【課題】本発明は、損失の小さいレーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるレーザ素子は、活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層で発生した光であって最も利得の高い光よりも波長の長い光を、該上部クラッド層の上方に回折する周期で該活性層の上方の層に形成された２次の回折格子と、共振器の第１端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第１反射膜と、該共振器の該第１端面と反対側の端面である第２端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第２反射膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】無秩序化領域を設けた構造であっても安定した発光特性とできる半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の共振器面を有する半導体レーザ素子は、一対の共振器面に接するｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成され、一対の共振器面に接するＭＱＷ活性層４と、ＭＱＷ活性層４上に形成され、一対の共振器面に接する第１ｐ型クラッド層５と、第１ｐ型クラッド層５上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型ＭＱＢ層６と、ｐ型ＭＱＢ層６上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型のリッジ部２０とを備え、一対の共振器面それぞれにおいて、リッジ部２０及びその直下のｎ型クラッド層３の途中に至るまでの領域のみが無秩序化領域３０とされて構成されている。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、放熱性及び耐腐食性に優れた面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 下部半導体ＤＢＲは、第１下部半導体ＤＢＲ１０３ａと第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂから構成され、共振器構造体に近い第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂは、ｎ−Ａｌ_０．９８Ｇａ_０．０２Ａｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを３ペア有している。そして、第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂの低屈折率層は、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、３λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。また、第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂの低屈折率層は、第１下部半導体ＤＢＲ１０３ａの低屈折率層であるｎ−ＡｌＡｓと高屈折率層であるｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓとの間の熱抵抗率を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子自体の温度が上がっても、偏光角の温度変化を小さく抑えることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】
ｎ型ＧａＡｓ基板１０１から上方に向かって、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１０４、アンドープＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層１０５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０６およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０８がこの順で配置されている。この第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０６のそれぞれにおいて、多重量子井戸活性層１０５側の部分の基板１０１に対する格子不整合率は、多重量子井戸活性層１０５側とは反対側の部分の基板１０１に対する格子不整合率よりも大きい。これにより、多重量子井戸活性層１０５が発熱しても、多重量子井戸活性層１０５近傍の部分において横方向に縮める応力が作用するようにできる。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成で、出力光をより広い波長可変範囲にわたって高速で連続的に掃引変化させることができ、低消費電力で駆動できる小型の波長可変半導体レーザを提供すること。
【解決手段】 アクチュエータが形成されたＳＯＩ基板上に端面出射型半導体レーザが実装され、前記アクチュエータには前記端面出射型半導体レーザのレーザ光出射端面と対向するように可動ミラー部が設けられた波長可変半導体レーザにおいて、
前記端面出射型半導体レーザには、光軸方向に沿ってＤＢＲが形成されていることを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】厚みのある半導体基板に対し、正確な位置でのへき開を可能とするような十分な深さのガイド溝を形成する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板の製造方法は、インジウムリン化合物半導体またはガリウムヒ素化合物半導体からなる基板本体の表面に、開口幅が略４０ｕｍ以下である開口部が形成されたマスクを、その開口部が基板本体のへき開線に沿って延びるように転写する工程と、基板本体の表面に臭素系のエッチング液を用いてウエットエッチング処理を施すことによって、縦断面で略Ｖ字型を有するガイド溝を形成する工程と、ガイド溝に反応性ガスを用いてドライエッチング処理を施すことによって、底部の縦断面形状を略Ｖ字型に保持したままガイド溝の溝深さを深くする工程と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶発光素子に設けられた複数の共振器に対して、効率良く、かつ良好な均一性で電流を注入する。
【解決手段】フォトニック結晶発光素子１００は、３次元フォトニック結晶１１０を用いている。フォトニック結晶は、Ｐ型半導体からなるＰクラッド１３０、活性部を含むＩ部１７０およびＮ型半導体からなるＮクラッド１４０が第１の方向に接合されたＰＩＮ接合構造を有するとともに、該活性部１６０を含む複数の共振器を有する。そして、ＰクラッドおよびＮクラッドにおいて、第１の方向に直交する第２の方向でのキャリアの拡散係数が、第１の方向でのキャリアの拡散係数よりも高い。 （もっと読む）

半導体ヘテロ構造を具備する光子源であって、前記半導体ヘテロ構造は、量子井戸（９７）と、前記量子井戸に隣接する障壁領域（８５）と、前記量子井戸内に設けられる量子ドット（９５）と、を含み、前記光子源は、電気的コンタクト（８７、９３）と、前記量子ドットの放射エネルギーを制御するために前記量子ドットに調整可能な電場を印加するように構成される第１及び第２の電気的コンタクトに結合される電源と、をさらに具備し、前記電場は、動作範囲にわたって調整可能であり、前記量子ドットから前記第１の電気的コンタクトへのキャリアのトンネル時間及び前記量子ドットから前記第２の電気的コンタクトへのキャリアのトンネル時間は、前記放射エネルギーを制御するための前記動作範囲にわたって前記量子ドット内の励起子の放射減衰時間より大きく、前記光子源は、単一量子ドットからの放射が前記光子源から出るように構成される、光子源。
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【課題】波長デチューニングΔλに起因する光出力の波形鈍りを低減することの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】電流源２１から矩形状の電流パルス（電流Ｉ_op-none（ｔ））が出力され、補正回路２２からは、ＲＣ時定数回路２２Ａを用いて導出されたアシスト電流Ｉ_A（ｔ）が出力される。レーザ駆動回路２０によって、電流源２１の出力と、補正回路２２の出力とを互いに重ね合わせた電流パルス（Ｉ_op（ｔ）＝_Iop-none（ｔ）＋Ｉ_A（ｔ））が半導体レーザ装置３１に印加される。 （もっと読む）

【課題】厳しい温度制御が必要なＥＡ／ＬＤを使うことなく、簡便な温度制御でＧＥ−ＰＯＮと１０ＧＥ−ＰＯＮとにおいて高速光信号を送受信可能な、小型で低消費電力の双方向光通信モジュールを提供する。
【解決手段】双方向光通信モジュール１は、波長λ１の信号光を送信する第１ＬＤ素子３と、波長λ１の信号光より伝送速度が高い波長λ２の信号光を送信する第２ＬＤ素子４と、波長λ３の信号光を受信するＰＤ素子２を備えるものであって、第１ＬＤ素子３の信号光の光強度をモニタする第１モニタＰＤ素子５と、第２ＬＤ素子４の信号光の光強度をモニタする第２モニタＰＤ素子６と、第２ＬＤ素子４の信号光を「１」レベルの波長光と「０」レベルの波長光とに分波する分波フィルタ１１と、「０」レベルの波長光の光強度をモニタする第３モニタＰＤ素子７と、を備え、分波フィルタ１１の分波特性が調整可能とされている。 （もっと読む）

【課題】異なる波長の個々のＬＤの光軸を揃えるための高精度な機械的実装を必要としない高精度な多波長半導体レーザを得る。
【解決手段】ＧａＡｓｘＮ１−ｘ（０＜ｘ＜１）からなる基板と、前記基板上の一部に形成され、ＧａＡｓｙＮ１−ｙ（０≦ｙ≦１）からなる第１の組成変調バッファ層と、前記基板上に前記第１の組成変調バッファ層と並置して形成されたＧａＡｓｚＮ１−ｚ（０≦ｚ≦１）からなる第２の組成変調バッファ層と、前記第１の組成変調バッファ層上の一部に形成された第１の窒化物半導体からなる活性層を含む第１の半導体層と、前記第１の組成変調バッファ層上に前記第１の半導体層と並置して形成され、前記第１の窒化物半導体よりもバンドギャップが狭い第２の窒化物半導体からなる活性層を含む第２の半導体層と、前記第２の組成変調バッファ層上に形成されたＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる活性層を含む第３の半導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数のレーザ構造部から射出される光の偏光方向を揃えたり、単一のレーザ構造部から射出される光の偏光方向を所望の方向に向けたりすることの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】互いに並列配置された複数のリッジ部３０の上面には上部電極３３、配線層３５および絶縁層３６が設けられている。上部電極３３は、リッジ部３０の延在方向に延在する帯状の形状となっており、中心軸ＡＸ上に配置されている。配線層３５は、一の上部電極３５と、一のパッド電極３４とを互いに接続しており、全てのリッジ部３０を跨いで形成されている。上部電極３３および配線層３５のうちリッジ部３０の上面と対向する部分は、リッジ部３０の中心軸を中心として左右対称の形状となっている。 （もっと読む）

【課題】異なる波長のレーザ光を発する個々のＬＤの光軸を揃えるための高精度な機械的実装を必要とすることなく容易に高精度な多波長半導体レーザ光源を製造できるモノリシックな多波長半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓＮ混晶からなる第１の組成変調バッファ層２０および第２の組成変調バッファ層３０を、ＧａＡｓＮ混晶からなる基板１０の表面１０ａおよび裏面ｂにそれぞれ形成し、第１の組成変調バッファ層２０上に青紫色ＬＤ部４０を、第２の組成変調バッファ層３０上に赤外ＬＤ部５０および赤色ＬＤ部６０をそれぞれ形成する。そして、第１の組成変調バッファ層２０を基板１０から第１の半導体層４０に向かってＮ原子含有量が高くなる傾斜組成で形成するとともに、第２の組成変調バッファ層３０を基板１０から第２の半導体層５０および第３の半導体層６０に向かってＮ原子含有量が低くなる傾斜組成で形成した。 （もっと読む）

【課題】異なる波長のレーザ光を発する個々のＬＤの光軸を揃えるための高精度な機械的実装を必要とすることなく容易に高精度な多波長半導体レーザ光源を製造できるモノリシックな多波長半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓＮ混晶からなる基板１０上にＧａＡｓＮ混晶からなる第１の組成変調バッファ層２０および第２の組成変調バッファ層３０を形成し、第１の組成変調バッファ層２０上に青紫色ＬＤ部４０を、第２の組成変調バッファ層３０上に赤外ＬＤ部５０および赤色ＬＤ部６０をそれぞれ形成する。そして、第１の組成変調バッファ層２０を基板１０から第１の半導体層４０に向かってＮ原子含有量が高くなる傾斜組成で形成するとともに、第２の組成変調バッファ層３０を基板１０から第２の半導体層５０および第３の半導体層６０に向かってＮ原子含有量が低くなる傾斜組成で形成した。 （もっと読む）

【課題】ダブルヘテロ構造の活性層中へのドーパントの拡散を抑制することができ、かつ歪み層を形成せずにライフ特性が良好な発光素子を製造することのできる化合物半導体基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなるダブルヘテロ構造および窓層がこの順に形成された化合物半導体基板であって、前記ダブルヘテロ構造は、少なくとも下クラッド層と活性層と上クラッド層からなり、該上クラッド層は、組成が同一の、少なくともドーパント低ドープ層と、ノンドープ層と、前記ドーパント低ドープ層よりドーパント濃度が高いドーパント高ドープ層の３層がこの順に形成されたものであることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】材料ロスが生じることを出来るだけ避けることができ、安価な工法で光反射膜を形成し得る半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置の製造方法は、（Ａ）化合物半導体層の積層構造体２０が形成され、第１辺、第２辺、第３辺、第４辺を有する矩形形状の基板４０を支持フィルム５０と貼り合わせて、少なくとも基板の第２辺４２から支持フィルム５０が突出した状態とし、Ｘ方向と平行に支持フィルム５０及び基板４０をけがき、基板４０を劈開し、次いで、支持フィルム５０を引き裂くことで発光素子バー６０を得た後、複数の発光素子バー６０を積層し、支持フィルム５０を加熱することでＹ方向に沿って支持フィルム５０を熱収縮させて、発光素子バー６０のＸＺ端面６１，６２と支持フィルム５０の縁部との間に隙間を設け、各発光素子バー６０の２つのＸＺ端面６１，６２に光反射膜６３，６４を形成する各工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】支持基板から表面白金族金属層及び裏面白金族金属層が剥がれることがない半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】成長用基板上に複数の半導体層が積層された積層構造体と、成長用基板とは異なる材質の支持基板と、を半田等の接合材料を介して接合することで半導体発光装置を形成する製造方法において、加熱処理によって支持基板の表面上及び裏面上のそれぞれに表面白金族金属層及び裏面白金族金属層の全体を支持基板と合金化する。 （もっと読む）

【課題】半導体光検出素子による自然放出光の検出レベルを低減することにより、光検出精度をより向上させることの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子５０と、半導体光検出素子１０との間に、金属層２０、透明基板３０および金属層４０が挿入されており、発光領域５３Ａと光吸収層１１との距離が長くなっている。これにより、発光領域５３Ａで発生した光に含まれる自然放出光Ｌ₂のほとんどが光吸収層１１に到達しない方向に向かい、金属層２０，４０で反射される。 （もっと読む）

【課題】素子単体でスペックルが低減された半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、基本横モードと１次横モードとを許容する能動多モード導波路と、前記基本横モードが前記１次横モードよりも多く分布する第１の活性層領域と、前記１次横モードが前記基本横モードよりも多く分布する第２の活性層領域と、を有する活性層と、を備え、前記第１の活性層領域の発光波長と、前記第２の活性層領域の発光波長が異なることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】ファブリペロー共振器を有し、その端面が、劈開面によって構成される半導体レーザにおける活性層に近接する側の電極の端縁による短絡、リークの発生を効果的に回避する。
【解決手段】第１のクラッド層１１と、活性層１２と、第２のクラッド層１３と、活性層１２に近接する位置に形成された電極２１と、を有するものとする。そして電極２１のファブリペロー共振器長方向の両端縁は、共振器長方向の両端面を形成する半導体端面より、内側に入り込んだ位置に形成され、さらに電極２１は、活性層１２から１μｍ〜２μｍの位置に形成されている半導体レーザとする。 （もっと読む）