【課題】偏光度ＰＤを向上させる発光素子、及びそのような発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、中心波長λ、及び偏光度Ｐ_Ｄを有する光を発光するよう構成された発光領域を含むことができ、これらの中心波長λ及び偏光度Ｐ_Ｄは、２００ｎｍ≦λ≦４００ｎｍ、ｂ≦１．５に対してＰ_Ｄ＞０．００６λ−ｂの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】光共振器のための半導体積層の端面の向きを制御可能なIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】複合基板１７は、へき開性を有する支持基体１６と窒化ガリウム系半導体膜１８との張り合わせ構造を含む。レーザ共振器となる端面２７がｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を含む半導体領域１９を有する。レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。端面２７は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。端面２７には、支持基体１６のへき開面と半導体領域１９の端面１９ｃを含む。端面２７は、ドライエッチングにより形成されず、半導体領域１９の端面１９ｃはｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 （もっと読む）

半導体構造が、ｎ型領域２０とｐ型領域２４との間に配された、発光層２２を含んでいる。ｐ側電極が、ｐ型領域の一部の上に配されている。ｐ側電極は、ｐ型領域の第１の部分と直接接触する反射性の第１の材料２６と、その第１の部分に隣接するｐ型領域の第２の部分と直接接触する第２の材料３０とを含んでいる。第１の材料２６および第２の材料３０は、同一の厚さのプラナー状の層として形成される。
（もっと読む）

【課題】接合強度を十分に維持できると共に、短時間で分離することができる、貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】この貼り合わせ基板の製造方法は、III族窒化物半導体基板及び第１支持基板のうち少なくとも一方上に、表面粗さＲ_ｒｍｓが０．１〜１００００ｎｍの表面を有する第１緩衝膜を形成する工程と、第１緩衝膜を介して、第１支持基板にIII族窒化物半導体基板を貼り合わせる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ビーム並行度が良好で集光性の高いレーザビームが一体化された発光素子を提供する。
【解決手段】凸面からレーザ光を出射させ、レーザ光の光軸が通過する第1レンズ１１４を備えた水平共振器面発光構造を備えたレーザ素子と、前記第1レンズ１１４を通過したレーザ光が通過する第２レンズ１１９とを備え、前記第２レンズ１１９を設けた面に対向する面と該第１のレンズ１１４を設けた面がレーザ光に対し透明な第１接着部材１２０により接着されていることを特徴とする光モジュール。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子をマウント部材に実装する構造での歩留まりが下がる問題を解決できる半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体レーザ装置は、サブマウント２と、サブマウント２の表面に半田４で実装され、窒化物半導体からなる側面を有する窒化物半導体レーザ素子１と備えている。この窒化物半導体レーザ素子１の側面の一部は誘電体膜１１７にて覆われている。これにより、半田４が窒化物半導体レーザ素子１の側面の一部に付着しないようにして、その付着によるｐ−ｎ短絡の発生を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の一部が支持基板に遮られるのを抑制しながら、製造工程が増加するのを抑制し、かつ、高い位置決め精度で半導体素子部と支持基板とを接合する必要がない半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、劈開面１２を有する支持基板１０と、支持基板１０に接合される半導体素子部３０とを備え、支持基板１０の光出射方向側の劈開面１２と支持基板１０の半導体素子部３０に対する接合面１１とのなす角度は鈍角である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ装置の製造においてクラックの発生を防止することができる加工基板ならびに窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本加工基板１１は、一主面６０を有する窒化物半導体層を含む基板１０の主面６０に、窒化物半導体層の［１−１００］方向に沿って形成されている１つ以上の溝から構成される掘り込み領域６１と、掘り込み領域６１以外の主平面領域６２とを有し、掘り込み領域６１の両側面と主平面領域６２との境界線６５は、［１−１００］方向に対して、時計回りに５５°以上６５°以下の傾き角を有する方向に伸びる第１方向の複数の辺Ａ１と、時計回りに１１５°以上１２５°以下の傾き角を有する方向に伸びる第２方向の複数の辺Ａ２とを含む。 （もっと読む）

【課題】光の波長変動に対する利得の変動を抑制した光半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１の上に形成される下部クラッド層３と、前記下部クラッド層３の上に形成される量子井戸層及びバリア層からなる多重量子井戸構造を含む活性層２と、前記活性層２の上に形成される上部クラッド層４とを備え、前記多重量子井戸構造において、少なくとも１つの量子井戸層が他の量子井戸層とは異なる井戸幅を有することにより、前記量子井戸構造における利得スペクトルの幅が広がるようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体素子とサブマウントの接合に十分な剪断強度を保つことのできる半導体素子接合方法を提供すること。
【解決手段】基材に対して半導体素子をろう材２２を用いて接合後、前記ろう材２２の融点以下且つ前記ろう材２２中のＳｎが固相拡散する温度で放置することを特徴とする半導体素子接合方法を提供する。この半導体素子接合方法と半導体素子製造方法によれば、少ない接合面積でもその領域で望ましい値を満足するような強度を持つ半導体素子を得ることが可能である。 （もっと読む）

【課題】バー状またはチップ状に容易に分割するのが可能な半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体素子）は、ＧａＮ層１１からなる第１領域１１ａと、ＧａＮ層１１と異なる材質からなりＧａＮ層１１に接合するＡｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ層１２からなる第２領域１２ａとが縞状に配置された切り出し面１０ａを有する半導体基板１０と、切り出し面１０ａの領域１１ａ上に形成された素子中央部と、切り出し面１０ａの第２領域１２ａ上に形成された素子端面部１００ａとを有する半導体レーザ素子層２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】大面積化が可能な非極性基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、サファイア基板上に、ＧａＮ層と、Ａｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ（０＜Ｘ≦１）層とが交互に積層された半導体成長層を形成する工程と、半導体成長層を、半導体成長層の成長面と交差する方向に沿って分割することにより、ＧａＮ層からなる第１領域１１ａとＡｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ（０＜Ｘ≦１）層からなる第２領域１２ａとが縞状に配置された非極性面からなる主表面（切り出し面１００ａ）を有する半導体基板１００を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】光源装置を構成する回路の実装上存在する浮遊インダクタンスによって発生する動作効率の低下を抑制する。
【解決手段】半導体レーザは、同一の半導体基板上にレーザ発光素子とフリーホイールダイオードとが形成されており、レーザ発光素子の電流入力端子にフリーホイールダイオードのカソードが接続され、レーザ発光素子の電流出力端子にフリーホイールダイオードのアノードが接続されている。 （もっと読む）

【課題】量子ドット半導体レーザにおいて、単一モード性に優れ、スペクトル線幅の狭い半導体レーザを実現できるようにする。
【解決手段】量子ドット半導体レーザを、半導体基板と、基底準位におけるＴＭモード利得がＴＥモード利得よりも大きい量子ドット２４と、量子ドット２４に連なるように形成され、量子ドット２４と同一の材料・組成の半導体材料からなる半導体層２１とを有する活性層６と、回折格子とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】工程途中での基板の破損を抑制または防止しつつ、基板を薄型化して分割することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイアウエハ２０上に、複数の個別素子２１に対応したIII族窒化物半導体層３が成長させられる。次に、サファイアウエハ２０の内部に、たとえば波長３５５ｎｍのレーザ光によって、切断予定ライン２５に沿う加工領域３５が形成される。その後、サファイアウエハ２０が薄型化され、その過程で、サファイアウエハ２０自身の持つ応力によって、加工領域３５を起点として、サファイアウエハ２０が自発的に分割され、複数の個別素子２１に対応した複数の個別チップ１が得られる。 （もっと読む）

【課題】アズグロウンの状態での基板の反りを小さくすることにより、基板表面の面方位のばらつきを低減させることができるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びに当該基板を使用した基板面内均一性に優れたＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板裏面の転位密度が３×１０^６ｃｍ^−２以下であり、かつ厚さ方向において基板裏面から表面に至るまで転位密度が３×１０^６ｃｍ^−２／ｍｍ以下の割合で減少しているＧａＮ自立基板１０を用いて、その上にＧａＮ系半導体結晶からなるエピタキシャル層を形成して発光素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ａｓ系とＰ系との層の界面を有する場合に、界面のバンド不連続を緩和して、発光素子抵抗の減少および光の取り出し効率の向上を図ることができる半導体発光素子および半導体積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザダイオード１０は、Ｐ系混晶層であるｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１９とＡｓ系混晶層であるｐ−ＡｌＧａＡｓ光ガイド層１７との間に、これらの中間の格子定数を有するＡｌＧａＩｎＡｓＰ接合改善層１８を備える。 （もっと読む）

【課題】表面状態や断面形状が良好なIII族窒化物半導体の厚膜結晶を成長させることができる下地基板を提供する。
【解決手段】第１結晶成長面１１０と第１結晶成長面１１０と同じ方向に面している第２結晶成長面１０９を有する下地基板１１２であって、第１結晶成長面１１０の周縁の５０％以上または全周縁に下向きの段差を介して第２結晶成長面１０９が連接している。ここで、第１結晶成長面１１０は円形とし、第２結晶成長面１０９は環状であり、第１結晶成長面１１０と同心とする。 （もっと読む）

【課題】チップにおける結晶層の均一性を維持したまま、チップから露出するｐ形半導体とｎ形半導体とが溶着材料によって短絡することの防止を図ることができる半導体光デバイス、及びその製造方法を得る。
【解決手段】チップ１は、基板４と、基板４に設けられ、ｐ形半導体領域及びｎ形半導体領域を含む半導体積層部５と、半導体積層部５に設けられ、かつ基板４から開離されて配置された電極６とを有している。半導体積層部５の側面には、ｐ形半導体領域及びｎ形半導体領域のそれぞれが露出している。チップ１は、半田２を介して電極６が取付面３ａに固定されることにより、ヒートシンク３にダイボンドされている。半導体積層部５外において、半導体積層部５の側面と取付面３ａとがなす角度は、鈍角とされている。 （もっと読む）

【課題】放熱性を改善しつつＡｌ含有層の酸化が低減された、Ａｌ系材料で構成された活性層を有するＩｎＰ基板上の半導体光素子を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ１００は、Ａｌ系材料で構成された活性層を有するＩｎＰ基板上の半導体レーザにおいて、Ａｌ系材料で構成された活性層１０５と、活性層１０５の上の境界層１０８Ａと、境界層１０８Ａの上の、Ａｌを含有しない導波層１０９を有するリッジ１１１と、境界層１０８Ａの上のリッジを埋め込む埋め込み層１１２とを備える。境界層１０８Ａは、リッジ１１１を形成するためのエッチングにより露出する表面とＡｌ含有層である上側ＳＣＨ層１０６との間に存在し、上側ＳＣＨ層１０６や量子井戸活性層１０５が露出して酸化することを回避する。導波層１０９は、リッジ１１１内部にありエッチングにより側面が露出するが、Ａｌを含有しないので、Ａｌ含有層が露出することによる酸化の問題は生じない。 （もっと読む）