【課題】発熱に起因する活性層の劣化を抑制することの可能な半導体レーザ素子、光電変換装置および光情報処理装置を提供する。
【解決手段】活性層を含むと共に上面に第１電極を有するメサ部と、前記メサ部を覆うと共に前記第１電極に達する第１接続孔を有する埋め込み部と、前記埋め込み部上に前記第１接続孔を跨がるよう設けられると共に前記第１接続孔を介して前記第１電極に電気的に接続された第１配線とを備えた半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】発光効率を高めることができる半導体発光素子、光ピックアップ装置、光源装置および半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、ウルツ鉱型結晶構造の無極性面と当該無極性面に沿った方向とは直交する有極性面とを有する下地層１と、下地層１の当該無極性面である成長面１Ａ上に形成されており、当該無極性面１Ａにおける下地層１の格子定数とは異なる格子定数を有するIII族窒化物半導体からなる複数の量子細線活性層２とを含み、量子細線活性層２は、前記有極性面の法線方向（ｃ軸方向）に伸長するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】３次元フォトニック結晶構造を用いた電流注入型光制御素子において、電流狭窄領域を精密に制御する。
【解決手段】光制御素子４は、周期的に配置された複数の第１の構造体をそれぞれ含む複数の周期構造層が、離散的に配置された複数の第２の構造体を含む少なくとも１つの離散構造層を間に挟んで積層されて構成された３次元フォトニック結晶４１と、該結晶内部に配置された活性部４２と、該結晶のうち導電性材料により構成された部分に接する電極４６，４７とを有する。複数の第２の構造体は、互いに異なる２以上の導電性材料により構成されている。該２以上の導電性材料のうち他の導電性材料よりも高い抵抗を有する少なくとも１つの導電性材料により構成された第２の構造体が、電流が注入された電極から活性部にキャリアを集中させて導くように配置されている。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ安価に製造可能であり、レーザ光の偏光方向を一方向に安定化すると共に高出力化することの可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部第１ＤＢＲ層１２、下部第２ＤＢＲ層１３、下部クラッド層１４、活性層１５、上部クラッド層１６、電流狭窄層１７、上部ＤＢＲ層１８およびコンタクト層１９がこの順に積層された積層構造２０を備える。下部第１ＤＢＲ層１２は、電流注入領域１７Ｂとの対向領域のうち一の領域に酸化部３０を有しており、酸化部３０の不均一な分布に対応した異方的な応力が活性層１５に発生し、さらに、基本横モードの光場強度分布が酸化部３０の方向に引き寄せられる。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能であって、かつ、信頼性に優れる面発光レーザの提供。
【解決手段】本発明に係る面発光レーザは、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に形成された第１の反射鏡１０２と、第１の反射鏡１０２上に形成された活性層１０３と、活性層１０３上に形成されたトンネル接合層１０５と、トンネル接合層１０５を覆う第１導電型の半導体スペーサ層１０７と、半導体スペーサ層１０７上であって、トンネル接合層１０５の直上領域に形成された第２の反射鏡１０８と、半導体スペーサ層１０７上であって、第２の反射鏡１０８の周辺に形成された第１の電極１１０と、活性層１０３よりも下の層と電気的に接続された第２の電極１１１とを備える。トンネル接合層１０５の直上領域における第１導電型の半導体スペーサ層１０７の厚さが、第１の電極１１０の直下領域における第１導電型の半導体スペーサ層１０７の厚さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】反射鏡の材料が制限されることなく、また、均一な膜厚の反射鏡を形成することができ、高光出力で単一横モード動作が可能となる面発光レーザを提供する。
【解決手段】面発光レーザであって、中央部に第１の屈折率領域と、周辺部に第１の屈折率領域よりも実効屈折率が低い第２の屈折率領域とを有する共振器を備えている。
また、第１の屈折率領域を有する領域の共振器長は共振条件を満たすように構成され、第２の屈折率領域を有する領域の共振器長は共振条件を満たさないように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 InP基板上の面発光レーザにおいてInP層とInGaAlAs層が交互に積層されたDBR反射鏡膜層の反射率特性とInGaAlAs層の光吸収特性の関係がトレードオフとなっていた。
【解決手段】 上記のトレードオフ解消のためにInP層102aとInGaAlAs-MQW層102bが交互に積層された半導体DBR反射鏡膜を適用する。InGaAlAs-MQW層はInGaAlAs井戸層201と障壁層202から成る。InP層102aは一様にドーピングされ、InGaAlAs-MQW層は少なくとも一部がドーピングされた構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 高出力と基本横モード発振の両立が容易な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 面発光レーザ素子１０は、順次に積層された第１の反射層１２、ｎ型スペーサ層１３、活性層１４、およびｐ型スペーサ層１５を有する。このｐ型スペーサ層上には、第１のトンネル接合構造１８と、第１のトンネル接合構造から離間した第２のトンネル接合構造１９が設けられている。これらのトンネル接合構造は、第２のスペーサ層上に設けられたｎ型スペーサ層２５によって覆われている。このｎ型スペーサ層上には、第２の反射層２８が形成されている。各トンネル接合構造は、ｐ型の下部層２０とｎ型の上部層２１とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】低閾電流、かつ、単一モードで動作可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子１００は、反射層１０２、共振器スペーサー層１０３、活性層１０４、共振器スペーサー層１０５、超格子構造膜１０６および反射層１０７を基板１０１上に順次積層した構造からなる。高抵抗層１０８Ａ，１０８Ｂは、反射層１０７中に形成され、ｐ側電極１０９は、出射口１０７Ａを除く反射層１０７の一部に形成され、ｎ側電極１１０は、基板１０１の裏面に形成される。超格子構造膜１０６は、活性層１０４および反射層１０２，１０７以外の領域に設けられ、領域１０６Ａ，１０６Ｂ，１０６Ｃからなる。そして、領域１０６Ａ，１０６Ｃは、無秩序化された超格子構造膜からなり、領域１０６Ｂは、秩序化された超格子構造膜からなる。 （もっと読む）

【課題】半導体層構造を構成する全ての半導体層に低抵抗領域を形成することなく、改善された抵抗率を持つ領域を含む層を有する半導体層構造を成長させることができる成長方法を提供する。
【解決手段】半導体層構造の成長方法は、第１の半導体層１１（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）を成長させる工程と、第１の半導体層１１中に水素を導入する工程とを含む。その後、第１の半導体層１１の上に少なくとも１つの他の半導体層１２を成長させ、それによって半導体層構造を形成する。その後、第１の半導体層１１の選択された部分の電気抵抗を変化させるように、第１の半導体層１１の選択された部分１１ａをアニールする。第１の半導体層１１の上に成長された少なくとも１つの他の半導体層１２の電気抵抗は、上記アニールによって有意の変化を受けない。本発明は、例えば半導体層構造内の１つの半導体層に電流開口部を形成するのに使用できる。 （もっと読む）

【課題】十分に満足できる電流狭窄が得られ、低閾値電流で外部微分量子効率が高く、高効率かつ信頼性の高い面発光型半導体レーザ装置を提供することにある。
【解決手段】面発光型半導体装置は、分布反射型多層膜ミラー（１０４）と誘電体多層膜ミラー（１１）とからなる一対の反射鏡で構成される光共振器の導波路の一部が分離溝で分離され、分離溝を埋め込むシリコン系の絶縁層（１０７，１０８）と、量子井戸活性層（１０５）とを有する。
また、面発光型半導体装置は、前記光共振器を構成する半導体層と同じ半導体層を有する端面発光型半導体レーザ装置の発振波長をλ_Ｇとすると、この発振波長λ_Ｇが所期の発振波長λ_ＥＭに対して所定波長差（ゲインオフセット量）△λ_ＥＭだけ短波長側に設定される。 （もっと読む）

埋込トンネル接触部を持つ表面放射半導体レーザの単一モード・パワーを増加するために、トンネル接触層（６）は、開口直径（ｗ１）と開口深さ（ｄ１）とを有する開口を具備し、かつｎドーピング電流搬送層（７）でカバーされ、隣接する電流搬送層（７）は、開口の領域に、隆起部直径（ｗ２）と隆起部深さ（ｄ２）とを有する隆起部（１５）を具備するとともに、隆起部（１５）の側面領域の少なくとも周辺で電流搬送層（７）上に構造化層（８； ９）が設けられ、その厚み（ｄ３； ｄ４）が構造化層の光学的厚みが隆起部深さ（ｄ２）の領域において電流搬送層（７）の光学的厚みと少なくとも等しくなるように選択されている構造が提案されている。 （もっと読む）