説明

Fターム[5F173AH02]の内容

半導体レーザ (89,583) | 活性層の材料系−基板材料 (6,449) | III−V族であるもの (5,382) | AlGaAs系 (1,451)

Fターム[5F173AH02]の下位に属するFターム

Fターム[5F173AH02]に分類される特許

1 - 20 / 785


【課題】安定したレーザ発振が得られる外部共振器型レーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明の発光装置(100)は、端面発光型の発光素子(10)と、液晶レンズ(23)を含み前記発光素子(10)の端面から出射される光を屈折させるレンズ部(20)と、前記レンズ部(20)から出射される光を回折し、その回折光の一部を前記発光素子(10)に帰還させ該発光素子(10)においてレーザ光を生じさせる回折光学素子(30)と、前記レーザ光の縦モードの単一性及び/又は光出力を監視するレーザ光監視部(40)と、前記レーザ光監視部(40)で得られる前記縦モードの単一性及び/又は光出力に基づいて前記液晶レンズ(23)を制御する液晶制御装置(25)と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電流狭窄層を形成する工程において、電流狭窄層となる層の酸化反応が阻害されることを抑制できる面発光型半導体レーザーの製造方法を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザー100の製造方法は、共振器の少なくとも一部を含む柱状部20を有する面発光型半導体レーザーの製造方法であって、SiClを含むガスを用いたエッチングにより、柱状部20を形成しつつ、柱状部20の側面21にシリコン含有膜を形成する工程と、フッ素系ガスを用いたエッチングにより、シリコン含有膜110を除去する工程と、柱状部20を構成する層のうち少なくとも1層を側面から酸化することにより、電流狭窄層28を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】複数のレーザ素子から出射されるレーザ光を受光してその電流値をモニタする際に、複数のレーザ素子が実装されたサブマウントの表面状態によるモニタ電流値のバラツキを低減することができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】サブマウント52の表面には、半導体レーザチップ50が実装されている。サブマウント52の実装面には、拡張共通電極30bが形成されている。拡張共通電極30bは、半導体レーザチップ50に設けられた共通電極30と接続されて連続的に一体的に形成されている。拡張共通電極30bは、半導体レーザチップ50の後方側に開口部30aを有する。また、半導体レーザチップ50の後方側には、半導体レーザチップ50の一端から放射される光を検出するための受光素子55が配置されている。 (もっと読む)


【課題】発熱に起因する活性層の劣化を抑制することの可能な半導体レーザ素子、光電変換装置および光情報処理装置を提供する。
【解決手段】活性層を含むと共に上面に第1電極を有するメサ部と、前記メサ部を覆うと共に前記第1電極に達する第1接続孔を有する埋め込み部と、前記埋め込み部上に前記第1接続孔を跨がるよう設けられると共に前記第1接続孔を介して前記第1電極に電気的に接続された第1配線とを備えた半導体レーザ素子。 (もっと読む)


【課題】 安定したレーザ光を出射可能な端面発光型フォトニック結晶レーザ素子を提供する。
【解決手段】 端面発光型フォトニック結晶レーザ素子10は、X軸を囲む4つの端面を有し、端面のうちの1つはレーザ光出射面SFであり、端面のうちのレーザ光出射面SFに対向する面を逆側端面SBとし、端面のうちの残りの一対の端面を側方端面SR,SLとする。端面発光型フォトニック結晶レーザ素子10をX軸方向から見た場合、上部電極E2の一端はレーザ光出射面SFに重なり、上部電極E2と逆側端面SBとは離間し、上部電極E2と双方の側方端面SR,SLとは離間し、且つ、活性層3Bの一端はレーザ光出射面SFに重なっている。 (もっと読む)


【課題】発光ムラを抑制した面発光素子アレイを提供する。
【解決手段】面発光素子アレイ30は、基板上に形成された複数の並列素子アレイPA−1、PA−2、・・・PA−nを含み、各並列素子アレイは、接続手段により直列に接続される。並列アレイ素子は、並列に接続された複数の面発光素子P1、P2、・・・Pmを含んで構成され、面発光素子は、好ましくは面発光型半導体レーザから構成される。さらに並列素子アレイの向きは、複数の面発光素子に接続される電極の位置から決定され、並列素子アレイは、互いに向きが異なるように配置される。 (もっと読む)


【課題】基本横モード光の高出力化および偏光制御を可能にする面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ10は、基板100と、基板100上に形成された下部DBR102と、活性領域104と、上部DBR106と、基板上に形成されたメサMとを含む。メサMの頂部において、光出射部を覆う異方形状の出射保護膜112が形成され、さらにメサMの側壁および少なくとも周縁を覆う層間絶縁膜114が形成される。層間絶縁膜114は、出射保護膜112の長軸側の両端部を覆う周縁被覆部114Aと、出射保護膜112上に形成された基本横モード発振を制御するモード制御部114Bとを含む。 (もっと読む)


【課題】光学部品との結合が容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ10は、モノリシックに形成された発光部20と光制御部30とを有する。n型のGaAs基板100には、n型の下部DBR102と、活性領域104と、電流狭窄層106と、p型の上部DBRとが積層される。光制御部30は、発光部20で発せられた光を基板の主面と略平行な方向に伝播させ、かつ伝播された光を吸収または増幅する。また、光制御部30の表面には、反射部124が形成され、反射部124は、上部DBR108からから入射された光を収束させ、一定方向へ反射させる。 (もっと読む)


【課題】12μm以上、18μm以下の波長を有する赤外線を出射可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、積層体と、誘電体層と、を有する。積層体は、量子井戸層を含む活性層を有し、リッジ導波路が設けられる。また、前記活性層は前記量子井戸層のサブバンド間光学遷移により12μm以上、かつ18μm以下の波長の赤外線レーザ光を放出可能な第1領域と、前記第1領域から注入されたキャリアのエネルギーを緩和可能な第2領域と、が交互に積層されたカスケード構造を有し、前記赤外線レーザ光を前記リッジ導波路が延在する方向に出射可能である。誘電体層は、前記リッジ導波路と直交する断面において、前記積層体の側面の少なくとも一部を両側から挟むように設けられる。前記誘電体層は、光の透過率が50%に低下する波長が16μm以上であり、前記活性層を構成するいずれの層の屈折率よりも低い屈折率を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、損失の小さいレーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるレーザ素子は、活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層で発生した光であって最も利得の高い光よりも波長の長い光を、該上部クラッド層の上方に回折する周期で該活性層の上方の層に形成された2次の回折格子と、共振器の第1端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第1反射膜と、該共振器の該第1端面と反対側の端面である第2端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第2反射膜と、を備える。 (もっと読む)


【課題】より低い次数の水平横モードで発振する半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザは、発振波長830nm帯のブロードエリア半導体レーザであってDBR構造を有する。この半導体レーザが、結晶成長方向と垂直な面内で共振器長方向と垂直な方向に複数の水平横モードを許容し、出射端面近傍に回折格子を備えている。面内での共振器長方向と垂直な方向についての回折格子の幅が、共振器長方向に沿う軸上の一つの位置と、その軸上でその一つの位置と異なる他の位置とで、異なる。回折格子は、半導体レーザの前端面から後端面へ向かうに従って、「ZY平面内における、共振器長方向(Z方向)に対して垂直な方向(Y方向)の幅」が広くなる。 (もっと読む)


【課題】電流狭窄層における酸化領域の一部を除去し、酸化による歪を緩和する際、機械的な強度を保つことが可能となる面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上の多層膜反射鏡の一部の層を構成する被酸化層に電流狭窄層を形成して活性層への電流注入を制限するようにした面発光レーザの製造方法であって、電流狭窄層は、酸化領域の一部が除去された酸化領域除去部分を有し、酸化領域除去部分は、非酸化領域の中心からみて、少なくとも以下の(1)〜(3)のいずれか一つの条件を満たす領域によって形成されていることを特徴とする面発光レーザ。(1)非酸化領域の形状は多角形であり、その頂点の方向を含む領域であること。(2)基板は傾斜基板であり、最大傾斜角の方向とは逆側の方向を含む領域であること。(3)電極が電気的コンタクトをしている面積が最大となる方向を含む領域であること。 (もっと読む)


【課題】製造プロセスなどに起因する歪や欠陥や、初期又は動作中に半導体に生じる歪や欠陥を抑制して、特性の向上や安定化が期待される導波路及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導波路107は、導波モードの電磁波に対する誘電率実部が負の負誘電率媒質の第一の導体層103と第二の導体層104と、2つの導体層103、104に接し且つ2つの導体層103、104の間に配置された半導体部101を含むコア層108と、を有する。半導体部101を含むコア層108は、面内方向に広がった特定の凹凸構造を有する。 (もっと読む)


【課題】第1,第2レーザ発振部を同時に駆動させたときばかりでなく、第1,第2レーザ発振部のそれぞれを独立駆動させたときにも、第1,第2レーザ発振部の出力変動を低減できるモノリシック半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】
n型GaAs基板100上には、第1レーザ発振部101を形成すると共に、第1レーザ発振部101の側方に分離溝103を介して位置するように、第2レーザ発振部102を形成している。第1,第2リッジ部110A,110Bの幅方向の中心から、分離溝103の第1,第2リッジ部110A,110B側の側面までの距離α1,α2は、5μmを越えるように設定されている。これにより、第1,第2リッジ部110A,110Bの漏出光を減らすことができる。 (もっと読む)


【課題】製造プロセスなどに起因して初期又は動作中に半導体に生じる歪や欠陥を抑制し、発振特性などの特性の向上や安定化を実現することができる導波路及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導波路107は、導波モードの電磁波に対する誘電率実部が負の負誘電率媒質の第一の導体層103と第二の導体層104と、2つの導体層に接し且つ2つの導体層の間に配置され半導体部101を含むコア層102を有する。少なくとも第一の導体層103は、面内方向に広がった特定の凹凸構造109、110を有する。 (もっと読む)


【課題】活性層における注入電流分布を均一化できる面発光レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体基板3と、前記半導体基板3における一方の面に設けられた第1の電極5と、前記半導体基板3における反対側の面に設けられた、第1の分布反射ミラー7、第1のクラッド層9、活性層11、第2のクラッド層13、第2の分布反射ミラー15、及び第2の電極17と、を備え、前記第1の電極5と前記第2の電極17のうち、一方は、開口部Aを有する出射側電極であり、他方は、コンタクト部17aを有する非出射側電極であり、前記活性層11と前記出射側電極との間に、前記コンタクト部17aよりも小さい開口部21aを有する電流狭窄層21を備えることを特徴とする面発光レーザ素子1。 (もっと読む)


【課題】P型、N型(I型)結晶を別々に形成する2チャンバ方式により、Mgのドーピングに伴う遅延効果およびメモリ効果を抑制し、エピタキシャル成長時間を短縮したMOCVD装置およびその成長方法、上記のMOCVD装置を適用して形成した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】水冷機構を備えるコールドウォール構造を備え、ガスの流れはウェハ8の表面に対して水平方向であり、P型層成長とN型(I型)層成長ではそれぞれ別のN型(I型)層成長用チャンバ14・P型層成長用チャンバ16で成長するように構成され、ウェハ8を保持するサセプタも別々のN型層成長用サセプタ3・P型層成長用サセプタ5を使用するMOCVD装置およびその成長方法、上記のMOCVD装置を適用して形成した半導体装置およびその製造方法。 (もっと読む)


【課題】製作工程が複雑になることなく、電流経路を狭窄できる半導体レーザ構造を提供すること。
【解決手段】(a)n型クラッド層2、8、(b)発光層4、10、及び(c)p型クラッド層6、12を積層して成るレーザ構造単位101、103を複数備えるとともに、前記レーザ構造単位101、103間の境界における一部の領域に、p型導電型層7a及びn型導電型層7bから成るトンネル接合層7を備え、前記境界に、以下の(イ)、(ロ)のうちの一方又は両方を備えることを特徴とする半導体レーザ構造。(イ)前記一部以外の領域において、前記n型クラッド層8に接し、そのn型クラッド層8よりもバンドギャップエネルギーが大きいn型の層21。(ロ)前記一部以外の領域において、前記p型クラッド層6に接し、そのp型クラッド層6よりもバンドギャップエネルギーが大きいp型の層。 (もっと読む)


【課題】光増幅素子から半導体レーザへの熱伝導の影響による半導体レーザの発振波長の変動を抑制することができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】回折格子4a及び第1の活性層3を含む第1の導波路13a、及び第1の導波路13aの上方に形成される第1の電極8aを有する半導体レーザ13と、第1の導波路13aの第1の活性層3に連接する第2の活性層3を含む第2の導波路14a、及び第2の導波路14の上方に形成される第2の電極8bを有する光半導体増幅素子13と、半導体レーザ13に熱的に接続され、電流注入領域2〜5と第3の電極8cを有する温度調整素子17と、を有する。 (もっと読む)


【課題】単一基本横モードの出力を容易に向上可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 面発光レーザ素子は、活性層105、共振器スペーサー層104,106、反射層103,107、並びに酸化領域108bが電流狭窄層及び抑制層として機能する選択酸化層108を備える。共振器スペーサー層104,106は、活性層105の両側に設けられる。反射層103,107は、共振器スペーサー層104,106の両側に設けられ、活性層105において発振した発振光を反射する。電流狭窄層は、活性層105へ電流を注入するときの反射層103,107の領域を制限する。抑制層は、活性層105において発振した高次モード成分を抑制する。 (もっと読む)


1 - 20 / 785