【課題】広い温度範囲で光出力の低下を改善した面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板上に形成されたＮ型の下部ＤＢＲ１０６と、活性領域１０８と、活性領域１０８上に形成されたＰ型の上部ＤＢＲとを含む。上部ＤＢＲ１１２は、活性領域に近接して不純物濃度が低い低濃度層１１２Ａと、この上に不純物濃度が高い高濃度層１１２Ｂと、通常の不純物濃度の層１１２Ｃとを含んでおり、低濃度層１１２Ａの低Ａｌ半導体層のＡｌ組成は、通常の層１１２Ｃ低Ａｌ半導体層のＡｌ組成よりも高く、低濃度層１１２Ａの不純物濃度が通常の層１１２Ｃの不純物濃度よりも低く、高濃度層１１２Ｂの不純物濃度が低濃度層１１２Ａの不純物濃度よりも高い、面発光型半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】結晶への水素の混入が抑制された半導体デバイスを提供する。
【解決手段】エピ構造１では、下部ｎ型半導体層１９、III−Ｖ族化合物半導体層２１、上部ｎ型半導体層２３の順に積層されている。このような構成により、III−Ｖ族化合物半導体層２１を主面両側で囲んでいる下部ｎ型半導体層１９および上部ｎ型半導体層２３は、半導体デバイスの種々の製造工程において水素がIII−Ｖ族化合物半導体層２１に混入することを抑制するためのいわゆる保護膜として作用することができる。このように、半導体デバイスの製造工程において水素がIII−Ｖ族化合物半導体層２１に混入することを抑制することにより、結晶性に優れたIII−Ｖ族化合物半導体層２１を実現できるため、当該III−Ｖ族化合物半導体層２１を有する高性能および高品質な半導体デバイスを製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型不純物元素の活性化率が高く、抵抗率の低いｐ型半導体層を有した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層１５を堆積する工程と、禁制帯幅がｐ型ＧａＮ系化合物半導体層１５よりも小さいｎ型ＧａＮ系化合物半導体層１６を堆積する工程と、水素ガスを含む雰囲気中で原子状水素（Ｈ）をｐ型ＧａＮ系化合物半導体層１５に溶解させる温度範囲に存在する基板温度まで冷却する工程と、ｎ型ＧａＮ系化合物半導体層１５に接して、金属薄膜１８を堆積する工程とを少なくとも有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ビーム品質が良好で、端面破壊といった問題が生じない面発光レーザ装置、これを複数集積したアレイ光源および位相同期光源を提供する。
【解決手段】基板１０上に、Ｐ型半導体と光活性層１６とＮ型半導体とを順次有し、基板１０の積層面に対し平行方向、かつ、基板１０の端面に対して傾斜方向に複数の２次回折格子２４を有し、利得が基板１０の垂直方向に十字状に通過する電流注入機構を有することを特徴とする面発光レーザ装置である。また、当該面発光レーザ装置を使用したアレイ光源、位相同期光源である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板の光吸収が起こらないようにし、ＳｉＣ基板の窒化物半導体結晶を積層する側とは反対側のオーミックコンタクトを取りやすくするとともに、Ｉｎを含む半導体層の破壊を防止することができる窒化物半導体発光素子の製造を提供する。
【解決手段】不純物がドープされた導電性ＳｉＣ基板２の裏面に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂから一つの金属を選んで蒸着、もしくはスパッタで金属膜１を形成する。金属膜１が裏面に形成されたＳｉＣ基板２を、高温アニ−ルする。高温アニ−ルによりＳｉＣ基板２と金属膜１との界面にオーミック接触領域３が形成される。この後、ＳｉＣ基板２のオーミック接触領域３が形成されている面とは反対側にＩｎを含む窒化物半導体結晶を積層する。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗で、しかも連続性のあるｎ型III族窒化物半導体層を安定して得る方法、及びこの方法によって得られるIII族窒化物半導体積層体を提供する。
【解決手段】 ｎ型不純物のドーピング濃度が高いIII族窒化物半導体の層である高濃度ドープ層（１０４ａ）と、ｎ型不純物のドーピング濃度がこれよりも低いIII族窒化物半導体の層である低濃度ドープ層（１０４ｂ）とを交互に、ドーピングされるｎ型不純物の濃度以外のリアクタ内の成長条件も更に異ならせて、積層することを含む、III族窒化物半導体積層体の製造方法、並びにこの方法を含むIII族窒化物半導体発光素子の製造方法とする。また、これらの方法によって得ることができるIII族窒化物半導体積層体、及びIII族窒化物半導体発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】 電流ブロック層を構成するｎ型層とｎ型クラッド層またはｎ型コンタクト層との接触を防止して、漏れ電流を低減し、レーザ特性を向上できる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子は、ｐ型ＩｎＰからなる基板１上に形成され、活性層３およびｎ型ＩｎＰからなるクラッド層４を含むリッジ構造と、リッジ構造の両側に形成され、ｐ型ＩｎＰ層１１／ｎ型ＩｎＰ層１２／ｐ型ＩｎＰ層１３の積層からなる電流ブロック層とを備え、リッジ構造の上面におけるリッジトップ幅のうねりを１０ｎｍ以下に抑制している。 （もっと読む）