【課題】本発明は、必要最小限の不純物量で不純物拡散を制御し、プロセスコストを低減することが可能な半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の製造方法、および不純物拡散方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による半導体レーザ装置は、半導体基板８０１上に形成されたダブルへテロ構造を有し、ダブルへテロ構造は、半導体基板８０１上に形成された第一導電型クラッド層８０２と、第一導電型クラッド層８０２上に形成された、ウェル層とバリア層との積層を含む活性層８０３と、活性層８０３上に形成された第二導電型クラッド層８０４とを備え、活性層８０３の光の出射端面の近傍に不純物拡散領域８０９を形成し、不純物拡散領域８０９の半導体基板８０１側の輪郭形状は、複数の山を有する波形形状であることを特徴とする。 （もっと読む）