【課題】最大位相調整量を拡大した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】電流注入を受けて光を発しその光を活性層に沿って伝搬させる発光領域と、その発光領域からの光を導波させる導波路層の屈折率が注入電流に応じて変化する位相調整領域とを有する半導体発光素子において、特性Ｆのように位相調整領域の導波路層に接する第２ｐ型クラッド層の厚さ方向のドーピング濃度が、導波路層の上端から所定範囲、特に２５〜１５０ｎｍの範囲内で極大値をもつように形成することで、位相調整領域における注入キャリアのオーバーフローの抑制効果が高くなり、屈折率変化に寄与しない無駄な電流を流す必要がなくなり、その結果素子全体としての高効率化が実現できることがわかった。 （もっと読む）

【課題】低温から高温に至る広い温度範囲で光出力の低下を改善した面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬは、ＧａＡｓ基板と、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６と、活性領域１０８と、活性領域上に形成されたｐ型の電流狭窄層と、電流狭窄層上に形成されたｐ型の高濃度ＤＢＲ１１２Ａと、高濃度ＤＢＲ１１２Ａ上に形成されたｐ型のＤＢＲ１１２Ｂとを有する。ＤＢＲ１０６、１１２Ａ、１１２Ｂは、高屈折率層と低屈折率層の対をそれぞれ含んでいる。高濃度ＤＢＲ１１２Ａの不純物濃度は、ＤＢＲ１１２Ｂの不純物濃度よりも高く、高濃度ＤＢＲ１１２Ａの高屈折率層のバンドギャップエネルギーは、ＤＢＲ１０６、活性領域、電流狭窄層、ＤＢＲ１１２Ａ、１１２Ｂから形成される共振器波長のエネルギーよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】広い温度範囲で光出力の低下を改善した面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板上に形成されたＮ型の下部ＤＢＲ１０６と、活性領域１０８と、活性領域１０８上に形成されたＰ型の上部ＤＢＲとを含む。上部ＤＢＲ１１２は、活性領域に近接して不純物濃度が低い低濃度層１１２Ａと、この上に不純物濃度が高い高濃度層１１２Ｂと、通常の不純物濃度の層１１２Ｃとを含んでおり、低濃度層１１２Ａの低Ａｌ半導体層のＡｌ組成は、通常の層１１２Ｃ低Ａｌ半導体層のＡｌ組成よりも高く、低濃度層１１２Ａの不純物濃度が通常の層１１２Ｃの不純物濃度よりも低く、高濃度層１１２Ｂの不純物濃度が低濃度層１１２Ａの不純物濃度よりも高い、面発光型半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】駆動させた際の素子の発熱量を抑制し、ワイヤボンディング等を行う際に画像認識が可能であり必要なボンディング強度が得られる半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子２０の製造方法において、第１導電型の半導体基板１上に、第２導電型のクラッド層６と、元素周期表における第１の５族元素を含む化合物半導体からなる第２導電型のキャップ層７と、第１の５族元素よりも離脱エネルギーが大きい第２の５族元素を含む化合物半導体層８とを順次積層する積層工程を有する手順とする。
また、積層工程を経た上記半導体基板を水素雰囲気中で冷却する。 （もっと読む）

【課題】素子特性の劣化を抑制することができる化合物半導体素子を提供することを主要な目的とする。
【解決手段】基板１０１の上に、上下に隣接して、不純物がドープされたｐ型クラッド層１０６と、不純物がドープされていない活性層１０４とが設けられている。ｐ型クラッド層１０６と活性層１０４との間に、歪を有する半導体層１０５が設けられている。歪を有する半導体層１０５の結晶は、その格子間結合に歪がかかることにより、無歪の場合に比べて結晶の内部エネルギーが高い状態になる。そのため、ドーパントは、歪のかかったこの格子間を通過し難くなくなる。こうして、ｐ型クラッド層１０６から活性層１０４へのドーパントの拡散が防がれる。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型不純物元素の活性化率が高く、抵抗率の低いｐ型半導体層を有した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層１５を堆積する工程と、禁制帯幅がｐ型ＧａＮ系化合物半導体層１５よりも小さいｎ型ＧａＮ系化合物半導体層１６を堆積する工程と、水素ガスを含む雰囲気中で原子状水素（Ｈ）をｐ型ＧａＮ系化合物半導体層１５に溶解させる温度範囲に存在する基板温度まで冷却する工程と、ｎ型ＧａＮ系化合物半導体層１５に接して、金属薄膜１８を堆積する工程とを少なくとも有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）