【課題】結晶成長を中断してウェハを外部に出すことなく、電流狭窄層を形成でき、電流狭窄効果が高い半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電流狭窄層を有する半導体レーザ１であって、前記電流狭窄層は、ｎ型不純物原子がドープされたn++接合層１９、絶縁層１７、及びｐ型不純物原子がドープされたp++接合層１５から構成され、前記p++接合層１５は、その周辺部１５ｂよりも厚い中央部１５ａを備え、前記n++接合層１９は、前記中央部１５ａにおいて前記p++接合層１５と接してトンネル接合を形成し、前記絶縁層１７は、前記周辺部１５ｂにおいて、前記n++接合層１９とp++接合層１５とを隔てることを特徴とする半導体レーザ１。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させた発光素子用エピタキシャルウェハ、及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型基板１上に、少なくともＰ（燐）系結晶のｎ型クラッド層３、Ａｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ、又はＧａＡｓなどのＡｓ（砒素）系結晶で形成した量子井戸構造を有する発光層５、及びｐ型クラッド層７が順次積層された化合物半導体と、ｎ型クラッド層３と発光層５との間に、発光層５を構成するＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層とは異なるＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層４とを有している。 （もっと読む）

【課題】窓領域形成と、窓領域に対応する半導体層の高抵抗化とを不純物の制御性良く実現した半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体レーザ素子は、半導体基板１１上に形成されたｎ−クラッド層１３、活性層１５、ｐ−クラッド層１７、ｐ−コンタクト層１８、上部電極２０および電流狭窄層１７ａを備えた端面発光型の半導体レーザ素子であって、少なくともレーザ光の出射側端面近傍に非窓領域よりも大きいバンドギャップを持つ窓領域２３を有し、ｐ−コンタクト層１８の窓領域２３のｐ型不純物濃度が、ｐ−コンタクト層１８の非窓領域２４のｐ型不純物濃度よりも２×１０^１７ｃｍ^−３以上低く、電流狭窄層１７ａは、該電流狭窄層１７ａの上下に形成される層の格子定数よりも大きな格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】他の光学部品への集光特性を向上させることが可能な面発光レーザ装置を提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子１１０の光出射面１１０Ａに直接、光導波路１２０を設けて、そのコア層１２１の径を、面発光レーザ素子１１０のニアフィールドパターンと同等またはニアフィールドパターンよりも小さくする。面発光レーザ素子１１０で発生した光は、出射して広がってしまう前に、すなわちニアフィールドパターンでまだ広がらない状態で、光導波路１２０のコア層１２１に入る。コア層１２１に入った光は、ニアフィールドパターンから広がらない状態のまま、コア層１２１を導かれ、次の光学部品へ光結合される。よって、出射光の拡大が抑えられ、次の光学部品への集光特性が向上する。 （もっと読む）

【課題】ビーム形状を制御することができ、高効率、高出力化が可能となる面発光レーザを提供する。
【解決手段】対向して配置された第１の半導体多層膜反射鏡と第２の半導体多層膜反射鏡との間に、電流注入により利得が生じる複数の活性層を有する利得領域と、前記複数の活性層に注入される電流を狭窄する電流狭窄層と、を有する面発光レーザであって、
前記利得領域は、前記複数の活性層として、少なくとも第１の活性層と第２の活性層とを有し、
前記第１の活性層と第２の活性層が、前記電流狭窄層による電流の狭窄によって生じるこれら活性層の面内方向の電流密度分布の違いに応じた、異なる活性層構造を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】高出力、かつ真円状のビームを得ることの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】上部ＤＢＲ層１５内に、電流狭窄層１８および横モード調整層１９が設けられている。電流狭窄層１８は、横モード調整層１９よりも活性層１３寄りに形成され、横モード調整層１９は、電流狭窄層１８よりも活性層１３から離れて形成されている。電流狭窄層１８の中央領域に、直径の大きな電流注入領域１９Ｂが形成され、横モード調整層１９の中央領域に、直径の小さな光透過領域１９Ａが形成されている。横モード調整層１９のうち中央領域以外の領域に電流注入領域１９Ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】動作電流が小さく、高温動作特性に優れ、かつ耐サージ特性に優れた半導体レーザ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実屈折率型半導体レーザ１において、基板２と、第１のクラッド層４と、活性層５と、第２のクラッド層６と、リッジ部８と電流狭窄層９とを備え、第２のクラッド層６のリッジ部８直下にｐ型の第１の半導体領域６Ｐが配設され、第２のクラッド層６の電流狭窄層９直下にｎ型の第２の半導体領域６Ｎが配設される。第２のクラッド層６の第２の半導体領域６Ｎは電流狭窄層９からのｎ型ドーパントの拡散によりｎ型に反転したものである。 （もっと読む）

【課題】動作電流が小さく、高温動作特性に優れ、かつ耐サージ特性に優れた半導体レーザ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実屈折率型半導体レーザ１において、基板２と、第１のクラッド層４と、活性層５と、第２のクラッド層６と、リッジ部８と電流狭窄層９とを備え、第２のクラッド層６のリッジ部８直下にｐ型の第１の半導体領域６Ｐが配設され、第２のクラッド層６の電流狭窄層９直下にｎ型の第２の半導体領域６Ｎが配設される。第２のクラッド層６の第２の半導体領域６Ｎは電流狭窄層９からのｎ型ドーパントの拡散によりｎ型に反転したものである。 （もっと読む）

【課題】結晶性の低下や製造工程の煩雑さを生じさせることなく、低抵抗を実現できる半導体レーザ構造を提供すること。
【解決手段】（ａ）ｎ型クラッド層２、（ｂ）発光層１７、及び（ｃ）ｐ型クラッド層６を積層して成るレーザ構造単位１５を複数備えるとともに、前記レーザ構造単位１５の間に設けられたトンネル接合層７を備え、前記トンネル接合層７は、Ｚｎをドーパントとして含むｐ型導電型層７ａ、及び６族元素をドーパントとして含むｎ型導電型層７ｂから構成されることを特徴とする半導体レーザ構造１４。 （もっと読む）

【課題】開口を有する電極が半導体層上に設けられ、その開口に誘電体層が設けられた構造の半導体発光素子において、半導体層と電極の開口側端部との界面近傍の半導体層に歪が生じるのを抑制する。
【解決手段】活性層１０６と、活性層に電流を注入する第１の電極１２１および第２の電極１３１と、活性層と第１の電極との間の半導体層１１５と、半導体層上に設けられ、活性層からの光が通る誘電体層１４１と、を備え、第１の電極は半導体層上に設けられ、共に活性層からの光が通る開口１２５を有し、半導体層と接触して設けられた第１の電極層１２２と、第１の電極層上に設けられた第２の電極層１２３とを備え、第１の電極層は第２の電極層よりも半導体層との反応性が小さく、誘電体層は開口内に設けられ、第１の電極層の開口側端部が、半導体層１１５上から誘電体層１４１上に延在している。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、特に、良好な電気伝導率および大きな禁制帯幅を有するドープド半導体材料において、原子の秩序化の結果生じる禁制帯幅の減少のような所望しない効果を排除することができるものを得る。
【解決手段】半導体材料中で自由電荷キャリアを提供する第１のドーパント、例えばシリコンと、該半導体材料中で原子の無秩序化を促進する第２のドーパント、例えばスズあるいはテルルとを含む半導体材料であって、該第２のドーパント濃度が該半導体材料の全体に亘って実質的に均一である。 （もっと読む）

【課題】発光部の積層構造の頂面に電流ブロック層と同じ積層構造を有する堆積層が存在しない半導体発光素子（例えばＳＤＨレーザ）を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、活性層を備えた発光部、発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、並びに、電流ブロック層及び発光部上に形成された埋込層を具備し、活性層の平面形状は、中央部の幅が両端部の幅よりも狭い帯状の形状を有し、電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有する第４化合物半導体層から構成され、第２導電型を有する埋込層は、第１埋込層及び第２埋込層が順次積層され、第２埋込層を第２導電型とするための不純物は、第２埋込層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。 （もっと読む）

【課題】電流ブロック層におけるリーク電流の一層の低減を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層（以下、層と略称する）２１、活性層２３、及び、第２導電型を有する第２層２２から構成された発光部、並びに、（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた、第１導電型を有する第３層４３、及び、第２導電型を有する第４層４４から構成された電流ブロック層４０を備え、第１層２１を第１導電型とするための不純物は、第１層２１における不純物の置換サイトが、第２層２２を第２導電型とするための第２層２２における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、第３層４３を第１導電型とするための不純物は、第３層４３における不純物の置換サイトが、第４層４４を第２導電型とするための第４層４４における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。 （もっと読む）

【課題】レーザ共振器端面近傍に不純物拡散により窓構造を形成する際に、活性層に不純物が蓄積されることを抑制し、ＣＯＤレベルが高く、発光効率が高い半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＣＯＤレベルが高く、発光効率が高い半導体レーザにおいて、活性層５の基板側に隣接するクラッド層４に、拡散不純物Ｚｎをドーピングさせておくことによって、拡散不純物がドーピングされた部分で、拡散不純物の拡散係数が大きくなり、活性層５への不純物蓄積が抑制される。 （もっと読む）

【課題】発光素子は、高出力で高速応答性、高信頼性の発光素子が求められている。特に装置産業においては過酷な環境下でも長時間の使用に耐えうることは重要であり、通電後の使用においてその特性の変動が極めて少ないことが望まれている。多重量子井戸活性層と電流狭窄構造を有する垂直共振器型発光素子において、良好な初期特性と共に高い信頼性を提供する。
【解決手段】多重量子井戸構造と電流狭窄構造を用いた垂直共振器型発光素子において、量子井戸活性層をノンドープとし、キャリア濃度について、ｐ側を１Ｅ１８ｃｍ^−３以上、２Ｅ１８ｃｍ^−３以下、かつ、ｎ側を５Ｅ１７ｃｍ^−３以下にする。 （もっと読む）

【課題】キャリア・オーバーフローを抑制することにより、高温動作を可能とする半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部クラッド層１１、下部ガイド層１２、活性層１３、上部ガイド層１４、上部クラッド層１５およびコンタクト層１６を基板１０側からこの順に含んで構成されたＡｌＧａＩｎＰ系の積層構造２０を備える。この積層構造２０は、応力源であるヒートシンク３から半田２を介して２２００ｐｐｍよりも大きく１２０００ｐｐｍ以下の圧縮応力を受けている。これにより、ヒートシンク３からの圧縮応力の大きさを下部クラッド層１１および上部クラッド層１５などから活性層１３へ与えられる応力の種類および大きさに応じて設定することにより、活性層１３における伝導帯の下端と、下部クラッド層および上部クラッド層における伝導帯の下端との間の電子障壁ΔＥｃの値を大きくすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、正確に制御された電流狭窄層を備えた面発光レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】面発光半導体レーザ装置は、基板１１の上に下側から順次形成された第１反射鏡１２と、活性層１３と、アルミニウムを含む材料からなる電流狭窄層１６と、第２反射鏡１７とを備えている。電流狭窄層１６は、導電性部１６Ａと、導電性部１６Ａの周囲に形成された酸化層である高抵抗部１６Ｂと、導電性部１６Ａと高抵抗部１６Ｂとの界面領域に形成され、他の領域と比べて不純物が高濃度に導入された高濃度不純物領域１９とを有している。 （もっと読む）

【課題】通常のバルク結晶の測定で得られる、平均化された電気特性の値通りの性能を得ることが可能なIII−Ｖ族窒化物系半導体基板及びIII−Ｖ族窒化物系発光素子を提供する。
【解決手段】基板面内の任意の場所でｎ型不純物濃度の最小値が５×１０^１７ｃｍ^−３以上としたIII−Ｖ族窒化物系半導体基板とする。また、このIII−Ｖ族窒化物系半導体基板上に、少なくともIII−Ｖ族窒化物系半導体からなる活性層を形成してIII−Ｖ族窒化物系発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】素子特性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子３０は、活性層５と、活性層５上に形成される高濃度ｐ型第１クラッド層８と、活性層５と高濃度ｐ型第１クラッド層８との間に形成される第１アンドープ層７と、高濃度ｐ型第１クラッド層８上に形成される第２アンドープ層９とを備えている。このため、高濃度ｐ型第１クラッド層８にドープされたＺｎの拡散を第１アンドープ層７と第２アンドープ層９とに分散させることができるので、第１アンドープ層７の厚みを小さくすることができる。これにより、Ｚｎ濃度が高濃度に維持された高濃度領域を活性層５の近傍に位置するように構成することができるので、活性層５に十分にキャリアを閉じ込めることができ、その結果、素子特性を向上させることができる。 （もっと読む）