【課題】外形が円形状であり、十分なレーザ発振特性を有する半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０では、半導体層１１は外形がリング状であり、活性層１２と、活性層１２の両側に形成された第１および第２クラッド層１４ａ、１４ｂと、第１および第２クラッド層１４ａ、１４ｂ上に形成された第１および第２コンタクト層１５ａ、１５ｂと、第１および第２クラッド層１４ａ、１４ｂの外周側壁および内周側壁が選択的に改質され、第１および第２クラッド層１４ａ、１４ｂの屈折率より低い屈折率を有する第１および第２改質層１４ｃ、１４ｄを含んでいる。第１および第２電極１７、１９が、第１および第２コンタクト層１５ａ、１５ｂに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】活性領域への電流の供給を促進させ、しきい値電流の低く、高出力で長寿命の垂直共振器型面発光レーザを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の垂直共振器型面発光レーザは、ｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を含む窒化物半導体層の少なくとも一方の表面に、開口部を有する絶縁層と、前記開口部を被覆するように前記絶縁層上に設けられた透光性電極と、該透光性電極を介して前記開口部上に設けられた誘電体材料からなる反射鏡とを有し、前記絶縁層と前記反射鏡の間に導電性材料を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体光検出素子による自然放出光の検出レベルを低減することにより、光検出精度をより向上させることの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子５０と、半導体光検出素子１０との間に、金属層２０、透明基板３０および金属層４０が挿入されており、発光領域５３Ａと光吸収層１１との距離が長くなっている。これにより、発光領域５３Ａで発生した光に含まれる自然放出光Ｌ₂のほとんどが光吸収層１１に到達しない方向に向かい、金属層２０，４０で反射される。 （もっと読む）

本発明は、ＶＥＣＳＥＬの発光部品を製造する方法、及び、対応するＶＥＣＳＥＬに関する。本方法において、積層部２は、半導体基板１上にエピタキシャルに成長される。積層部は、活性化領域４、上部の分布ブラッグ反射器５、及び、前記活性化領域４と前記半導体基板１との間に設けられたｎ又はｐドープ電流注入層１３を有する。機械的サポート６又はサブマウントは、前記積層部２の上側に接合され、前記半導体基板１は、その後除去される。メタライズ層７は、前記積層部２の下側にオプション的に堆積され、光学的に透明な基板は、この下側に接合される。提案された方法は、標準的な手法において斯様な部品の製造を可能にし、均一な電流注入及び高効率の熱消散を伴うＶＥＣＳＥＬをもたらす。
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【課題】光ポンピング用ビームをレーザーチップに垂直に入射させ得る垂直外部共振器型面発光レーザーを提供する。
【解決手段】第２波長の光を放出するポンプレーザー３４と前記ポンプレーザ励起により第１波長の光を放出させるレーザーチップ３２と、レーザーチップ３２から発生した第１波長の光をレーザーチップ３２に再び反射する外部ミラー３８と、レーザーチップ３２と外部ミラー３８との間に配置されたものであって、ポンプレーザー３４から放出された第２波長の光をレーザーチップ３２に反射させ、レーザーチップ３２から放出された第１波長の光を透過させる波長選択性ミラー３６と、波長選択性ミラー３６とレーザーチップ３２との間に配置されたものであって、第１波長の光を外部ミラー３８と波長選択性ミラー３６との間の光路上にフォーカシングし、第２波長の光をレーザーチップ３２上にフォーカシングする光学素子３５と、を備える。 （もっと読む）