【課題】ＬＥＤや高電子移動度トランジスタなどのデバイス用として有用なＩＩＩ−Ｖ族窒化物品の提供。
【解決手段】自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上に堆積したＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を含むホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物品であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が１Ｅ６／ｃｍ²未満の転位密度を有しており、（ｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間に酸化物を有するか、（ii）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間にエピ中間層を有するか、
（iii）前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板がオフカットされており、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が非（０００１）ホモエピタキシャルステップフロー成長結晶を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】割れやクラックを生じることなく、複数枚の窒化物半導体自立基板を取得可能な構造を有する窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】厚さ２ｍｍ以上に同種の窒化物半導体層が積層され、且つ前記積層された同種の窒化物半導体層は、不純物濃度の低い窒化物半導体層１と不純物濃度の高い窒化物半導体層２とが交互に２周期以上積層されて構成されている窒化物半導体結晶１０を製造する。この後、積層形成された前記窒化物半導体結晶１０を、前記不純物濃度の低い窒化物半導体層１を切断位置にしてスライスする窒化物半導体自立基板。 （もっと読む）

【課題】素子特性および歩留まりを十分に向上させることができる窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、塩酸系エッチャントを用いたウエットエッチングによりＧａＮ基板１の欠陥集中領域１ｂをエッチングし、底面１２に突起１３を有するストライプ状の溝１０を形成する。次に、ＧａＮ基板１上に窒化物系半導体層２０，２０ａを形成するとともに、低欠陥領域１ａ上の窒化物系半導体層２０に素子構造部２２を作製する。 （もっと読む）

Ｇａ（Ｉｎ）Ｎ系の半導体レーザ構造が、その半導体構造内の過度の引張り歪みを避ける必要性に対処する様式でＡｌＮまたはＧａＮ基板（２０）上に形成されたＧａ（Ｉｎ）Ｎ系レーザ構造およびそれに関連する製造方法が提案される。本発明のある実施の形態によれば、基板（２０）、格子調節層（３０）、下側クラッド領域（６０）、能動型導波領域（４０）、上側クラッド領域（５０）、およびレーザのＮおよびＰ型接触領域（６０，６０）が、半導体層に組成連続体を形成している、ＡｌＧａＮ格子調節層（３０）を備えたＡｌＮまたはＧａＮ基板上にＧａ（Ｉｎ）Ｎ系半導体レーザが設けられる。さらに別の実施の形態が開示され、記載されている。
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【課題】 アルカリ金属の外部への蒸発を抑制してＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】 反応容器１０は、金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液１８０を保持する。外部反応容器２０は、反応容器１０の周囲を覆う。配管３０は、反応容器１０の下側において外部反応容器２０に連結される。ポーラスプラグ４０は、反応容器１０と外部反応容器２０との連結部よりも下側の配管３０内に固定される。ガスボンベ１２０は、圧力調整器１１０を介して窒素ガスを配管３０へ供給する。ポーラスプラグ４０および金属融液１７０は、混合融液１８０から蒸発した金属Ｎａ蒸気の配管３０内への拡散を防止するとともに、空間１３，２１内の圧力と空間３１内の圧力との差圧によって配管３０内の窒素ガスを空間１３，２１内へ供給する。 （もっと読む）

【課題】 傾斜基板を用いたInAlGaP系半導体レーザにおいて、ステップバンチングによる特性悪化を防止して、良好な静特性を得るとともに、長寿命化を達成する。
【解決手段】 面方位が傾斜している第一導電型GaAs基板21上に、少なくとも第一導電型In_x1(Al_1-y1Ga_y1)_1-x1P下部クラッド層（x1はGaAsに格子整合する組成）23とInGaPもしくはInAlGaPからなる量子井戸層25が積層されてなり、多重横モード発振する半導体レーザにおいて、第一導電型GaAs基板21として、面方位が(100)面から(111)A面方向に13度以上55度以下で傾斜している基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】損傷の少ない高品質のＧａＮ基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０上に、開口部１１２を有する二酸化珪素（ＳｉＯ₂）のマスク１１を形成する。マスクは、<１１−２０>方向に延在するストライプ状の被覆部が平行配置されたパターンを有し、隣接する被覆部の間に開口部１１２を有する。開口部１１２に、サファイア基板１０の基板面に対して傾斜するファセット面｛１−１０１｝を有するＧａＮ膜１４を成長させる。隣接する第一のＧａＮ膜１４同士がマスク１１を覆い尽くす前に、第一のＧａＮ膜１４の成長を止める。続いてマスク１１を除去し空隙１５を形成する。その後、内部に空隙１５を有する第一のＧａＮ膜１４上に第二のＧａＮ膜１６を成膜する。以上のようにして得られた構造体を冷却する過程でサファイア基板１０を分離除去し、ＧａＮ自立基板を得る。 （もっと読む）

【課題】 ＡｌＧａＮ層とＧａＮ基板の格子不整合を解消して、発光出力が大きく、しかも寿命が長い半導体発光装置を提供することにある。
【解決手段】 ＡｌＧａＮ層を有する半導体発光装置において、格子定数ａ軸長が０．３１８８ｎｍ以下であるＧａＮ基板上にＡｌＧａＮ層を形成した構造とする。そのために、ＧａＮ基板にＳｉ、Ｇｅ、Ｏ、Ｂのうち少なくとも一つ以上の元素を５×１０¹⁹ｃｍ^-3以上の濃度で含有させる。これにより、ＧａＮ基板とＡｌＧａＮ層のなす格子不整合を小さくし、クラックや結晶欠陥が発生しないようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の特性を向上させるとともに特性の安定化を図る。
【解決手段】ＧａＮ基板１の上にＳｉドープのＧａＮよりなるｎ型層２、ＳｉドープのＡｌ_xＧａ_1-x-yＩｎ_yＮ（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）よりなる中間層３、ＳｉドープのＧａＮよりなる第２のｎ型層４、アンドープのＡｌＧａＮよりなるバリア層５、多重量子井戸構造の活性層６、ＭｇドープのＡｌＧａＮよりなるｐ型層７が順次形成され、ｐ型層７の上にはｐ側電極８が形成され、ｐ型層７から第２のｎ型層４までの多層構造の一部が除去されて露出された第２のｎ型層４の表面にｎ側電極９が形成された構成となっている。 （もっと読む）

【課題】 結晶品質の高いＧａＮ系化合物からなる単結晶薄膜を形成することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 この発光素子１０は、（１００）面または（８０１）面を主面とするβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶からなるＧａ_２Ｏ_３基板１１と、Ｇａ_２Ｏ_３基板１１上にバッファ層１２を介してｎ−ＧａＮクラッド層１３、ＩｎＧａＮ発光層１４、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１５、ｐ−ＧａＮコンタクト層１６を積層してなるものである。Ｇａ_２Ｏ_３基板１１のβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶の結晶方位〈０１０〉であるとき、バッファ層１２、ｎ−ＧａＮクラッド層１３、ＩｎＧａＮ発光層１４、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１５のＧａＮ系化合物薄膜の結晶方位〈１１−２０〉であり、ほぼ平行している。 （もっと読む）

磁性ガーネット単結晶膜を液相エピタキシャル成長させるための磁性ガーネット単結晶膜形成用基板２を製造するための方法である。まず、液相エピタキシャル成長させるために用いるフラックスに対して不安定なガーネット系単結晶から成るベース基板１０を形成する。次に、ベース基板１０の少なくとも結晶育成面に、フラックスに対して安定なガーネット系単結晶薄膜から成るバッファ層１１を形成する。このベース基板１０にバッファ層１１を形成する際に、基板１０を積極的に加熱せずに、スパッタリングなどの薄膜形成法によりベース基板１０にバッファ層１１を形成する。
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【課題】 冷却効率の優れたかつ冷却液路不良の修復が容易な冷却構造を備えるレーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子が配設される基板（１）のヒートシンク側に、レーザ素子と対応してエッチング領域（１０）を設け、このエッチング領域をヒートシンクの溝領域（１４）と結合させて、冷却液路（１９）を形成する。基板を冷却液で直接冷却することにより、冷却効率を改善する。特に、このエッチング領域のエッチング表面は凹凸面であり、冷却液の乱流が生じやすく、また冷却液との接触面積が広くなり、冷却効率を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】 長寿命であって信頼性に優れた窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体基板と、窒化物半導体基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層と発光層とｐ型窒化物半導体層とを含む窒化物半導体層と、を含み、窒化物半導体基板の表面は、複数の溝が形成されている溝領域と溝領域以外の平坦領域とを有しており、平坦領域の上方に発光層中の発光領域が位置している窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】 昇華法により窒化物単結晶を製造する際に、得られる単結晶に欠陥が導入されないにようにして、その結果、良質で、大口径の単結晶を効率よく製造することのできる製造方法を、その有利な製造装置と共に提供する。
【解決手段】 加熱炉１内の原料９及び種結晶７を定常時の設定温度まで昇温させる過程で、少なくとも種結晶７上の温度が原料９の析出の始まる温度から定常時の設定温度に達するまでの時間にわたり、種結晶７の温度を原料９の温度よりも高くする。 （もっと読む）