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Fターム[5F173AA46]の内容

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【課題】PDGが小さい光増幅器をえる。
【解決手段】入射光の入力及び出射光の出力を行う入出力部と、入出力部から入力された入射光の偏光成分を分岐して、第1の偏光を有する第1偏光モード光、及び、第1の偏光と異なる第2の偏光を有する第2偏光モード光を出力する偏光分離部と、第1偏光モード光が入力され、第1の偏光を第2の偏光に変換して、第1偏光変換光を出力する偏光変換部と、導波路の一方の端部に入力された第1偏光変換光が増幅されて他方の端部から出力され、他方の端部に入力された第2偏光モード光が増幅されて一方の端部から出力される、光増幅部と、を備え、光増幅部に入力される光の、単位強度当たりの利得の変化の絶対値が、0.16dB/dBm以下である半導体光増幅器を用いることにより、PDG0.5dB以下の光増幅装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】PBH構造の半導体光素子に含まれる導波路部の電気的な分離を行うために設けられる分離溝が適切に形成されないことに起因してリーク電流が発生してしまうのを抑止する。
【解決手段】n型InP基板10の上にメサストライプ状の活性層12を形成する工程と、活性層12の両隣に、活性層12よりも高い位置までRu−InP層14を形成する工程と、Ru−InP層14の表面に設けた分離溝形成領域20にシリコン酸化膜18を形成する工程と、シリコン酸化膜18が形成された前記Ru−InP層14の上に、P−InP層16を結晶成長させて形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体光素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】活性層における電力変換効率を悪化させることなく、かつ電極とキャップ層との接触抵抗を低減可能とする半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子1は、互いに対向する第1の面1a及び第2の面1bを有する第1導電型の半導体基板1と、第1の面1aの上方に形成された第1導電型のクラッド層4と、クラッド層4上に形成された活性層5と、活性層4上に形成された第2導電型のクラッド層6と、クラッド層6の上方に形成された第2導電型のリッジ12と、リッジ12上に形成された第1の電極14と、第2の面1bに形成された第2の電極15と、を備えている。リッジ12は、多結晶膜又は結晶粒子の集合体膜であり、かつ第1の電極14に接続する第2導電型の接触抵抗低減化膜11を備えている。 (もっと読む)


【課題】 自励発振機能を有し、動作特性が良好で、かつ、素子寿命が長い端面発光型半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
半導体結晶層の積層体と、光出射端面とを含み、前記積層体が、活性層103と、可飽和吸収層105と、光導波路とを含み、
可飽和吸収層105は、結晶構造中に(0001)面を含み、
可飽和吸収層105の(0001)面の法線ベクトル<0001>の可飽和吸収層105主面への投影ベクトルをA、前記光出射端面から出射される直前の光の導波方向のベクトルをBとし、AとBのなす角をθとしたとき、|A|>0、かつ、0≦|cosθ|<1であり、
可飽和吸収層105の不純物濃度は、可飽和吸収層105以外の前記半導体結晶層のうち最も不純物濃度が高い層の不純物濃度以下であることを特徴とする端面発光型半導体発光素子。 (もっと読む)


【課題】更なる小型化を可能にする波長ロッカー集積型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子1Aは、半導体基板3上に並んで設けられた半導体レーザ領域10及び波長モニタ領域20を備える。半導体レーザ領域10は、利得導波路を含む第1の光導波路と、第1の光導波路の光軸と交差することにより第1の光導波路の反射端面を構成する一対の膜137a,137bとを有する。波長モニタ領域20は、一対の膜137a,137bを介して第1の光導波路と光学的に結合された光導波路21を有する。光導波路21は3本の光導波路211〜213に分岐しており、2本の光導波路211,213は、波長−透過率特性の繰り返し周期が互いに異なるリング共振器をそれぞれ構成している。各光導波路211〜213は、3つのフォトダイオード構造22のそれぞれと光学的に結合されている。 (もっと読む)


【課題】樹脂層に埋め込まれたストライプ状構造部を有する半導体レーザ素子の製造方法であって、配線の段切れを低減することが可能な半導体レーザ素子の製造方法等を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、リッジ導波路17Rを形成する工程と、保護層25を形成する工程と、リッジ導波路17Rを埋め込むようにベンゾシクロブテンからなる樹脂層27を形成する工程と、開口29Pを有するレジスト層29を樹脂層27上に形成する工程と、樹脂層27を保護層25が露出しない深さだけエッチングする工程と、レジスト層29の開口29Pをリッジ導波路17Rの延び方向と直交する方向に拡大する工程と、樹脂層27をエッチングして保護層25を露出させる工程と、保護層25をエッチングすることにより、リッジ導波路17Rの表面17RSを露出させる工程とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】素子単体でスペックルが低減された半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、基本横モードと1次横モードとを許容する能動多モード導波路と、前記基本横モードが前記1次横モードよりも多く分布する第1の活性層領域と、前記1次横モードが前記基本横モードよりも多く分布する第2の活性層領域と、を有する活性層と、を備え、前記第1の活性層領域の発光波長と、前記第2の活性層領域の発光波長が異なることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】再生系光ディスクシステムの光源に十分に使用可能な、安定した自励発振特性を有するIII族窒化物からなる半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板11の上に形成され、AlGa1−xNからなるn型クラッド層13と、n型クラッド層13の上に形成されたMQW活性層15と、MQW活性層15の上に形成され、AlGa1−yNからなるp型クラッド層19と、p型クラッド層19の上に形成されたp型コンタクト層20と、基板11とn型クラッド層13の間に形成され、AlGa1−zNからなるn型反射抑制層12とを有している。n型クラッド層13におけるAl組成x、p型クラッド層19におけるAl組成y及びn型反射抑制層12におけるAl組成zは、x<zで且つy<zの関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】素子抵抗の低減、結晶歪みの抑制およびサイドリーク電流の発生抑制を実現し得る半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子10Aは、下部電極層11と、下部電極層11上に形成された下部クラッド層23と、下部クラッド層23上に形成された発光層24,25,27と、電流狭窄層18A,18Bと、これら電流狭窄層18A,18B上に形成された上部クラッド層28と、上部クラッド層28上に形成された上部電極層12Aとを備える。上部クラッド層28は、方向13の分極電界を有する第1電界層286と、逆方向14の分極電界を有する第2電界層285とを含む。 (もっと読む)


【課題】内部電流狭窄層を有する埋込型の窒化物半導体レーザ装置において、電気抵抗の上昇に伴う動作電圧の増大を抑制して、安定な動作特性が得られるようにする。
【解決手段】n型GaN基板100上に、n型AlGaNクラッド層102、n型GaN光ガイド層103、活性層104、p型GaN光ガイド層105、n型不純物を含むAlGaN第1電流狭窄層106、n型不純物を含むAlGaN第2電流狭窄層107、p型GaN第1再成長層108、及びp型AlGaN第2再成長層109が順次形成されている。第1電流狭窄層106はストライプ状の第1開口部111を有する。第2電流狭窄層107は、第1開口部111と接続し且つ活性層104から離れるに従って拡がっていく第2開口部112を有する。第1開口部111の側壁の基板主面に対する傾斜角は58°よりも大きく、第2開口部112の側壁の基板主面に対する傾斜角は58°以下である。 (もっと読む)


【課題】基板に付着している大気の成分を除去する。
【解決手段】ロードロック室に基板が搬入されると、ロードロック室の中は、まず排気され、その後パージガスが導入されて圧力が上昇する。そしてロードロック室は再び排気される。これにより、基板上に付着している大気の成分は除去される。その後、基板はロードロック室から処理室に搬送され、処理室の中で処理される。基板を処理する工程は、例えば大気に含まれる成分と反応するガスを用いて基板に膜を成膜する工程である。 (もっと読む)


【課題】ホールの注入を妨げる障壁の形成を回避可能であり量子細線の埋め込みを制御可能な構造を有する半導体レーザ及びこの半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザは、n型半導体からなる第1クラッド層13上に設けられた第1光閉じ込め層15と、周期的に配列された複数の量子細線17と、各量子細線17の側面及び第1光閉じ込め層15上に設けられた第1の部分と各量子細線の上面上に設けられた第2の部分とを有し、量子細線を埋め込む埋め込み半導体領域19と、p型GaInAsP半導体からなり埋め込み半導体領域19上に設けられた第2光閉じ込め層21とを備える。故に、埋め込み半導体領域19は量子細線17の上面上にも形成される。一方、埋め込み半導体領域19はAlInAs半導体からなるので、ホールの注入を妨げる障壁とはならない。 (もっと読む)


【課題】スロープ効率の低下を抑制し、良好な素子特性が得られる能動MMI型半導体レーザを提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、能動多モード干渉導波路110bと、能動多モード干渉導波路110b内の光強度に応じて形成され、能動多モード干渉導波路110b内の電流量を制御する電流制御構造104bと、を有することを特徴とするものである。電流制御構造104bにより、無効電流を十分低減できると同時に、結合損失をほぼ零にすることができる。 (もっと読む)


【課題】 結晶性の悪化を抑制し、信頼性向上可能な半導体光集積素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 先ず、半導体基板10上に第1活性層30aを成長する。次に、光導波路
方向に沿って所定の間隔で配置された第1部分42aと第2部分42bを有し、第2部分42bの光導波路方向における長さが第1部分42aの光導波路方向における長さより短いエッチングマスク42を第1活性層30a上に形成する。次に、エッチングマスク42を用いてエッチングマスク42が存在しない部分の第1活性層30aをエッチングする。次に、エッチングマスク42を選択成長マスクとして用いて、第1活性層30aがエッチングされた半導体基板10上に、第2活性層30bを成長する。 (もっと読む)


【課題】 従来の長波長レーザにおいて、動作点が安定せずにレーザ発振を不安定にするという課題があった。
【解決手段】 表面プラズモン導波路の表面電流が極大となる部分に抵抗体を備え、表面プラズモン導波路における第一のクラッドと第二にクラッドの間の電位差を安定化する。 (もっと読む)


【課題】 高温時におけるキャリアのリークの増加を抑えつつ活性層へのキャリアの閉じ込め効果を向上可能な半導体光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体光素子1は、第1導電型の半導体基板10上に設けられており活性層30を含む半導体メサ部2と、半導体メサ部2の活性層30の側面上に設けられており半導体メサ部2を埋め込む第2導電型の第1埋め込み層60aと、第1埋め込み層上に設けられた第1導電型の第2埋め込み層60bと、第1埋め込み層60aと半導体メサ部2の活性層30との間に設けられたキャリア漏れ防止層50と、を有し、キャリア漏れ防止層50は第1埋め込み層60aのバンドギャップエネルギーより大きいバンドギャップエネルギーを有する。
(もっと読む)


【課題】窒化物半導体のクラックの発生を抑制し、かつ端面において保護膜の剥がれが生じず、良好な特性及び高寿命を実現する窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】第1主面と該第1主面に対向する第2主面とを有する導電性基板と、該導電性基板の第1主面上に、第1窒化物半導体層、活性層及び第2窒化物半導体層が順に積層された窒化物半導体層と、前記導電性基板の第2主面上に形成された電極と、前記窒化物半導体層の共振器面に接触する保護膜と、を有する窒化物半導体レーザ素子であって、前記電極の共振器面側の縁部が、前記共振器面よりレーザ素子の内側に位置しており、前記保護膜が、前記共振器面から前記導電性基板の第2主面に接触するように形成されており、かつ、前記共振器面に接触する保護膜と前記導電性基板の第2主面に接触する保護膜との結晶構造が異なる窒化物半導体レーザ素子。 (もっと読む)


【課題】 リッジ型半導体光デバイスにおいて高速性と高信頼性を併せ持つ構造を実現する。
【解決手段】 本願発明は、メサストライプの両脇を活性層に達しない深さで矩形状に掘り込んだリッジ型半導体光デバイスにおいて、当該矩形状の底部の一部に導電阻止構造を設けた構造を有する半導体光デバイス装置である。導電阻止構造は、例えば、溝或いは半導体に不純物がイオン注入された構造により達成される。 (もっと読む)


【課題】半導体レーザにおいて、比較的高い放射品質を提供すると同時に電気特性も向上させる。
【解決手段】半導体レーザ1には、電磁放射を発生させるための活性領域3を含む半導体層列2と、高次のモードを減衰させるための吸収領域4が設けられており、この吸収領域4は半導体層列2内に配置されているかまたは半導体層列2に接している。 (もっと読む)


【課題】トンネル接合を有する面発光レーザ(VCSEL)素子の低抵抗化及び高出力化を図る。
【解決手段】VCSEL素子10は、n型下部DBRミラー12とn型上部DBRミラー19との間にトンネル接合17を有し、トンネル接合17は、p+−GaAs層31とn+−InGaAs層33との間に2.5モノレーヤ厚みの量子ドット層32を有する。量子ドット層32は、小さなバンドギャップエネルギーを有し、トンネル接合17内のトンネル確率を上げることにより、VCSEL素子10の低抵抗化及び高出力化を可能にする。 (もっと読む)


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