【課題】誘電体多層膜により上部ＤＢＲが形成されている面発光レーザ等において、高い歩留りで製造することのできる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に形成された下部ＤＢＲと、前記下部ＤＢＲの上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された誘電体層と、前記誘電体層の上に形成された上部ＤＢＲと、を有し、前記上部ＤＢＲは、屈折率の異なる２種類の誘電体膜を交互に積層することにより形成されており、前記誘電体層の膜厚は、前記活性層における発振波長をλとし、前記誘電体膜における屈折率をｎとした場合、λ／４ｎよりも厚いことを特徴とする面発光レーザ素子を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】長共振器構造のＶＣＳＥＬ１０は、ｎ型のＧａＡｓ基板１００と、ＡｌＧａＡｓ層から構成されるｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、下部ＤＢＲ１０２上に形成された共振器１０４と、共振器１０４上に形成されたＡｌＧａＡｓ層から構成されるｐ型の上部ＤＢＲ１０８とを有する。共振器１０４の光学的膜厚が発振波長よりも大きく、共振器１０４は、活性層１０６Ｂの上下に配された一対のスペーサ層１０６Ａ、１０６Ｃと、スペーサ層１０６Ｃの側に形成された共振器延長領域１０５とを含む。共振器延長領域１０５は、ｎ型のＧａＩｎＰから構成される。 （もっと読む）

【課題】 モード制御のための反射率制御を行うために設けられた段差構造を備えた面発光レーザにおいて、遠視野光強度分布の拡がり角を改善した面発光レーザを提供する。
【解決手段】 反射率差を付与する第１の段差構造と、遠視野光強度分布を変化させる第２の段差構造とを備える。第１の段差構造の段差を形成する領域と、第２の段差構造の段差を形成する領域とは所定の関係を有する。 （もっと読む）

【課題】長寿命で、高い発光効率及び優れた温度特性を有する面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 下部半導体ＤＢＲは、熱伝導率の大きい低屈折率層１０３ａとそれよりも熱伝導率の小さい高屈折率層１０３ｂをペアとし、３０．５ペアを含む第１の下部半導体ＤＢＲ１０３_１と、５ペアを含む第２の下部半導体ＤＢＲ１０３_２と、１ペアを含む第３の下部半導体ＤＢＲ１０３_３とを有している。第２の下部半導体ＤＢＲ１０３_２では、低屈折率層１０３ａは３λ／４の光学厚さとなるように設定され、高屈折率層１０３ｂは、λ／４の光学厚さとなるように設定されている。第３の下部半導体ＤＢＲ１０３_３は、共振器構造体と第２の下部半導体ＤＢＲ１０３_２との間に設けられ、各屈折率層はいずれもλ／４の光学厚さとなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】第２ミラー層の電気抵抗の低減と反射率の向上とを両立する。
【解決手段】半導体発光素子は、ｎ型の下部ＤＢＲ層と、電流の供給によって光を発する共振部と、ｐ型の上部ＤＢＲ層とが半導体基板上に順に積層された半導体発光素子であって、上部ＤＢＲ層には、第１屈折率を有する第１半導体層１４１と、第１屈折率よりも大きい第２屈折率を有する第２半導体層１４２とが、中間層１４３を介在して積層方向に交互に配置され、中間層１４３および第１半導体層１４１はＡｌを含み、中間層１４３のＡｌ組成比は、第２半導体層１４２側の面から第１半導体層１４１側の面に向かって増加し、第１半導体層１４１のＡｌ組成比は、一方の中間層１４３Ｂ側の面および中間層１４３Ａ側の面から厚み方向の中心に向かって増加する。 （もっと読む）

【課題】基本横モード光の高出力化および偏光制御を可能にする面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００と、基板１００上に形成された下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、上部ＤＢＲ１０６と、基板上に形成されたメサＭとを含む。メサＭの頂部において、光出射部を覆う異方形状の出射保護膜１１２が形成され、さらにメサＭの側壁および少なくとも周縁を覆う層間絶縁膜１１４が形成される。層間絶縁膜１１４は、出射保護膜１１２の長軸側の両端部を覆う周縁被覆部１１４Ａと、出射保護膜１１２上に形成された基本横モード発振を制御するモード制御部１１４Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】選択酸化により電流狭窄構造を製造するに当たり、製造歩留まりの向上を図ることが可能となる垂直共振器型面発光レーザーの製造方法を提供する。
【解決手段】垂直共振器型面発光レーザーの製造方法であって、基板上に、屈折率の異なる複数ペアの積層よる下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０３とを、順に成長させる工程と、活性領域の上部に、中間層１０４を成長させる工程と、中間層をパターニングし、電流狭窄部となる領域を形成する工程と、パターニングされた電流狭窄部となる領域を含む中間層の上に、中間層よりも厚さの薄い選択酸化層１０６と、屈折率の異なる複数ペアの積層よる上部ＤＢＲ１０７とを、順に成長させる工程と、水蒸気酸化により、電流狭窄部となる領域上に形成された選択酸化層以外の選択酸化層を酸化し、水蒸気酸化により酸化されていない電流狭窄部となる領域上の選択酸化層で電流狭窄部１０９を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を抑制し、かつレーザ光を基準面に対して略直交する方向に射出することができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 各発光部は、基板、バッファ層、下部半導体ＤＢＲ、共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ、上部電極１１３、下部電極、配線部材、及び誘電体層１１６などを有している。基板は、ｘ軸方向を傾斜軸方向とする傾斜基板である。そして、誘電体層１１６は、ｚ軸方向からみたとき、内径の中心が射出領域の中心に対して＋ｙ方向に０．２μｍシフトしている。 （もっと読む）

【課題】環境信頼性が高く、光量変動の少ない光を出射することのできる光デバイスを低コストで提供する。
【解決手段】基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザを有する面発光レーザ素子と、前記面発光レーザ素子を設置するための領域が設けられて、上面が所定の角度で傾斜したパッケージと、透明な材料により形成された窓部を含み、前記パッケージと接合される平板状リッドと、を有し、前記上面が所定の角度で傾斜したパッケージと前記平板状リッドとを接合することにより、前記面発光レーザが覆われるものであって、前記傾斜部にはシールリングが固定されており、前記シールリングと前記平板状リッドとは溶接により接合されているものであることを特徴とする光デバイスを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】長共振器の面発光型半導体レーザ（ＶＣＳＥＬ）１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１００と、ｎ型のＡｌＧａＡｓから成る下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、ｐ型の共振器延長領域１０６と、ｐ型のＡｌＧａＡｓからなる上部ＤＢＲ１０８と、ｐ側電極１１２と、ｎ側電極１１４と、共振器延長領域１０６内に形成された酸化領域１１０Ａと酸化領域１１０Ａによって囲まれたｐ型の導電領域１１０Ｂとを有する電流狭窄層１１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】高出力化が可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子は、共振器スペーサー層１０３，１０５と、活性層１０４とを備える。活性層１０４は、共振器スペーサー１０３，１０５間に共振器スペーサー層１０３，１０５に接して形成される。共振器スペーサー層１０３は、格子整合するＧａ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。活性層１０４は、ＧａＩｎＰＡｓからなる井戸層１０４Ｂ，１０４Ｄ，１０４Ｆと、Ｇａ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる障壁層１０４Ａ，１０４Ｃ，１０４Ｅ，１０４Ｇとが交互に積層された量子井戸構造からなる。共振器スペーサー層１０５は、（Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。 （もっと読む）

【課題】注入電流の大きさを変化させても、全光出力における各横モードの出力の割合の変動を抑制することが可能なトンネル接合型の面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１００は、下部ＤＢＲ３と、下部スペーサ層５と、活性層７と、第１上部スペーサ層９と、第１上部スペーサ層９の上面９Ｓの一部（第１領域９Ｓ１及び第２領域９Ｓ２）上に設けられたトンネル接合領域ＴＪと、トンネル接合領域ＴＪを埋め込むようにトンネル接合領域ＴＪ上及び第１上部スペーサ層９上に設けられた第２上部スペーサ層１５と、上部分布ブラッグリフレクタ１９と、を備える。トンネル接合領域ＴＪの単位面積当たりのトンネル抵抗は、半導体基板１の主面１Ｓと直交する方向から見た場合のトンネル接合領域ＴＪの内側から外側に向かって、段階的に減少、及び／又は、単調に減少することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高出力の単一横モード発振のため長共振器化した際においても、縦モードホッピングの発生を抑制することができ、より安定した単一縦モード発振が可能となる面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上の、第１および第２のミラーとで共振器が構成され、第１と第２のミラーとの間に設けられた第１の活性層と、第１の活性層と第１のミラーとの間に設けられた第２の活性層と、を有する発振波長λの垂直共振器型面発光レーザであって、第１の活性層は、実効的な共振器長Ｌを構成する実効共振器の端から３Ｌ／８〜５Ｌ／８となる第１の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置され、第２の活性層は、実効共振器の端から３Ｌ／８Ｍ〜５Ｌ／８Ｍ（Ｍは２以上の整数）となる第２の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置されている。 （もっと読む）

【課題】基本横モード光の高出力化および偏光制御を可能にする面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００と、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、基板上に形成されたメサＭと、メサＭ内に形成され、選択的に酸化された酸化領域１０８Ａによって囲まれた導電領域１０８Ｂを有する電流狭窄層１０８と、メサＭの頂部に形成され、光出射口１１０Ａを規定する環状のｐ側電極１１０と、光出射口１１０Ａ内に形成された異方形状の第１の誘電体膜１１２と、第１の誘電体膜１１２と直交する方向に形成された異方形状の第２の誘電体膜１１８とを有する。第１および第２の誘電体膜１１２、１１８は、互いに反対の応力を活性領域１０４に付加し、かつ、第１および第２の誘電体膜の重複領域の反射率は、重複しない領域の反射率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】外力によるパッケージの変形を抑制することができる面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】 面発光レーザモジュール１０は、フラットパッケージ２０、金属リング３０、キャップ、及び面発光レーザアレイチップ６０を有している。金属リング３０は、フラットパッケージ２０に、キャビティ領域を取り囲んで固着されている。キャップは、キャップ本体４１及びガラス板４２を有している。キャップ本体４１は、立ち上がり部と、フランジ部と、傾斜部とを有している。フランジ部と金属リング３０とはシーム溶接されている。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗の上昇を招くことなく、発光効率を向上させることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 発光部は基板、バッファ層、下部半導体ＤＢＲ、共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ、上部電極、下部電極などを有している。上部半導体ＤＢＲは、第１の上部半導体ＤＢＲ、及び第２の上部半導体ＤＢＲを有している。第１の上部半導体ＤＢＲは、ｐ−Ａｌ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる低屈折率層を含み、該低屈折率層は、第２の上部半導体ＤＢＲにおけるｐ−Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓからなる低屈折率層と接している。第１の上部半導体ＤＢＲの低屈折率層（ｐ−Ａｌ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐ）と第２の上部半導体ＤＢＲにおける第１の上部半導体ＤＢＲに接している低屈折率層（ｐ−Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓ）は、屈折率が同じである。 （もっと読む）

【課題】効率の良いレーザ動作を実現することが可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１は、活性層４０と第１反射層３０とを含む半導体積層３と、半導体積層３の活性層４０側の主面３ａから離間して配置された第２反射層６０と、を備える。活性層４０は、キャリヤ励起層４１及びキャリヤ励起層４１に挟まれた井戸層５０を有する。キャリヤ励起層４１はIV−VI族化合物半導体及びII−VI族化合物半導体を含んだ複数の半導体層からなると共に、キャリヤ励起層のバンドギャップは井戸層５０に近づくに従って減少する。井戸層５０は、IV−VI族化合物半導体及びII−VI族化合物半導体を含んだ短周期超格子構造を有する第１の層及びIV−VI族化合物半導体を含む第２の層を備える。 （もっと読む）

【課題】活性層における注入電流分布を均一化できる面発光レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体基板３と、前記半導体基板３における一方の面に設けられた第１の電極５と、前記半導体基板３における反対側の面に設けられた、第１の分布反射ミラー７、第１のクラッド層９、活性層１１、第２のクラッド層１３、第２の分布反射ミラー１５、及び第２の電極１７と、を備え、前記第１の電極５と前記第２の電極１７のうち、一方は、開口部Ａを有する出射側電極であり、他方は、コンタクト部１７ａを有する非出射側電極であり、前記活性層１１と前記出射側電極との間に、前記コンタクト部１７ａよりも小さい開口部２１ａを有する電流狭窄層２１を備えることを特徴とする面発光レーザ素子１。 （もっと読む）

【課題】高変調速度で駆動でき、有効寄生キャパシタンスが小さく、特に簡単且つ低コストで製造できるレーザ発振装置を提供する。
【解決手段】本発明は、光相互接続に使用されるレーザ発振装置を提供する。レーザ発振装置は、第１及び第２の反射器と、電流閉じ込め開口内に電流を閉じ込めるよう構成された閉じ込め層と、第１及び第２の反射器間の活性層とを具備する。活性層は、電流閉じ込め開口に整列した主活性領域と、主活性領域を取り囲む補助活性領域とを具備する。第２反射器は、電流閉じ込め開口に配置された第１反射領域と、第１反射領域を取り囲む第２反射領域とを具備する。第２反射領域及び第１反射器は、補助活性領域で誘導再結合を誘導するよう構成される。 （もっと読む）

【課題】それぞれの面発光レーザ素子の発振周波数と所望の発振周波数との誤差が小さい面発光レーザ素子アレイを提供する。
【解決手段】ｌｏｇ_２ｎ回の調整工程を有し、それぞれの調整工程においてそれぞれの波長調整層の膜厚を調整するか否かを波長調整層毎に選択することで、それぞれの波長調整層を略一定間隔の膜厚にし、それぞれの調整工程における調整量は、ｄ×２＾ｋであらわされ、単位量ｄとして、それぞれのレーザ素子にそれぞれの目標発振周波数の光を発生させようとした場合の、目標発振周波数が隣接する他のレーザ素子との間で有するべき波長調整層の膜厚差の平均値を用いる製造方法を提供する。 （もっと読む）