【課題】 モード制御のための反射率制御を行うために設けられた段差構造を備えた面発光レーザにおいて、遠視野光強度分布の拡がり角を改善した面発光レーザを提供する。
【解決手段】 反射率差を付与する第１の段差構造と、遠視野光強度分布を変化させる第２の段差構造とを備える。第１の段差構造の段差を形成する領域と、第２の段差構造の段差を形成する領域とは所定の関係を有する。 （もっと読む）

【課題】長寿命で、高い発光効率及び優れた温度特性を有する面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 下部半導体ＤＢＲは、熱伝導率の大きい低屈折率層１０３ａとそれよりも熱伝導率の小さい高屈折率層１０３ｂをペアとし、３０．５ペアを含む第１の下部半導体ＤＢＲ１０３_１と、５ペアを含む第２の下部半導体ＤＢＲ１０３_２と、１ペアを含む第３の下部半導体ＤＢＲ１０３_３とを有している。第２の下部半導体ＤＢＲ１０３_２では、低屈折率層１０３ａは３λ／４の光学厚さとなるように設定され、高屈折率層１０３ｂは、λ／４の光学厚さとなるように設定されている。第３の下部半導体ＤＢＲ１０３_３は、共振器構造体と第２の下部半導体ＤＢＲ１０３_２との間に設けられ、各屈折率層はいずれもλ／４の光学厚さとなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】高出力の単一横モード発振のため長共振器化した際においても、縦モードホッピングの発生を抑制することができ、より安定した単一縦モード発振が可能となる面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上の、第１および第２のミラーとで共振器が構成され、第１と第２のミラーとの間に設けられた第１の活性層と、第１の活性層と第１のミラーとの間に設けられた第２の活性層と、を有する発振波長λの垂直共振器型面発光レーザであって、第１の活性層は、実効的な共振器長Ｌを構成する実効共振器の端から３Ｌ／８〜５Ｌ／８となる第１の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置され、第２の活性層は、実効共振器の端から３Ｌ／８Ｍ〜５Ｌ／８Ｍ（Ｍは２以上の整数）となる第２の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置されている。 （もっと読む）

【課題】注入電流の大きさを変化させても、全光出力における各横モードの出力の割合の変動を抑制することが可能なトンネル接合型の面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１００は、下部ＤＢＲ３と、下部スペーサ層５と、活性層７と、第１上部スペーサ層９と、第１上部スペーサ層９の上面９Ｓの一部（第１領域９Ｓ１及び第２領域９Ｓ２）上に設けられたトンネル接合領域ＴＪと、トンネル接合領域ＴＪを埋め込むようにトンネル接合領域ＴＪ上及び第１上部スペーサ層９上に設けられた第２上部スペーサ層１５と、上部分布ブラッグリフレクタ１９と、を備える。トンネル接合領域ＴＪの単位面積当たりのトンネル抵抗は、半導体基板１の主面１Ｓと直交する方向から見た場合のトンネル接合領域ＴＪの内側から外側に向かって、段階的に減少、及び／又は、単調に減少することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】偏向方位分解能の向上、偏向角の拡大、搭載自由度の向上、および構造の簡略化を実現する
【解決手段】光偏向素子１は、内部を光が導波する光ガイド層１３と、光ガイド層１３の上面および下面に形成されたＤＢＲ１４およびＤＢＲ１２とを備え（以下、光ガイド層１３とＤＢＲ１２，１４とをまとめて「導波路」という）、さらに、ＤＢＲ１４の両面のうち導波路と非接触となる側の面に形成された光入射口２６と、光入射口２６から入射して導波路内を導波する光を出射させるための光出射口２７とを備える。そして、光入射口２６から導波路内に光が入射すると、導波路内の光は、光ガイド層１３の上面および下面に設けられたＤＢＲ１２，１４で反射しながら光導波層内を導波し（矢印Ｄ１を参照）、その後、光出射口２７から出射する（矢印Ｄ２を参照）。 （もっと読む）

【課題】それぞれの面発光レーザ素子の発振周波数と所望の発振周波数との誤差が小さい面発光レーザ素子アレイを提供する。
【解決手段】ｌｏｇ_２ｎ回の調整工程を有し、それぞれの調整工程においてそれぞれの波長調整層の膜厚を調整するか否かを波長調整層毎に選択することで、それぞれの波長調整層を略一定間隔の膜厚にし、それぞれの調整工程における調整量は、ｄ×２＾ｋであらわされ、単位量ｄとして、それぞれのレーザ素子にそれぞれの目標発振周波数の光を発生させようとした場合の、目標発振周波数が隣接する他のレーザ素子との間で有するべき波長調整層の膜厚差の平均値を用いる製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】単一基本横モードの出力を容易に向上可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 面発光レーザ素子は、活性層１０５、共振器スペーサー層１０４，１０６、反射層１０３，１０７、並びに酸化領域１０８ｂが電流狭窄層及び抑制層として機能する選択酸化層１０８を備える。共振器スペーサー層１０４，１０６は、活性層１０５の両側に設けられる。反射層１０３，１０７は、共振器スペーサー層１０４，１０６の両側に設けられ、活性層１０５において発振した発振光を反射する。電流狭窄層は、活性層１０５へ電流を注入するときの反射層１０３，１０７の領域を制限する。抑制層は、活性層１０５において発振した高次モード成分を抑制する。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、放熱性及び耐腐食性に優れた面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 下部半導体ＤＢＲは、第１下部半導体ＤＢＲ１０３ａと第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂから構成され、共振器構造体に近い第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂは、ｎ−Ａｌ_０．９８Ｇａ_０．０２Ａｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを３ペア有している。そして、第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂの低屈折率層は、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、３λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。また、第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂの低屈折率層は、第１下部半導体ＤＢＲ１０３ａの低屈折率層であるｎ−ＡｌＡｓと高屈折率層であるｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓとの間の熱抵抗率を有している。 （もっと読む）

【課題】ヘキ開の際に金属パッドへの異物の付着を低減することができる光デバイスを提供する。
【解決手段】 １つの基板上に形成された３２個の発光部と、該３２個の発光部におけるｐ側電極と電気的に接続されている３２個の電極パッドとを備えている。そして、ヘキ開工程で、シリコーン付着現象を生じるおそれがある電極パッド１５０は、平面視において、ヘキ開された部分に近い辺の長さが、該ヘキ開された部分に平行な方向の寸法ｄよりも長くなるように設定されている。この場合は、チップ形成基板の厚さが従来よりも厚い場合であっても、保護シートの密着力を低下させることができ、ヘキ開の際に各電極パッドにシリコーンが付着するのを防止することができる。その結果、製造歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】イントラキャビティー構造の電極層を有する低閾値で動作可能な垂直共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】共振器の内部に３個以上の奇数個のスペーサ層５０３、５０５、５０７を有し、それらの間が２個以上の中間ミラー５０４、５０６で仕切られており、任意の（２Ｎ’−１）個隣同士のミラー間の光学距離をｄとし（Ｎ’：１以上の整数）、隣同士の中間ミラーからの反射光の位相とびをそれぞれΦ１、Φ₂とするとき、以下の式（１）の関係を満たし、２Ｎ’個隣同士のミラー間の光学距離をｄ’とするとき、以下の式（２）の関係を満たし、電極層が下部ミラーより数えて偶数番目のスペーサ層中、又はその隣接部に設けられている。２ｄ・２π／λ＋Φ₁＋Φ₂＝２Ｎ・π・・・・式（１）２ｄ’・２π／λ＋Φ₁＋Φ₂＝（２Ｎ−１）・π・・・・式（２）（但し、Ｎ：１以上の整数） （もっと読む）

【課題】表面レリーフ構造の中心位置と電流狭窄構造の中心位置とを精度良く位置合わせでき、基本横モードと高次横モードの間に十分な損失差を導入できる表面レリーフ構造の形成が可能な面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】電流狭窄構造の形成後に、第二のエッチングストップ層及び第三のエッチングストップ層を用いて、半導体層上における誘電体膜の除去と、第一のエッチングストップ層を第２のパターンに沿って除去することを同一工程で実施する。
また、表面レリーフ構造が下層、中間層、上層の三層から構成され、該下層、中間層、上層の合計層厚が１／４波長の奇数倍の光学的厚さ（λ／４ｎの奇数倍、λ：発振波長、ｎ：半導体層の屈折率）とし、
下層の直下が、第二のエッチングストップ層とし、また二のエッチングストップ層の直上に、第一のエッチングストップ層が積層されている構造とする。 （もっと読む）

【課題】従来のＧＭＲＦよりも小さな面積で入射光と結合可能であり、高屈折率の材料を必要とせず、所望波長の光とそれ以外の波長の光とを別個に取り出す波長選択フィルタを提供する。
【解決手段】波長選択フィルタは、導波コア２と、導波コア２上に設けられたＤＢＲ１１、位相調整区間ｐ１、ＧＣ１０、位相調整区間ｐ２、及びＤＢＲ１２とを備える。所望波長の光及び所望波長以外の波長の光を含む入射光がＧＣ１０に入射したとき、導波コア２を伝搬する導波光をＧＣ１０により回折して導波コア２の第１の面から放射させることにより、ＧＣ１０に入射した所望波長の光を反射し、導波コア２を伝搬する導波光をＧＣ１０により回折して導波コア２の第２の面から放射させることにより、ＧＣ１０に入射して導波コア２を透過した所望波長の光を相殺する。所望波長以外の波長の光は導波コア２を透過する。 （もっと読む）

【課題】高出力による単一横モード発振のため長共振器化することで縦モード間隔が狭くなり、縦多モード発振等が生じる際でも、単一縦モード発振が可能となる垂直共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】活性層を含む複数の半導体層が積層され、波長λ１で発振する垂直共振器型面発光レーザであって、上部と下部多層膜反射鏡とによる共振器が、共振波長がλ１、利得スペクトルにおける共振波長λ１での利得がｇ１である第１の縦モード１１０と、共振波長がλ２、利得がｇ２である第２の縦モード１２０と、共振波長がλ３、利得がｇ３（ｇ２＞ｇ３）である第３の縦モード１３０と、による縦多モードを生じる構造を有し、第１の活性層１４０が、第１の縦モードの定在波の腹１５０からずらした位置に配置され、利得が大きい第２の縦モードの発振を抑制し、第１の縦モードによる単一縦モード発振が可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】よりいっそうの低消費電力化が可能な面発光レーザ、光源、及び光モジュールを提供すること。
【解決手段】電流狭窄層を挟むように形成され、第２導電型コンタクト層側に配置された第１組成傾斜層および活性層側に配置された第２組成傾斜層を備え、第１組成傾斜層および第２組成傾斜層は、積層方向において電流狭窄層からそれぞれ反対側の隣接する層に近づくにつれてそのバンドギャップエネルギーが単調減少し、隣接する層のバンドギャップエネルギーに近づくように構成され、第２導電型クラッド層はキャリアの移動度を低下させる材料を含み、第２組成傾斜層のキャリア濃度が、電流狭窄層の電流注入部のキャリア濃度以上である。 （もっと読む）

【課題】複数の活性領域へのキャリヤ注入の均一性とキャリヤの閉じ込めを向上させ、レーザ特性の改善を図ることが可能となる周期利得構造を備えた面発光レーザを提供する。
【解決手段】第１ＤＢＲ層、第１クラッド層、活性領域、第２クラッド層、電流狭窄構造、第２ＤＢＲ層を含み構成された面発光レーザであって、
前記活性領域は多重量子井戸構造を有し、該活性領域を利得領域の光強度が極大となる複数の位置に配置して構成された周期利得構造を備えると共に、インターバリヤ層が前記複数の活性領域の間に配置された構造を備え、
前記インターバリヤ層の伝導帯エネルギー下端のエネルギー準位が、前記複数の位置の前記活性領域の前記多重量子井戸構造における障壁層の伝導帯エネルギー下端のエネルギー準位よりも高いエネルギー準位とされている構成とする。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で面発光レーザ素子のレーザ発振波長を高精度に制御することができる加熱機構を用いた面発光レーザ素子および面発光レーザアレイ素子を提供すること。
【解決手段】２つの多層膜反射鏡からなる光共振器と、前記光共振器内に配置された活性層と、前記活性層の近傍に設けられた高抵抗加熱部と、前記高抵抗加熱部に接続し、該高抵抗加熱部に電流を伝えるための該高抵抗加熱部よりも電気抵抗が低い低抵抗部とを有し、当該面発光レーザ素子のレーザ発振波長を調整するための加熱機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で高出力かつレーザ発振波長が均一である面発光レーザアレイ素子を提供すること。
【解決手段】複数の面発光レーザ素子が２次元的に配列された面発光レーザアレイ素子であって、前記各面発光レーザ素子は、隣接する他の面発光レーザ素子が多い第１領域と少ない第２領域とでの温度差によるレーザ発振波長の差異が小さくなるように層厚を設定した温度補償層を光共振器内に有する。好ましくは、前記面発光レーザ素子は、イントラキャビティ構造を有する。 （もっと読む）

【課題】電圧の上昇を抑制しながら選択酸化層とスペーサ層との界面での剥離を防止することができ、信頼性の向上を図ることが可能となる垂直共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、ｎ型半導体ブラッグ反射鏡と、ｐ型半導体ブラッグ反射鏡と、これらの間に設けられた活性層と、が積層され、
前記ｐ型半導体ブラッグ反射鏡は、前記活性層上に、ｐ型スペーサ層、選択酸化層を介して設けられ、該選択酸化層を酸化させて電流狭窄構造を形成した垂直共振器型面発光レーザであって、
前記選択酸化層に隣接して設けられた、該選択酸化層を酸化させる際に酸化の進行しない材料で構成された第１中間層と、
前記ｐ型スペーサ層とのバンドギャップを調整するための、該第１中間層に隣接して設けられた第２中間層及び該第２中間層に隣接して設けられた第３中間層とが、前記選択酸化層と前記ｐ型スペーサ層との間に配されている。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＡｓ基板上にＡｌ、Ｉｎ、Ｐを主成分として含む半導体層が少なくとも１層設けられている面発光型半導体レーザにおいて、Ｉｎの分離の影響による閾値電流増加を抑制できる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】 Ａｌ，Ｉｎ，Ｐを主成分として含む半導体層１とＡｌ，Ｇａ，Ａｓを主成分として含む半導体層２との界面３を電界強度分布の節の位置とすることによって、Ａｌ，Ｉｎ，Ｐを主成分として含む半導体層１の上にＡｌ，Ｇａ，Ａｓを主成分として含む半導体層２を結晶成長したときに、Ｉｎの分離がある程度生じていても界面における光学的吸収の影響を大幅に低減させることができ、よって、閾値増加への悪影響を大幅に抑えることが容易に実現できるようにした。 （もっと読む）

【課題】閾値が低く、光吸収が少なくて高効率な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１の電極１３４と、第２の電極１３１と、第１の反射鏡１０２と、第２の反射鏡１４０と、共振器１１０とを備え、共振器１１０は、活性層１０５と、電流が流れる第１の領域１０７ｂと、電流の流れを制限する第２の領域１０７ａとを有する電流経路制限層１０７と、第１の半導体層１１１、１１２とを備え、第１の半導体層１１１、１１２は、第２の半導体層１２１と、第３の半導体層１２２とを備え、第２の半導体層１２１は第３の半導体層１２２よりも第２の電極１３１に近く設けられ、第２の半導体層１２１と第３の半導体層１２２は第１の半導体層１１１、１１２よりもドーピング濃度が高く、第２の半導体層１２２の導電率と膜厚の積が第３の半導体層１２１の導電率と膜厚の積よりも高い。 （もっと読む）