、これを用いて第1の領域３Ａの光導波層１５を除去する。次に、第1の領域３Ａの主面１１ａ上に第1活性層２１を含む第１半導体積層２２を形成する。次に、第1の領域３Ａの第１半導体積層２２上及び第３の領域３Ｃの光導波層１５Ａ上にわたって第２エッチングマスク１９Ｂを形成し、これを用いて第２の領域３Ｂの光導波層１５Ａを除去する。次に、第２の領域３Ｂの主面１１ａ上に、第２活性層２３を含む第２半導体積層２４を形成する。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄部に歪などをもたらすことなく、十分な電流狭窄を行なうことができ、簡便に作製することが可能な半導体素子、特には半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体からなるｐ型半導体部を有する半導体素子であって、該ｐ型半導体部は、隣接して積層される第１の層および第２の層の少なくとも２層を有し、第１の層と第２の層との境界面は、平坦な領域と、１または複数の凹凸を伴う領域とから構成されることを特徴とする半導体素子、特には半導体レーザ素子、ならびにこれを用いた照明装置および画像受像機。 （もっと読む）

【課題】ホールバーニングによる利得の局所的な低下を少なくして発光効率を向上させることができる半導体光素子、及び、その製造方法を得る。
【解決手段】本発明に係る半導体光素子は、量子ドット６ａを含む活性層６を備えた半導体光素子である。そして、活性層６内の共振器方向において、光子の密度が相対的に大きい部分の量子ドット６ａの密度が、光子の密度が相対的に小さい部分の量子ドット６ａの密度よりも、相対的に大きい。 （もっと読む）

【課題】製造の過程において臨界膜を越えることを避けることが可能な、半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の領域１１ａ上の半導体メサ１１ｄ上および第２の領域１１ｂ上のそれぞれに、クラッドおよび歪み量子井戸構造のための複数の半導体膜２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａを成長するので、第１の領域１１ａ上に成長される半導体膜２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａは、第２の領域１１ｂ上に成長される複数の半導体膜から実質的に分離される。これ故に、半導体メサ１１ｄ上には、実質的に分離された半導体膜２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａが堆積される。歪みを内包した量子井戸構造のための半導体膜２３ａの結晶が弾性的に変形でき、実質的に分離された半導体膜２３ａの応力が転位等の発生無しに低減される。 （もっと読む）

【課題】省スペースかつ冷却効率の向上が可能な、半導体素子、半導体モジュールおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体チップやレーザチップの熱を異方性熱伝導部材を用いて、これとヒートシンク等を適宜組み合わせることにより放熱することを可能にした半導体素子である。異方性熱伝導部材は、フォノンの平均自由行程及び波長に応じて層厚が調整された積層構造の部材であり、半導体チップやレーザチップの熱を所定の方向に移動し、ヒートリードやヒートシンクに放熱する。また、異方性熱伝導部材を、半導体素子及びこれを用いた半導体モジュール、電子機器に用いることによって放熱特性に優れた製品が獲られる。 （もっと読む）

【課題】活性層の厚さが０．３μｍ以上の半導体光増幅器において、活性層内の利得の不均一性を抑える。
【解決手段】ｎ型InP基板１の上に、ｎ−InPバッファ層２、InGaAsP活性層３、第１ｐ−InPクラッド層４が積層されている。これらの層の側面に、価電子帯のエネルギー準位が、第１ｐ−InPクラッド層４よりも大きく、InGaAsP活性層３よりも小さいInGaAsP中間層７を設けた構造とする。上記構造とすることにより、正孔は、InGaAsP活性層３の上面から直接注入される第１経路と、第１ｐ−InPクラッド層４からInGaAsP中間層７を介してInGaAsP活性層３の側面から注入される第２経路との２つの経路を経由して注入される。これにより、InGaAsP活性層３内部の正孔の分布の偏りを緩和することができる。従って、活性層内の利得の不均一性を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】幅広い温度範囲において、縦モードがマルチモード発振特性及び温度特性を安定に維持し且つ温度特性が良好な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、基板１０１上に、第１のクラッド層１０３と、第１のクラッド層１０３上に形成された活性層１０４と、活性層１０４上に形成され、活性層１０４に電流を注入するためのリッジストライプ１１１を有する第２のクラッド層１０５と、リッジストライプ１１１の両側に形成され、電流がリッジストライプ１１１に狭窄されるようにするための電流狭窄層１０９とを有する発光部を備える。ここで、電流狭窄層１０９の下面から活性層１０４の上面までの距離ｄ１が所定の範囲の値である。また、電流は、リッジストライプ１１１を通過した後、活性層１０４に到達するまでにリッジストライプ１１１の幅以上に広がっている。 （もっと読む）

【課題】製作の過程でＩｎＡｌＧａＡｓ層の一部（先端部）が表面に露出されるため露出部分が酸化されて、その上面にクラッド層を形成する際に該クラッド層の表面に凹凸が発生したり、該クラッド層に欠陥が生じレーザ特性が低下したり歩留まりが低下する。
【解決手段】活性層１２の側方部に設けられる電流ブロック層２９として、Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ層２１、２２等を含む複数のブロック層を用い、上記Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ層とクラッド層３との間に、該Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ層よりも耐酸化性を有するブロック層２８が介装され、電流ブロック層成長後、該Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ層が電流ブロック層の表面に露出されないように構成した。 （もっと読む）

【課題】二波長レーザ装置等のモノリシック集積レーザ装置において、１度の不純物拡散工程によって、活性層における出射端面近傍領域の各々に良好な窓領域が形成された、半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、第一導電型の第１のクラッド層、出射端面近傍に第１の窓領域を有する第１の活性層、及び第二導電型の第１のクラッド層が下から順に積層されてなる、第１の波長の素子と、第一導電型の第２のクラッド層、出射端面近傍に第２の窓領域を有する第２の活性層、及び第二導電型の第２のクラッド層が下から順に積層されてなる、第２の波長の素子とを備え、第二導電型の第１のクラッド層の格子定数及び第二導電型の第２のクラッド層の格子定数は、第１の活性層における第１の窓領域に含まれる不純物の拡散速度と第２の活性層における第２の窓領域に含まれる不純物の拡散速度との差異が補償されるように調整された定数である。 （もっと読む）

【課題】 エッチング加工時に生じた損傷による結晶欠陥が、通電動作によって活性層に伝播することを防ぎ、動作寿命の長い素子を提供する。
【解決手段】 基板と、少なくとも第１クラッド層を含む第１導電型の半導体層と、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる活性層と、少なくとも第２クラッド層を含む第２導電型の半導体層とを有する化合物半導体レーザであって、第２導電型の半導体層には、リッジ構造が設けられており、リッジ構造の外部には、少なくともＺｒＯ₂を含む誘電体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 偏波依存性を低減可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施形態に係る半導体光素子は、第１導電型の下部クラッド層と、第２導電型の上部クラッド層と、下部クラッド層と上部クラッド層の間に設けられた活性層とを備えている。下部クラッド層は、活性層における光の導波方向に延びる第１の領域と、該第１の領域の両側に設けられた第２の領域とを有している。活性層は、第１の領域に支持されている。ＴＥモードの利得とＴＭモードの利得とが実質的に等しくなるように、活性層の層厚が、導波方向において変化している。 （もっと読む）

【課題】 消費電力が少なく、熱的機械的に安定な多波長半導体レーザ素子および多波長半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板の主面に形成され、特定波長の発振光を放射する第１半導体レーザ素子１２と、第１半導体レーザ素子１２と発振光の光軸が実質的に同一光軸をなすように光軸平行に近接して配置され、第１半導体レーザ素子１２の共振器長Ｌ１より短い共振器長Ｌ２を具備し、特定波長と異なる波長の発振光を放射する第２半導体レーザ素子１３と、第１および第２半導体レーザ素子１２、１３の活性層にそれぞれ電気的導通を取るための電極１７、１８、１９と、第１半導体レーザ素子１２の光軸と平行な側面および第２半導体レーザ素子１３の光軸と垂直な端面にそれぞれ近接して配置され、上面に絶縁膜２０が形成された凸部１４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 高出力レーザ素子の出力低下なしに、低出力レーザ素子駆動時の消費電力を低減する半導体レーザ装置を提供することである。
【解決手段】 半導体レーザ装置は、発振波長が異なる２つの半導体レーザ素子１０ａ、１０ｂを基板１２上に設けた素子１０を搭載し、半導体レーザ素子１０ａを共振器長が短くなる方向に二分する分離溝２０を設け、後方の素子をフォトダイオード１０ｃとし、長共振器長の素子１０ｂを高出力レーザ素子とし、短共振器長の素子１０ａを低出力レーザ素子としている。 （もっと読む）