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Fターム[5F173AC35]の内容

半導体レーザ (89,583) | 垂直共振器を有するレーザの構造 (4,657) | 光閉じ込め、電流狭窄構造 (1,413) | 位置 (733) | 活性層より上側 (612)

Fターム[5F173AC35]に分類される特許

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【課題】誘電体多層膜により上部DBRが形成されている面発光レーザ等において、高い歩留りで製造することのできる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に形成された下部DBRと、前記下部DBRの上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された誘電体層と、前記誘電体層の上に形成された上部DBRと、を有し、前記上部DBRは、屈折率の異なる2種類の誘電体膜を交互に積層することにより形成されており、前記誘電体層の膜厚は、前記活性層における発振波長をλとし、前記誘電体膜における屈折率をnとした場合、λ/4nよりも厚いことを特徴とする面発光レーザ素子を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】電流狭窄層を形成する工程において、電流狭窄層となる層の酸化反応が阻害されることを抑制できる面発光型半導体レーザーの製造方法を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザー100の製造方法は、共振器の少なくとも一部を含む柱状部20を有する面発光型半導体レーザーの製造方法であって、SiClを含むガスを用いたエッチングにより、柱状部20を形成しつつ、柱状部20の側面21にシリコン含有膜を形成する工程と、フッ素系ガスを用いたエッチングにより、シリコン含有膜110を除去する工程と、柱状部20を構成する層のうち少なくとも1層を側面から酸化することにより、電流狭窄層28を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】長共振器構造のVCSEL10は、n型のGaAs基板100と、AlGaAs層から構成されるn型の下部DBR102と、下部DBR102上に形成された共振器104と、共振器104上に形成されたAlGaAs層から構成されるp型の上部DBR108とを有する。共振器104の光学的膜厚が発振波長よりも大きく、共振器104は、活性層106Bの上下に配された一対のスペーサ層106A、106Cと、スペーサ層106Cの側に形成された共振器延長領域105とを含む。共振器延長領域105は、n型のGaInPから構成される。 (もっと読む)


【課題】発熱に起因する活性層の劣化を抑制することの可能な半導体レーザ素子、光電変換装置および光情報処理装置を提供する。
【解決手段】活性層を含むと共に上面に第1電極を有するメサ部と、前記メサ部を覆うと共に前記第1電極に達する第1接続孔を有する埋め込み部と、前記埋め込み部上に前記第1接続孔を跨がるよう設けられると共に前記第1接続孔を介して前記第1電極に電気的に接続された第1配線とを備えた半導体レーザ素子。 (もっと読む)


【課題】 モード制御のための反射率制御を行うために設けられた段差構造を備えた面発光レーザにおいて、遠視野光強度分布の拡がり角を改善した面発光レーザを提供する。
【解決手段】 反射率差を付与する第1の段差構造と、遠視野光強度分布を変化させる第2の段差構造とを備える。第1の段差構造の段差を形成する領域と、第2の段差構造の段差を形成する領域とは所定の関係を有する。 (もっと読む)


【課題】長寿命で、高い発光効率及び優れた温度特性を有する面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 下部半導体DBRは、熱伝導率の大きい低屈折率層103aとそれよりも熱伝導率の小さい高屈折率層103bをペアとし、30.5ペアを含む第1の下部半導体DBR103と、5ペアを含む第2の下部半導体DBR103と、1ペアを含む第3の下部半導体DBR103とを有している。第2の下部半導体DBR103では、低屈折率層103aは3λ/4の光学厚さとなるように設定され、高屈折率層103bは、λ/4の光学厚さとなるように設定されている。第3の下部半導体DBR103は、共振器構造体と第2の下部半導体DBR103との間に設けられ、各屈折率層はいずれもλ/4の光学厚さとなるように設定されている。 (もっと読む)


【課題】発光ムラを抑制した面発光素子アレイを提供する。
【解決手段】面発光素子アレイ30は、基板上に形成された複数の並列素子アレイPA−1、PA−2、・・・PA−nを含み、各並列素子アレイは、接続手段により直列に接続される。並列アレイ素子は、並列に接続された複数の面発光素子P1、P2、・・・Pmを含んで構成され、面発光素子は、好ましくは面発光型半導体レーザから構成される。さらに並列素子アレイの向きは、複数の面発光素子に接続される電極の位置から決定され、並列素子アレイは、互いに向きが異なるように配置される。 (もっと読む)


【課題】第2ミラー層の電気抵抗の低減と反射率の向上とを両立する。
【解決手段】半導体発光素子は、n型の下部DBR層と、電流の供給によって光を発する共振部と、p型の上部DBR層とが半導体基板上に順に積層された半導体発光素子であって、上部DBR層には、第1屈折率を有する第1半導体層141と、第1屈折率よりも大きい第2屈折率を有する第2半導体層142とが、中間層143を介在して積層方向に交互に配置され、中間層143および第1半導体層141はAlを含み、中間層143のAl組成比は、第2半導体層142側の面から第1半導体層141側の面に向かって増加し、第1半導体層141のAl組成比は、一方の中間層143B側の面および中間層143A側の面から厚み方向の中心に向かって増加する。 (もっと読む)


【課題】高速動作可能な面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】半導体基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザを有する面発光レーザチップと、前記面発光レーザチップの側面と接続される誘電体基板と、を有し、前記面発光レーザチップには、前記光を出射する一方の面には信号電極が形成され、前記信号電極が形成されている面とは反対側の他方の面には裏面グランド電極が形成されており、前記誘電体基板の一方の面には、前記信号電極と接続される信号用の伝送線路が形成されており、前記信号電極と前記信号用の伝送線路が接続されていることを特徴とする面発光レーザモジュールを提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】基本横モード光の高出力化および偏光制御を可能にする面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ10は、基板100と、基板100上に形成された下部DBR102と、活性領域104と、上部DBR106と、基板上に形成されたメサMとを含む。メサMの頂部において、光出射部を覆う異方形状の出射保護膜112が形成され、さらにメサMの側壁および少なくとも周縁を覆う層間絶縁膜114が形成される。層間絶縁膜114は、出射保護膜112の長軸側の両端部を覆う周縁被覆部114Aと、出射保護膜112上に形成された基本横モード発振を制御するモード制御部114Bとを含む。 (もっと読む)


【課題】選択酸化により電流狭窄構造を製造するに当たり、製造歩留まりの向上を図ることが可能となる垂直共振器型面発光レーザーの製造方法を提供する。
【解決手段】垂直共振器型面発光レーザーの製造方法であって、基板上に、屈折率の異なる複数ペアの積層よる下部DBR102と、活性領域103とを、順に成長させる工程と、活性領域の上部に、中間層104を成長させる工程と、中間層をパターニングし、電流狭窄部となる領域を形成する工程と、パターニングされた電流狭窄部となる領域を含む中間層の上に、中間層よりも厚さの薄い選択酸化層106と、屈折率の異なる複数ペアの積層よる上部DBR107とを、順に成長させる工程と、水蒸気酸化により、電流狭窄部となる領域上に形成された選択酸化層以外の選択酸化層を酸化し、水蒸気酸化により酸化されていない電流狭窄部となる領域上の選択酸化層で電流狭窄部109を形成する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】歩留りが高く信頼性の高い面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板に対し垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザにおいて、前記レーザ光が出射される出射面において、前記レーザ光の発光の中心部分の周囲の周辺部分には、前記中心部分よりも反射率を低くするための誘電体膜により形成された透明膜を有し、前記透明膜は、複数に分割されており、前記分割された透明膜は、前記レーザ光の発光の中心に対し、前記レーザ光の偏光方向となる両側、及び、前記偏光方向に直交する方向となる両側の各々に存在しているものであることを特徴とする面発光レーザを提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】環境信頼性が高く、光量変動の少ない光を出射することのできる光デバイスを低コストで提供する。
【解決手段】基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザを有する面発光レーザ素子と、前記面発光レーザ素子を設置するための領域が設けられて、上面が所定の角度で傾斜したパッケージと、透明な材料により形成された窓部を含み、前記パッケージと接合される平板状リッドと、を有し、前記上面が所定の角度で傾斜したパッケージと前記平板状リッドとを接合することにより、前記面発光レーザが覆われるものであって、前記傾斜部にはシールリングが固定されており、前記シールリングと前記平板状リッドとは溶接により接合されているものであることを特徴とする光デバイスを提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】高次横モードの発振を抑制し、かつレーザ光を基準面に対して略直交する方向に射出することができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 各発光部は、基板、バッファ層、下部半導体DBR、共振器構造体、上部半導体DBR、上部電極113、下部電極、配線部材、及び誘電体層116などを有している。基板は、x軸方向を傾斜軸方向とする傾斜基板である。そして、誘電体層116は、z軸方向からみたとき、内径の中心が射出領域の中心に対して+y方向に0.2μmシフトしている。 (もっと読む)


【課題】光学部品との結合が容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ10は、モノリシックに形成された発光部20と光制御部30とを有する。n型のGaAs基板100には、n型の下部DBR102と、活性領域104と、電流狭窄層106と、p型の上部DBRとが積層される。光制御部30は、発光部20で発せられた光を基板の主面と略平行な方向に伝播させ、かつ伝播された光を吸収または増幅する。また、光制御部30の表面には、反射部124が形成され、反射部124は、上部DBR108からから入射された光を収束させ、一定方向へ反射させる。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】長共振器の面発光型半導体レーザ(VCSEL)10は、n型GaAs基板100と、n型のAlGaAsから成る下部DBR102と、活性領域104と、p型の共振器延長領域106と、p型のAlGaAsからなる上部DBR108と、p側電極112と、n側電極114と、共振器延長領域106内に形成された酸化領域110Aと酸化領域110Aによって囲まれたp型の導電領域110Bとを有する電流狭窄層110とを有する。 (もっと読む)


【課題】集積度を低下させることなく、射出される複数の光束の偏光方向のばらつきを小さくすることができる面発光レーザアレイを提供する。
【解決手段】 量産する前に設計データ取得処理を行い、複数の発光部について、射出される光束の偏光角が、アレイでの偏光角の平均値との差の絶対値が予め設定されている値以下となるように、射出領域の中心と、配線部材の中心線を延長した線との距離D(i)を調整し(ステップS525)、適切なD(1)〜D(40)の値を取得する(ステップS527)。そして、面発光レーザアレイ100を量産する際に、設計データ取得処理で得られたD(1)〜D(40)の値を用いて配線部材を形成する。 (もっと読む)


【課題】高出力化が可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子は、共振器スペーサー層103,105と、活性層104とを備える。活性層104は、共振器スペーサー103,105間に共振器スペーサー層103,105に接して形成される。共振器スペーサー層103は、格子整合するGa0.5In0.5Pからなる。活性層104は、GaInPAsからなる井戸層104B,104D,104Fと、Ga0.5In0.5Pからなる障壁層104A,104C,104E,104Gとが交互に積層された量子井戸構造からなる。共振器スペーサー層105は、(Al0.7Ga0.30.5In0.5Pからなる。 (もっと読む)


【課題】基本横モード光の高出力化および偏光制御を可能にする面発光型半導体レーザアレイを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザアレイ10は、基板上に、複数の素子を形成するための素子形成領域20と、電極配線50および電極パッド60を形成するための配線形成領域30とを含む。素子形成領域20には、複数のメサM1、M2、M3が形成され、メサM1、M2、M3に隣接して金属配線70が形成される。金属配線70は、各々のメサM1、M2、M3の配列方向と平行に延在し、メサM1、M2、M3の活性領域に同一の方向の異方性歪みを付加する。 (もっと読む)


【課題】基本横モード光の高出力化および偏光制御を可能にする面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ10は、基板100と、n型の下部DBR102と、活性領域104と、p型の上部DBR106と、基板上に形成されたメサMと、メサM内に形成され、選択的に酸化された酸化領域108Aによって囲まれた導電領域108Bを有する電流狭窄層108と、メサMの頂部に形成され、光出射口110Aを規定する環状のp側電極110と、光出射口110A内に形成された異方形状の第1の誘電体膜112と、第1の誘電体膜112と直交する方向に形成された異方形状の第2の誘電体膜118とを有する。第1および第2の誘電体膜112、118は、互いに反対の応力を活性領域104に付加し、かつ、第1および第2の誘電体膜の重複領域の反射率は、重複しない領域の反射率よりも高い。 (もっと読む)


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