【課題】容易且つ確実にＴＥ−ＴＭ偏波間利得差を所期値以下に抑え、半導体基板間の製造ばらつきを低減し、製造ロット毎の歩留まりを大幅に向上させることを可能とする光半導体装置を実現する。
【解決手段】ＳＯＡは、半導体基板１と、半導体基板１の上方に形成され、量子ドット３を有する光学的に結合した単一の活性層５を備えた光導波路１１とを含み、光導波路１１は、ＴＥモード偏波利得及びＴＭモード偏波利得の一方が他方よりも大きい第１の領域１１ａと、他方が一方よりも大きい第２の領域１１ｂとを備えており、全体としてＴＥモード偏波利得とＴＭモード偏波利得との差が所定範囲内に調節されている。 （もっと読む）

【課題】複数のレーザ素子から出射されるレーザ光を受光してその電流値をモニタする際に、複数のレーザ素子が実装されたサブマウントの表面状態によるモニタ電流値のバラツキを低減することができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】サブマウント５２の表面には、半導体レーザチップ５０が実装されている。サブマウント５２の実装面には、拡張共通電極３０ｂが形成されている。拡張共通電極３０ｂは、半導体レーザチップ５０に設けられた共通電極３０と接続されて連続的に一体的に形成されている。拡張共通電極３０ｂは、半導体レーザチップ５０の後方側に開口部３０ａを有する。また、半導体レーザチップ５０の後方側には、半導体レーザチップ５０の一端から放射される光を検出するための受光素子５５が配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ（ストライプ状の活性層）が高密度に配置された半導体レーザを提供すること。
【解決手段】互いに離間してストライプ状に設けられた、複数の活性層１０と、活性層１０のそれぞれに対応して、活性層１０の上側に設けられた複数の電極１２と、半導体からなり、活性層１０の間の領域にそれぞれに設けられ、電極１２よりも高い位置にその上面が位置する支持部４０と、複数の電極１２のうち１つと電気的に接続されるとともに、複数の支持部４０によって支えられて、当該複数の支持部４０の間に位置する電極１２と離間した構造を備える配線１６と、を備えることを特徴とする半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】無効なリーク電流を抑制し、高効率および高速動作を実現する。
【解決手段】ｐ型ＩｎＰ半導体基板７上に、ｐ型クラッド層４、活性層３、および、ｎ型クラッド層２を有する活性層部からなる半導体レーザ部と、半導体レーザ部の両側を埋め込む電流狭窄層とを備えた半導体レーザの製造方法であって、前記電流狭窄層は、第一のｐ型ＩｎＰ層９、ＲｕドープＩｎＰ層５、および、第二のｐ型ＩｎＰ層１１を有し、ＲｕドープＩｎＰ層５が、第一および第二のｐ型ＩｎＰ層９，１１にのみ接するように形成する。当該構成を得るため、ＲｕドープＩｎＰ層５の成長の途中でハロゲン元素を含むガスを導入する、もしくは、ＲｕドープＩｎＰ層５の成長開始時にガスを導入し、成長途中でガス導入量を変え、ＲｕドープＩｎＰ層５の成長完了後にガス導入を停止させる。 （もっと読む）

【課題】光集積デバイスの素子と、素子との界面に流れる電流による、特性の劣化を抑える。
【解決手段】基板上に形成され、第１光路を有する第１導波路と、第１導波路上に形成された電極と、基板上に形成され、第２光路を有する第２導波路と、第１光路よりバンドギャップエネルギーが大きい材料で形成されて光路となる透明コアを有し、基板上の第１導波路及び第２導波路の間に形成された透明導波路と、を備え、電極は、第１導波路の上方に形成されており、かつ、透明導波路の上方には形成されておらず、第１導波路を有する素子は、電流注入により動作する光学的能動素子である光集積デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】マストランスポートを抑制したバットジョイントを有する光集積デバイスを得る。
【解決手段】基板と、マストランスポートが基板より遅い材料で基板上に形成され、基板のマストランスポートを抑制する抑制層と、抑制層上に形成された第１導波路層と、第１導波路層上に形成され、第１導波路層の端面より内側に端面を有する上部層と、抑制層上に形成され、第１導波路層の端面に接する第２導波路層と、を備える光集積デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子にキャリアを注入することによって発生した熱の排熱効率を高くして、半導体光素子における、キャリアの再結合によるエネルギーから光への変換効率を高くする。
【解決手段】基板と、基板上の、第１の軸線、および、第１の軸線と所定の角度で交差する第２の軸線のいずれに対しても、所定の周期Ｔ１を有する位置に２次元的に配置され、キャリアが注入されて発光する活性層を有する複数の半導体光素子を備え、当該位置の少なくとも一つは、複数の半導体光素子のいずれもが形成されていない非光素子位置である、２次元光素子アレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】利得、飽和出力の低下を抑制する半導体光増幅器を提供する。
【解決手段】半導体光増幅器は、半導体基板１と、その上方に形成されバリア層２に挟まれたコラムナ量子ドット層を複数層含み、各コラムナ量子ドット層は、量子ドット層とサイドバリア層７とを交互に成長し、サイドバリア層が量子ドットの側面を囲む活性層２１と、活性層上方に形成されたクラッド層２５と、クラッド層と半導体基板に接続された電極１６、２７と、を有し、複数のサイドバリア層を積層した積層部のバンド構造の価電子帯のバンド端準位が、エネルギ的に、バリア層２の価電子帯のバンド端準位と同等であるか、より高く、さらに、コラムナ量子ドット層の最上のサイドバリア層とその第２導電型電極側のバリア層との間に配置され、価電子帯のバンド端準位が、バリア層の価電子帯のバンド端準位よりも高く、サイドバリア層の価電子帯のバンド端準位よりも低い中間層８を備える。 （もっと読む）

【課題】過剰なエッチングを抑制するとともに半導体表面の突起物を除去する半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子の製造方法は、エッチストップ層１３及び複数の半導体層を含み、半導体光素子のための半導体積層１０を半導体基板１１の主面１１ａにエピタキシャル成長させる半導体積層成長工程と、半導体積層１０の最表面から突出する突起物の先端部が露出するように、最表面にマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層を用いて、ウェットエッチングにより突起物をエッチングするウェットエッチング工程と、ウェットエッチングの後に、ドライエッチングにより突起物を除去するドライエッチング工程と、突起物を除去した後に、最表面からマスク層を除去するマスク層除去工程と、マスク層を除去した後に、半導体積層１０に半導体光素子のための加工を行う加工工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】埋込構造を有する半導体光素子において静電放電に伴うデバイス破壊の耐圧を改善可能な構造を有する埋め込みヘテロ構造半導体光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型埋め込み層３１、ｎ型埋め込み層３３及び第１のｉ型埋め込み層３５がｎ型クラッド領域１３の第２部分１３ｂとｐ型クラッド領域１５の第２部分１５ｂとの間に設けられ、また、ｐ型クラッド領域１５、第１のｉ型埋め込み層３５及びｎ型埋め込み層３３は接合Ｊ１を形成するように設けられる。ｐ型クラッド領域１５、第１のｉ型埋め込み層３５及びｎ型埋め込み層３３がｐｉｎ構造を成す。静電放電により、このｐｉｎ構造に逆バイアスが印加されるとき、ｐｉｎ接合Ｊ１における最大電界は、ｐ型クラッド領域１５及びｎ型埋め込み層３３からなるｐｎ接合における最大電界より小さくなる。 （もっと読む）

【課題】パッシブ素子の特性の設計値からの低下を抑制することができる光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、活性コア層を含む半導体積層構造で形成された、アクティブ素子を形成するためのアクティブ領域と、パッシブコア層を含む半導体積層構造で形成された、パッシブ素子を形成するためのパッシブ領域とを形成し、アクティブ領域とパッシブ領域とに被覆部と開口部とを有する第１エッチングマスクを形成し、アクティブ領域およびパッシブ領域において開口部からドライエッチングを行い、アクティブ領域にアクティブ素子のアクティブメサ構造を形成するとともにパッシブ領域にパッシブ素子のパッシブメサ構造を形成し、パッシブ領域に第２エッチングマスクを形成し、パッシブメサ構造を第２エッチングマスクにて保護しながらアクティブメサ構造をウェットエッチングする、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗と温度抵抗の増大を引き起こすことなくキンク特性を改善することのできる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、半導体基板１と、ｎ型で（Ａｌ_xＧａ_1-x）_yＩｎ_1-yＰの組成からなる第１クラッド層２と、ｎ型で（Ａｌ_ｚＧａ_1-z）_yＩｎ_1-yＰの組成からなり、ｘがｚより０．０５以上小さくなる第２クラッド層３と、（Ａｌ_uＧａ_1-u）_yＩｎ_1-yＰの組成からなり、ｕがｚより０．５以上小さくなる第１ガイド層４と、III−Ｖ族化合物半導体からなる活性層５と、（Ａｌ_uＧａ_1-u）_yＩｎ_1-yＰの組成からなる第２ガイド層６と、ｐ型で（Ａｌ_ｚＧａ_1-z）_yＩｎ_1-yＰの組成からなる第３クラッド層７と、ｐ型でIII−Ｖ族化合物半導体からなるエッチング停止層８と、ｐ型で（Ａｌ_ｚＧａ_1-z）_yＩｎ_1-yＰの組成からなり、リッジ１２を形成する第４クラッド層９とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体からのＶ族原子の脱離を抑制しつつ同一面内でエッチング深さが異なる形状を簡易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマの所定の濃度に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面にて酸素プラズマによりポリマーの生成を抑制しつつ半導体表面のエッチングが進行する状態のみが発現するように前記開口部幅１９０５が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、マスク１９００が形成された前記半導体表面に前記炭化水素系プラズマおよび前記酸素プラズマを照射し、前記酸素プラズマを前記マスクの開口部幅方向にて前記開口部に拡散させることによりポリマーの生成を抑制するとともにエッチングに寄与する炭化水素系プラズマの濃度を制御する第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】各レーザ素子のサーマルクロストーク特性を均一なものにし、レーザ素子間のレーザ光出力差を低減することができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】ストライプ状のリッジ部を有するレーザ発光部ＬＤ１〜ＬＤ４が、並列配置されている。素子間分離溝配線層２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄの各領域における斜線部が、配線層２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄと各レーザ発光部ＬＤ１〜ＬＤ４のリッジ部上のリッジ電極とが電気的に接続される。内側レーザ発光部ＬＤ２、ＬＤ３よりも、外側レーザ発光部ＬＤ１、ＬＤ４の両側に形成される２つの素子分離溝間の幅を狭くしていくことにより、サーマルクロストークの差を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】電流の利用効率を高めた半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、第１ｐクラッド層１４上の所定の領域に形成されたリッジ部２と、第１ｐクラッド層１４上におけるリッジ部２の近傍の領域に凹部を介して配置されたランド部３と、リッジ部２に接続する電極２０と備え、ランド部３は、第２ｐクラッド層１６、コンタクト層１８、ｎ型ＧａＡｓ層２１と備え、リッジ部２は、第２ｐクラッド層１６、コンタクト層１８を備え、電極２０はリッジ部２のコンタクト層１８と接続している。 （もっと読む）

【課題】高い発光強度を有する発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、第１導電型のIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるクラッド層兼コンタクト層４と、コンタクト層４上に形成されＩｎを含有するIII−Ｖ族窒化物系半導体からなる活性層５と、活性層５上に形成されIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるアンドープのキャップ層６と、キャップ層６上に形成され第２導電型のIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるクラッド層７とを備える。 （もっと読む）

【課題】高出力化に適しかつ安定したＴＭモード発振が得られる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子７０は、リッジストライプ状に形成された第２ｐ型クラッド層を含むリッジストライプ３０を備えている。リッジストライプ３０の側面には、ｎ型電流狭窄層６が形成されている。第２ｐ型クラッド層１９における第１ｐ型クラッド層１７側の面の幅であるリッジボトム幅Ｗ１が３．０μｍ以上４．５μｍ以下に形成され、第２ｐ型クラッド層１９における第１ｐ型クラッド層１７側と反対側の面の幅であるリッジトップ幅Ｗ２が２．０μｍ以上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体光装置の特性劣化や信頼性低下を抑制した半導体光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体光装置の製造方法は、活性層を形成する活性層形成工程と、該活性層形成工程後に、リン系ＩＩＩ−Ｖ族半導体層を形成する活性層保護膜形成工程と、該活性層保護膜形成工程後に酸化シリコン系又は窒化シリコン系の膜を形成するシリコン系膜形成工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コラムナ量子ドットの上方に、高品質な半導体層を成長させるのに適した半導体素子、及び、そのような半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子は、半導体基板と、半導体基板上方に形成されたコラムナ量子ドットとを有し、コラムナ量子ドットは、第１量子ドットと、第１量子ドット上に積層され半導体基板に対し引張歪量を持つ第１スペーサ層とで形成された第１部と、第２量子ドットと、第２量子ドット上に積層され半導体基板に対し第１スペーサ層より大きい引張歪量を持つ第２スペーサ層とで形成された第２部とが、厚さ方向に交互に配置された構造を有する。 （もっと読む）