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Fターム[5F173AF38]の内容

Fターム[5F173AF38]に分類される特許

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【課題】高効率で低動作電圧の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】n形半導体層、p形半導体層、発光部、p側電極を備えた半導体発光素子において、発光部はn形半導体層とp形半導体層との間に設けられ、複数の障壁層と複数の障壁層の間に設けられた井戸層とを含む。p側電極はp形半導体層に接する。p形半導体層は第1〜第4p形層を含む。第1p形層51はp側電極に接し第1濃度でp形不純物を含む。第2p形層52は第1p形層と発光部との間において発光部に接し、Alを含み第1濃度よりも低い第2濃度でp形不純物を含む。第3p形層53は第1p形層51と第2p形層52との間に設けられ、第2濃度よりも低い第3濃度でp形不純物を含む。第4p形層54は第2p形層52と第3p形層53との間に設けられ、p形不純物の濃度はn形半導体層からp形半導体層への方向に沿って第2濃度から第3濃度に漸減する。 (もっと読む)


【課題】吸収係数の小さい光吸収部を制御性良く作製することができ、垂直放射角を精度良く制御できる素子を安定的に作製可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上にn型クラッド層、活性層及びp型クラッド層を少なくとも有し、ストライプ状の導波路が設けられた窒化物系半導体レーザ素子であって、前記n型クラッド層の少なくとも一部に、n型ドーパントとp型ドーパントが共ドープされている窒化物系半導体レーザ素子とした。 (もっと読む)


【課題】低減された順方向電圧のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】p型クラッド層におけるp型ドーパントの濃度がn型不純物の濃度より大きくなるように、p型クラッド層はp型ドーパント及びn型不純物を含む。p型クラッド層のバンドギャップより大きい励起光を用いた測定によるフォトルミネセンス(PL)スペクトルは、バンド端発光及びドナーアクセプタ対発光のピークを有する。このPLスペクトルにおけるバンド端発光ピーク値のエネルギE(BAND)と該PLスペクトルにおけるドナーアクセプタ対発光ピーク値のエネルギE(DAP)との差(E(BAND)−E(DAP))は、当該III族窒化物半導体レーザ素子11の順方向駆動電圧(Vf)と相関を有する。このエネルギ差(E(BAND)−E(DAP))が0.42eV以下であるとき、III族窒化物半導体発光素子の順方向電圧印加に係る駆動電圧が低減される。 (もっと読む)


【課題】1枚のウェハからより多くのチップを取得することができる高性能な発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】加熱したn型基板100上にIII族原料ガス及びV族原料ガスを供給し、n型基板100上に少なくともn型クラッド層5、活性層7、p型クラッド層9,11及びコンタクト層13からなるIII−V族半導体層2を積層する発光素子用エピタキシャルウェハ1において、III−V族半導体層2のいずれかの層に不可避不純物として混入するS(硫黄)の濃度を1.0×1015cm-3以下にすべく、その層の成長時の基板温度を620℃以上とし、かつV族原料ガスとIII族原料ガスの実流量比を130以上とした。 (もっと読む)


【課題】均質なn型導電性のIII族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体膜およびかかるIII族窒化物半導体膜を含むIII族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本III族窒化物半導体膜20は、主面20m,21m,22mが(0001)面20cに対して0°より大きく180°より小さいオフ角θを有し、n型導電性を実質的に決定するドーパントが酸素であるIII族窒化物半導体層21,22を少なくとも1層含む。また、本III族窒化物半導体デバイスは、上記のIII族窒化物半導体膜20を含む。 (もっと読む)


【課題】逆方向の静電耐圧の向上を可能な構造を有するリッジ型III−V化合物半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体リッジ15の第1及び第2部分15a、15bは、それぞれ、半導体リッジ15の一端面15d及び他端面15eを含む。III−V化合物半導体層25は活性層23と接合を成すと共に第2のクラッド層29と接合を成す。一端面15d及び他端面15eの近傍は、第2のクラッド層27のキャリア濃度より低くキャリア濃度1×1017cm−3以下の領域を含むIII−V化合物半導体層25を備え、このIII−V化合物半導体層25は半導体リッジ15の第1及び第2部分15a、15bに設けられる。第1のクラッド層21と第2のクラッド層27との間に逆方向の静電放電電圧が印加されるとき、III−V化合物半導体層25に空乏層が生成されて、半導体リッジ15における最大電界を低減できる。 (もっと読む)


【課題】静電耐圧が高い窒化物半導体発光素子を歩留まりが高く製造する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、成長用基板と、該成長用基板上に形成されたn型窒化物半導体層と、該n型窒化物半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたp型窒化物半導体層とを有し、n型窒化物半導体層の発光層と接する側の表面から基板に向けて略垂直に延び、直径が2nm〜200nmであるパイプ穴を5000個/cm2以下有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光閉じ込め性の低下を縮小しながら駆動電圧の低減を可能にする窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体領域19では、発光層13の活性層25、第1のクラッド領域21及び第2のクラッド領域23は主面17a上に設けられる。第2のクラッド領域23は、第1p型III族窒化物半導体層27及び第2p型III族窒化物半導体層29を含む。第1p型III族窒化物半導体層27はInAlGaN層からなり、第2p型III族窒化物半導体層29は該InAlGaN層と異なる半導体からなる。このInAlGaN層は非等方的な歪みを内包する。第1p型III族窒化物半導体層27は第2p型III族窒化物半導体層29と活性層25との間に設けられる。第2p型III族窒化物半導体層29の比抵抗ρ29は第1p型III族窒化物半導体層27の比抵抗ρ27より低い。 (もっと読む)


【課題】 光半導体層の結晶性を向上させつつ、発光効率の低下を招きにくくすることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、n型窒化ガリウム系半導体層3と、n型窒化ガリウム系半導体層3上に設けられた、窒化ガリウム系半導体を含む発光層4と、発光層4上に設けられた、発光層4と接するブロック層5を持つp型窒化ガリウム系半導体層6とを有し、ブロック層5は、マグネシウムを含有した電子ブロック層5aと、電子ブロック層5aよりもマグネシウムの含有量が小さい、厚みが3nm以下の正孔トンネル層5bとが積層されている。このような正孔トンネル層5bをブロック層5が有していることから、光半導体層7の結晶性を向上させつつ、発光効率の低下を招きにくくすることができる。 (もっと読む)


【課題】電流の利用効率を高めた半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、第1導電型の第1クラッド層12と、第1クラッド層12上に形成された活性層13と、活性層13上に形成された第2導電型の第2クラッド層14と、第1pクラッド層14上の所定の領域に形成された第2導電型のリッジ部2と、所定の領域とは異なるリッジ部2の近傍領域の第1pクラッド層14上に形成された第1導電型のn型イオン注入層16aとを含む。 (もっと読む)


【課題】GaN基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性向上した半導体基板を実現し、この半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】p型電極32と、n型電極31と、p型電極32に接続され、複数のp型窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型積層構造(16〜20)と、n型電極31に接続され、複数のn型窒化物系III−V族化合物半導体であるn型積層構造(11〜14)と、p型積層構造(16〜20)とn型積層構造(11〜14)との間に形成された窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層15とを備え、n型積層構造(11〜14)がSiを5x1017cm-3以上2x1019cm-3以下の濃度で含有し、厚さが0.3nm以上200nm以下のドープ層10と、ドープ層10よりも活性層15側に設けられた超格子層13とを含む。 (もっと読む)


【課題】消費電力が低く、コスト低減を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子は、窒化物半導体からなる活性層12と、活性層12の上面上に形成されたp型クラッド層14と、p型クラッド層14の一部に形成されたリッジ部16と、p型クラッド層14上における少なくともリッジ部16の外側の領域に形成された、光吸収作用を有する導電性膜18とを備えている。そして、リッジ部16のリッジ幅Wが、2μm以上6μm以下となっている。 (もっと読む)


【課題】素子抵抗の低減を図る。
【解決手段】VCSELのDBR層25において、屈折率及びバンドギャップが異なるナローバンド層25b及びワイドバンド層25aを交互に積層し、ナローバンド層25bとワイドバンド層との間にグレーデッド層25cを配置し構成するとともに、ワイドバンド層25aはナローバンド層25bに比べて大きいバンドギャップ及び高い不純物濃度とし、グレーデッド層25cは、ナローバンド層25bと隣接する一端面側からワイドバンド層25aと隣接する他端面側に向かってナローバンド層25bの組成で始まってワイドバンド層25aの組成で終わるように連続的に組成変化させて形成するとともに、ナローバンド層25bと隣接する一端面側からワイドバンド層25aと隣接する他端面側に向かってナローバンド層25bの不純物濃度で始まってワイドバンド層25aの不純物濃度で終わるように傾斜的に変化させて形成する。 (もっと読む)


【課題】第二n型半導体層表面に起因する発光層およびp型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板11上に第一n型半導体層12cを積層する第一工程と、前記第一n型半導体層12c上に前記第一n型半導体層12cの再成長層12dと第二n型半導体層12bと発光層13とp型半導体層14とを順次積層する第二工程とを具備し、前記第二n型半導体層12bを積層する工程において、前記再成長層12d形成時よりも少量の前記Siをドーパントとして供給することにより第二n型半導体層第一層を形成する工程(1)と、前記Siを前記工程(1)よりも多く供給することにより第二n型半導体層第二層を形成する工程(2)と、をこの順で行うことを特徴とする半導体発光素子1の製造方法を採用する。 (もっと読む)


【課題】再成長層表面に起因する発光層およびp型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板11上に第一n型半導体層12aを積層する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一n型半導体層12a上に前記第一n型半導体層12aの再成長層12dと第二n型半導体層12bと発光層13とp型半導体層14とを順次積層する第二工程とを具備し、前記第二工程において、前記再成長層12dを形成する際の基板温度を、600℃〜900℃の範囲とすることを特徴とする半導体発光素子1の製造方法を採用する。 (もっと読む)


【課題】発光特性を低下させることなく、素子抵抗を小さくすることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板上に積層された、下部半導体DBR、下部スペーサ層(n側スペーサ層)、活性層、上部スペーサ層(p側スペーサ層)、及び上部半導体DBRなどを有している。活性層は、下部スペーサ層と上部スペーサ層とによって挟まれている。そして、上部スペーサ層は、少なくとも活性層に接する一部分に、p型ドーパントが含まれないアンドープ領域を有し、下部スペーサ層は、全体にn型ドーパントがドープされている。そこで、発光特性を低下させることなく、素子抵抗を小さくすることができる。 (もっと読む)


【課題】フォトニック結晶発光素子に設けられた複数の共振器に対して、効率良く、かつ良好な均一性で電流を注入する。
【解決手段】フォトニック結晶発光素子100は、3次元フォトニック結晶110を用いている。フォトニック結晶は、P型半導体からなるPクラッド130、活性部を含むI部170およびN型半導体からなるNクラッド140が第1の方向に接合されたPIN接合構造を有するとともに、該活性部160を含む複数の共振器を有する。そして、PクラッドおよびNクラッドにおいて、第1の方向に直交する第2の方向でのキャリアの拡散係数が、第1の方向でのキャリアの拡散係数よりも高い。 (もっと読む)


【課題】低抵抗化されたp型窒化ガリウム系半導体層を含むIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】支持体13の主面13aは、基準平面Scに対して40度以上140度以下の角度ALPHAを成しており、基準平面Scは該III族窒化物半導体のc軸の方向に延びる基準軸Cxに直交する。主面13aは半極性及び無極性のいずれか一方を示す。n型GaN系半導体層15は支持体13の主面13a上に設けられる。n型GaN系半導体層15、活性層19及びp型GaN系半導体層17は法線軸Nxの方向に配列されている。p型GaN系半導体層17にはp型ドーパントしてマグネシウムが添加されており、p型GaN系半導体層17はp型ドーパントとして炭素を含む。p型GaN系半導体層17の炭素濃度は2×1016cm−3以上1×1019cm−3以下である。 (もっと読む)


【課題】 半導体メサ部の端面の発光層へのp型ドーパントの拡散を抑制することにより通電特性の劣化を抑制可能な構造を有する半導体光素子を提供する。
【解決手段】 半導体光素子1は、発光層23及びp型クラッド層25とを含む半導体メサ部Mと、p型埋め込み領域13と、を備え、半導体メサ部Mは、第1メサ領域Ma及び第2メサ領域Mb,Mcを有し、第1メサ領域Maは第2メサ領域Mb及びMc間に位置する。p型クラッド層25が、第1メサ領域Ma内の第1部分25と、第2メサ領域Mb,Mc内の第2部分25とを有する。p型埋め込み領域13が、第1メサ領域Maの側面上の第1部分13と、第2メサ領域Mb,Mcの側面上の第2部分13とを有する。p型クラッド層25及びp型埋め込み領域13の一方において、第2部分のp型ドーパントの濃度が第1部分のp型ドーパントの濃度より低い。 (もっと読む)


【課題】不純物の不要な拡散を抑制し、特性の良い光半導体装置を提供する。
【解決手段】光半導体装置10は、p型不純物であるZn及び深いドナー準位を形成し得る不純物であるTiが添加されたp型クラッド層18を有するメサ部12と、深いアクセプタ準位を形成する不純物であるFeが添加されたIII−V族化合物半導体であるInPにより形成され、メサ部12の側面でp型クラッド層18と接してメサ部12を埋め込む埋め込み層13と、を備えている。 (もっと読む)


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