空隙からなる凹部（１０２ｂ）およびＩＩＩ族窒化物からなる凸部（１０２ａ）が表面に形成されている基板（１０１）と、基板（１０１）上に形成された窒化物半導体層（１０６）と、窒化物半導体層（１０６）上に形成され活性層を有する窒化物半導体積層体とを備え、基板（１０１）の格子定数は、ＩＩＩ族窒化物（１０２ａ）の格子定数とは異なり、基板（１０１）は誘電体（１０４）からなるマスク（１０４ａ）を有しており、マスク（１０４ａ）は、凸部（１０２ａ）の側面にのみ形成され、凸部（１０２ａ）の上面は露出しており、かつ凹部（１０２ｂ）には基板（１０１）が露出しており、マスク（１０４ａ）の高さＬ１は、５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であり、凹部（１０２ｂ）の幅Ｌ２は、５０００ｎｍ以上５００００ｎｍ以下であり、凹部（１０２ｂ）のアスペクト比Ｌ１／Ｌ２は、０．００１以上１．０以下である窒化物半導体素子である。このような構成により、窒化物半導体素子の信頼性を高めることができる。
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