【課題】光学的用途に適した、改良されたスピネル材料ならびにそれらの改良された製造方法を提供する。
【解決手段】融液法により形成される単結晶スピネルブールであり、そのブールは非化学量論的な組成を有し、約２０％以上の収率で表される、減少した機械的応力もしくはひずみを有し、ここで収率は式Ｗi/（Ｗi＋Ｗf）×１００％であり、Ｗi＝ブールから加工処理された無傷ウェハの数、そしてＷf＝ブールにおける機械的内部応力もしくはひずみによる、ブールからの破壊されたウェハの数である、単結晶スピネルブール。前記単結晶スピネル非化学量論的組成を有し、波長範囲にわたって吸光率により表される透明性窓を有し、その波長範囲は通常、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍに延び、透明性窓は波長範囲に沿って最大単一吸光率ピーク高さとして定義され、最大単一吸光率ピーク高さは０．３５cm−１以下である （もっと読む）

【課題】閾値電流密度の低い窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】主面がａ面の基板１０を用い、この上に成長させる活性層１６を、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ≦１）の組成等の障壁層とＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１、ｘ＜ｙ）の組成等の井戸層を備えた量子井戸構造のものとし、当該活性層１６の結晶成長の主面の法線方向をｃ軸方向と４０°〜９０°の範囲内の角度を成すようにして、該活性層１６からの発光が、ｃ軸と平行な電界成分Ｅ（Ｅ//ｃ）が支配的となる偏光特性を有するようにした。また、活性層１６の井戸層と障壁層の組成を適正な範囲に設計することとして、井戸層の面内圧縮歪みを低減させ、活性層１６から発光する光の更なる効率的光導波を実現することとした。 （もっと読む）

【課題】バー状またはチップ状に容易に分割するのが可能な半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体素子）は、ＧａＮ層１１からなる第１領域１１ａと、ＧａＮ層１１と異なる材質からなりＧａＮ層１１に接合するＡｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ層１２からなる第２領域１２ａとが縞状に配置された切り出し面１０ａを有する半導体基板１０と、切り出し面１０ａの領域１１ａ上に形成された素子中央部と、切り出し面１０ａの第２領域１２ａ上に形成された素子端面部１００ａとを有する半導体レーザ素子層２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 二硼化物単結晶から成る基板の表面の自然酸化膜を除去するとともに、基板の表面を特定の保護層で覆い、基板の表面の再酸化を抑制する表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 基板の表面処理方法は、反応性イオンエッチング装置内に設置した化学式ＸＢ_２（ただし、ＸはＺｒ，Ｍｇ，Ａｌ及びＨｆのうち少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成る基板１０に反応性ガスによってエッチング処理を施すことにより、基板１０の表面の自然酸化膜１１を除去するとともに、基板１０の表面に反応性ガスの成分とＸとの化合物から成る保護層１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な製造プロセスにより精度のよいレーザ共振器が形成された半導体レーザ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】β―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる基板と、基板の所定の面方位で規定される面上に、ウルツ鉱型構造のＧａＮ系化合物の（０００１）面が成長して形成されたエピタキシャル層と、エピタキシャル層の劈開面である（１−１００）面を共振面端面として形成されるレーザ共振器と、を有する半導体レーザ構成とする。 （もっと読む）

【課題】広範囲の波長帯において、窒化物半導体層の組成分布、例えば、活性層の結晶性
やＩｎ含有量を均一にして、寿命特性及び素子特性が一層優れた素子を提供することを目
的とする。
【解決手段】 窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、多重又は単一量子井戸構
造をしており、少なくとも井戸層にＩｎを含む活性層と、第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、前記第２導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子であって、前記窒化物半導体基板の主面には、Ｃ面（０００１）から、前記ストライプ状のリッジ部に対して略平行方向かつＭ面（１−１００）に対して略垂直方向にオフ角ａ（θ_aと、リッジ部に対して略垂直方向かつＭ面（１−１００）に対して略平行方向にオフ角ｂ（｜θ_b｜）を有しており、｜θ_a｜＞｜θ_b｜＞及び０．２°≦｜θ_a｜≦０．３°を満たす窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】陰極における伝搬損失を抑制するとともに、高い電流注入効率を維持し、電流励起によるレーザ発振を実現する。
【解決手段】この有機半導体レーザ装置は、有機半導体レーザ活性層２と、有機半導体レーザ活性層２に正孔を供給する第１透明導電膜としての陽極１と、有機半導体レーザ活性層２に電子を供給する陰極３とを備えている。陰極３は、有機半導体レーザ活性層２側に配置された厚さ１０ｎｍ未満（好ましくは、３．０ｎｍ以下、さらに好ましくは、２．５ｎｍ以下）の超薄膜ＭｇＡｇ層３１と、第２透明導電膜３２とを有する積層構造膜からなる。 （もっと読む）

【課題】１９０〜３００ｎｍの短波長光を発光する半導体発光素子用として好適な半導体層を提供する。
【解決手段】本発明の半導体層は、一般式Ｂ_ｘＡｌ_ｙＧａ_ｚＮ（式中、０＜ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０＜ｚ＜１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるIII−Ｖ族半導体化合物を主成分とし、レーザアシスト有機金属気相成長法により成膜されたものである。半導体発光素子１は、ＢｅＯ基板、ＴｉＢ_２基板、ＳｃＢ_２基板、ＶＢ_２基板、ＹＢ_２基板、ＭｎＢ_２基板、ＭｇＢ_２基板、ＦｅＢ_２基板、及びＣｒＢ_２基板のうちいずれかからなる第１導電型基板１１に、第１導電型電極２２と、第１導電型ＢＡｌＧａＮクラッド層１２と、ＢＧａＮ層及び／又はＢＡｌＧａＮ層を含む半導体活性層１４と、第２導電型ＢＡｌＧａＮクラッド層１６と、第２導電型電極２１とが設けられた素子である。 （もっと読む）

【課題】実質的に非制御下の混入による不純物を実質的に含まず、好適な特性を備えるIII-N層（IIIが周期表第III族の、Al、GaおよびInから選択される少なくとも一元素を示す）の製造方法および自立III-N基板を提供する。
【解決手段】Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。厚い第二のIII-N層１７は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層１５上に堆積させる。このようにして製造された層１５、１７の冷却中、Li(Al, Ga)O_X基板７は全てあるいは大部分がIII-N層１５から脱落し、必要ならば、王水などのエッチング液により残留物７’を除去する。 （もっと読む）

【課題】 従来の窒化物半導体膜製造技術では、ＳｉＯ₂層によって構成されたマスクパターンを用いた選択成長技術が開発されている。しかし、ＳｉＯ₂層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ₂は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。
【解決手段】 本発明の窒化物半導体構造は、第１の基板と、第１の基板上に成長し、同一材料からなる凹部及び凸部が形成された第１の窒化物半導体膜と、を有する第２の基板と、凹部及び凸部のうち、少なくとも凸部上面から形成された第２の窒化物半導体膜とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多結晶ＡｌＮ基板を用いつつ結晶性にすぐれた窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】配向性を有する多結晶窒化アルミニウムからなり、主面上に複数のステップ１０Ｓが形成された基板１０と、前記基板の前記主面上に設けられた単結晶の窒化物半導体層２５とを備えた窒化物半導体ウェーハ１及び前記窒化物半導体層２５の上に設けられた電極を備えた窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】他の材料系でも基板を分離できる手段を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの層が多孔性のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む。 （もっと読む）

【課題】 欠陥や転位の発生のおそれをより低減でき、かつ、低コストで簡便にIII−Ｖ族窒化物半導体を結晶成長させる新規な基板としても利用可能性を有する、酸化ガリウム単結晶の表層部に窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化ガリウム（Ga₂O₃）単結晶の表層部に窒化ガリウム（GaN）を含有した窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、酸化ガリウム単結晶の表面に窒素イオンをイオン注入して窒化ガリウム変性層を形成する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法である。 （もっと読む）

特定のデバイス応用に対する所望の材料特性を同定するステップと、前記所望の材料特性に基づいて半極性成長方位を選択するステップと、選択された半極性成長方位の成長のための適当な基板を選択するステップと、前記基板上に平坦な半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎテンプレートまたは核形成層を成長するステップと、および前記平坦な半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎテンプレートまたは核形成層上に半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜、ヘテロ構造あるいはデバイスを成長するステップとを備えた半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスの成長と作製の方法が提供される。前記の方法を用いることにより基板表面に平行な、大きな面積をもつ半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスが実現できる。
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【課題】セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板を用いた窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜の形成方法、及び該単結晶薄膜形成基板を使用した発光素子などの半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系又は三方晶系から選ばれた少なくともいずれかの結晶構造を有するセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を基板１として用いることにより、その上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜２が形成され、さらに上記の結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を用いることにより発光効率に優れた発光素子などの半導体素子の製造が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 球形のボールがコーティングされた基板に成長された化合物半導体薄膜を備えた化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る化合物半導体装置は、基板と、前記基板上に配列された多数の球形のボールと、前記球形のボール間と前記球形のボール上部とに形成され、紫外線、可視光線または赤外線領域の光を放出する化合物半導体薄膜とを含む。 （もっと読む）

【課題】分離後の成長用基板を再利用でき、汎用性に富み、良好なへき開性、放熱性を有する窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子の製造方法は、成長用基板１上に、少なくとも１層以上の窒化物系半導体素子層５を形成する工程と、支持基板１３の一方の主面上に、支持基板１３より熱膨張係数の大きい材料からなる調整層１４を形成する工程と、窒化物系半導体素子層５上に、支持基板１３の他方の主面を、接合する工程と、接合された窒化物系半導体素子層５及び支持基板１３から成長用基板１を分離する工程とを含む。 （もっと読む）

本発明は、窒化ガリウム単結晶または窒化ガリウムアルミニウム単結晶の製造法および製造装置に関する。本発明による方法処理において本質的なことは、ガリウムのまたはガリウムおよびアルミニウムの蒸発を成長する結晶の温度を上回る温度で、しかし少なくとも１０００℃で実施し、かつ金属融液表面上で窒素前駆体と金属融液との接触を防止するように、窒素ガス、水素ガス、不活性ガスまたはこれらのガスの組み合わせからなるガスフローを金属融液表面に導通することである。
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【課題】レーザ光の特性を向上させるとともに、光軸調整にかかるコストを低減することが可能な集積型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この集積型半導体レーザ素子は、発光領域１３を含むとともに、リッジ部８を有する青紫色レーザ素子１１０と、発光領域３４を含むとともに、ｎ型電流ブロック層３０の開口部３０ａを有する赤色レーザ素子１２０とを備えている。そして、リッジ部８は、ｎ型電流ブロック層３０の開口部３０ａに嵌め込まれており、発光領域１３と発光領域３４とは、半導体層の積層方向の同一線上に配置されている。 （もっと読む）