【課題】（２０２−１）、（２０２−１−）などの半極性面の窒化物半導体基板を用いた、窒化物半導体発光素子を高い精度で分割することができる半導体発光素子の製造方法を提供する
【解決手段】（２０２−１）面を成長主面とする窒化物半導体基板１の成長主面１ａの分割予定位置Ｘａ方向に伸び、窒化物半導体層２に埋め込まれず、一方の内面のみに窒化物半導体層２が成長するようにストライプ状の溝１３を窒化物半導体層形成工程の前に形成する窒化物半導体発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】超短パルスのレーザ光を出力し得る構成、構造を有する電流注入型の半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、（Ａ）光密度が、１０ギガワット／ｃｍ²以上であり、且つ、キャリア密度が１×１０¹⁹／ｃｍ³以上である電流注入型のモード同期半導体レーザ素子１０、及び、（Ｂ）モード同期半導体レーザ素子１０から出射されたレーザ光が入出射される分散補償光学系１１０を備えている。 （もっと読む）

【課題】光出力の低減を抑制しつつ比較的に低い閾値電圧で駆動可能な半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の作製方法とを提供する。
【解決手段】端面発光型の半導体レーザ素子１１であって、六方晶系半導体からなる支持基体１の主面１ａの上に設けられた活性層３と、活性層３上に設けられたｐ型窒化物半導体領域４と、ｐ型窒化物半導体領域４上に設けられたＩＴＯ電極５ａと、を備え、ｐ型窒化物半導体領域４のｐ側クラッド層４ｃは、０．１８μｍ以上０．２２μｍ以下の範囲の膜厚を有し、ＩＴＯ電極５ａは、活性層３の発振波長の光に対し２．５×１０^３ｃｍ^−１以上３．０×１０^３ｃｍ^−１以下の光吸収係数を有する。 （もっと読む）

【課題】光モード形状の急激な変化による光の散乱ロスを低減することの可能な半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの製造方法は、例えば、後に基板の切断箇所となる格子状の切断領域で囲まれた一の素子領域内において、後にリッジ部の形成箇所となる帯状のリッジ領域の両脇のうち少なくとも一方の領域であって、リッジ領域から離れた領域であり、かつ少なくとも素子領域の外縁に溝部を設けたのち、溝部を含む上面に半導体層を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】好適な有機金属化学気相成長法による、高品質のＮ面ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法を提供する。
【解決手段】Ｎ面ＩＩＩ族窒化物膜を成長させるための方法であって、（ａ）ミラー指数結晶面に対して誤配向角を伴う成長表面を有する基板を提供すること、（ｂ）前記成長表面上または前記成長表面の上方で層を形成することであって、前記層は、前記層上で形成される１つ以上の後続の層に対するＮ極性配向を設定すること、および、（ｃ）前記層上でＮ面ＩＩＩ族窒化物膜を成長させることであって、前記Ｎ面ＩＩＩ族窒化物膜は、前記層によって設定されるＮ極性配向を有することを含む。 （もっと読む）

【課題】４６０ｎｍ以上の発振波長を有する窒化物半導体レーザ素子において、クラックの発生を抑制し、発光層内での光閉じ込め率を向上させ、ＩｎＧａＮ光ガイド層が活性層の劣化の起点となることを防止し、電流注入量の増加に伴うＩｎＧａＮガイド層の発光を防止すること。
【解決手段】４６０ｎｍ以上の発振波長を有する窒化物半導体レーザ素子では、第１の窒化物半導体層が第１のＩｎＧａＮ光ガイド層および井戸層のそれぞれに接するように第１のＩｎＧａＮ光ガイド層と井戸層との間に設けられている。第１の窒化物半導体層の層厚は１ｎｍ以上３ｎｍ以下であり、第１の窒化物半導体層はＩｎ組成比が２．０％未満であるＩｎＧａＮまたはＧａＮからなる。 （もっと読む）

【課題】半極性面上に設けられ発光に必要なバイアス電圧の上昇が抑制された窒化物半導体発光素子と、この窒化物半導体発光素子の作製方法とを提供すること。
【解決手段】半極性面の主面１３ａを有する六方晶系窒化物半導体からなる支持基体上に設けられた発光層１７の多重量子井戸構造は、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃとバリア層１７ｂとからなり、バリア層１７ｂは、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃの間に設けられ、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃは、ＩｎＧａＮからなり、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃは、０．１５以上０．５０以下の範囲にあるインジウム組成を有し、六方晶系窒化物半導体のｃ面に対する主面１３ａの傾斜角αは、５０度以上８０度以下の範囲、及び、１３０度以上１７０度以下の範囲、の何れかの範囲にあり、バリア層１７ｂの膜厚の値Ｌは、１．０ｎｍ以上４．５ｎｍ以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】安定したレーザ発振が得られる外部共振器型レーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明の発光装置(100)は、端面発光型の発光素子(10)と、液晶レンズ(23)を含み前記発光素子(10)の端面から出射される光を屈折させるレンズ部(20)と、前記レンズ部(20)から出射される光を回折し、その回折光の一部を前記発光素子(10)に帰還させ該発光素子(10)においてレーザ光を生じさせる回折光学素子(30)と、前記レーザ光の縦モードの単一性及び／又は光出力を監視するレーザ光監視部(40)と、前記レーザ光監視部(40)で得られる前記縦モードの単一性及び／又は光出力に基づいて前記液晶レンズ(23)を制御する液晶制御装置(25)と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】共振器端面が平坦になるように分割されて成る窒化物半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＮｌ系基板２５０上にＬＤ構造２５１が構成されるとき、ＬＤ構造２５１の表面上からダイヤモンド刃で罫書きされて、劈開導入溝２５２が設けられる。この劈開導入溝２５２は、ウェハの＜１−１００＞方向に対して平行に設けられるストライプ状光導波路２５３間毎に設けられ、ウェハ＜１１−２０＞方向に対して破線状に設けられる。 （もっと読む）

【課題】上下方向へのビームの射出割合を制御する、上下非対称な大きさを持つ構造体を製造する際に、このような構造体を精度良く容易に製造することが可能となるフォトニック結晶面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１として、窒化物半導体基板のＣ軸が窒化物半導体基板の法線と窒化物半導体基板の主面１１２との双方から傾いた構造を有する窒化物半導体基板を用い、窒化物半導体基板の上に、活性層１０３を含む窒化物半導体層を成長させる成長工程と、窒化物半導体層１０４に、２次元フォトニック結晶を形成するための細孔１０６をエッチングにより形成するエッチング工程と、細孔が形成された窒化物半導体層を、窒素を含む原料雰囲気下で窒化物半導体層を構成する原子を輸送させる熱処理を行い、熱処理によって細孔の深さ方向の形状を上下非対称に変化させる熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体リッジから来るキャリアの横広がりを低減可能な構造を有する窒化物半導体発光素子を提供できる。
【解決手段】｛２０−２１｝面上の半導体レーザではホールバンドにおいてこのヘテロ接合に二次元ホールガスが生成される。二次元ホールガスを生成するヘテロ接合が、半導体リッジから外れて位置するとき、この二次元ホールガスは、ｐ側の半導体領域においてキャリアの横広がりを引き起こしている。一方、c面上の半導体レーザでは、ホールバンドにおいてこのヘテロ接合に二次元ホールガスが生成されない。ヘテロ接合ＨＪが半導体リッジに含まれるとき、半導体リッジから流れ出たキャリアには、二次元ホールガスの働きによる横広がりがない。 （もっと読む）

【課題】光出射層表面に堆積物が生じることを抑制し、信頼性の改善が可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】活性層を含む積層体と、前記積層体により構成された光共振器の光出射端面に接触して設けられ、前記光出射端面側とは反対側の面を構成する光触媒膜を有する誘電体層と、前記光触媒膜の一部が露出するように前記光触媒膜の上に設けられた導電体部と、を有する光出射層と、を備え、前記活性層から放出される光ビームは、前記導電体部を透過して放出されることを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた発光層と、を備える。前記発光層は、交互に積層された、複数の障壁層と、複数の井戸層と、を含む。前記複数の障壁層のうちで最も前記ｐ形半導体層に近いｐ側障壁層は、III族元素を含む第１層と、前記第１層と積層されIII族元素を含む第２層であって、前記第２層のIII族元素中におけるＩｎ組成比が、前記第１層のIII族元素中におけるＩｎ組成比よりも高い、第２層と、を含む。前記ｐ側障壁層の平均Ｉｎ組成比は、前記複数の障壁層のうちで最もｎ形半導体層に近いｎ側障壁層の平均Ｉｎ組成比よりも高い。 （もっと読む）

【課題】歩留まりおよび特性を向上させることが可能な窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体素子の製造方法は、非極性窒化物半導体基板１０に加工領域２０を設ける工程と、非極性窒化物半導体基板１０上に窒化物半導体層構造１１０を形成する工程と、非極性窒化物半導体基板１０を劈開する工程とを備えている。窒化物半導体層構造を形成する工程は加工領域２０に垂直性の高い領域１１０ｂを形成する工程を含み、劈開を行う工程は垂直性の高い領域１１０ｂの部位１２０で劈開を行う工程を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第１下側層と、第１ドープ層と、第１上側層と、を含む。第１下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第１ドープ層は、第１下側層の上に設けられ第１下側層の格子定数以上の格子定数を有し１×１０^１８ｃｍ^−３以上１×１０^２１ｃｍ^−３未満の濃度であり第１下側層よりも高い濃度で不純物を含有する。第１上側層は、第１ドープ層の上に設けられ第１ドープ層の格子定数以上で第１下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた発光層と、を備える。前記発光層は、III族元素を含む障壁層と、前記ｎ形半導体層から前記ｐ形半導体層に向けた方向に前記障壁層と積層されIII族元素を含む井戸層と、を有する。前記障壁層を、前記ｎ形半導体層側の第１部分と、前記ｐ形半導体層側の第２部分と、に分けた場合、前記第２部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比は、前記第１部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比よりも低い。前記井戸層を、前記ｎ形半導体層側の第３部分と、前記ｐ形半導体層側の第４部分と、に分けた場合、前記第４部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比は、前記第３部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比よりも高い。 （もっと読む）

【課題】窒化珪素層を形成した場合でも、窒化物半導体層の転移密度を低減することができるとともに、窒化物半導体層の表面モフォロジーを優れたものとすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】斜めファセットを有する第２の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程において、有機金属気相成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比が２４０以下である窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】偏光度ＰＤを向上させる発光素子、及びそのような発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、中心波長λ、及び偏光度Ｐ_Ｄを有する光を発光するよう構成された発光領域を含むことができ、これらの中心波長λ及び偏光度Ｐ_Ｄは、２００ｎｍ≦λ≦４００ｎｍ、ｂ≦１．５に対してＰ_Ｄ＞０．００６λ−ｂの条件を満たす。 （もっと読む）