【課題】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板におけるｐ型結晶層をＶ／ＩＩＩ比が小さいエピタキシャル条件で形成するとともにｐ型結晶層の電気抵抗を低減する。
【解決手段】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板であって、半導体基板はコンタクト層として機能するｐ型結晶層を有し、ｐ型結晶層が、３−５族化合物半導体からなり、２×１０^１８ｃｍ^−３以上、１×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の水素原子を含む半導体基板を提供する。ｐ型結晶層として、ｐ型ＧａＡｓ層が挙げられる。ｐ型結晶層が、ｐ型不純物原子として炭素原子を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】良好な表面モフォロジを有する窒化ガリウム系半導体膜を含むIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体光素子１１ａは、III族窒化物半導体支持体１３、ＧａＮ系半導体領域１５、活性層１７及びＧａＮ系半導体領域１９を備える。III族窒化物半導体支持体１３の主面１３ａは、基準軸Ｃｘに直交する基準平面Ｓｃに対して傾斜する非極性を示しており、基準軸ＣｘはIII族窒化物半導体のｃ軸方向に延びる。ＧａＮ系半導体領域１５は半極性主面上１３ａに設けられる。ＧａＮ系半導体領域１５のＧａＮ系半導体層２１は例えばｎ型ＧａＮ系半導体からなり、ｎ型ＧａＮ系半導体にはシリコンが添加されている。ＧａＮ系半導体層２３の酸素濃度が５×１０^１６ｃｍ^−３以上であるとき、ＧａＮ系半導体層２３の主面上に引き続き成長される活性層１７の結晶品質が良好になる。 （もっと読む）

【課題】埋め込み型半導体レーザにおいて、高温、高光出力条件下で連続通電した場合における発振しきい値電流の上昇や外部微分量子効率の低下を防いで、信頼性を向上させる。
【解決手段】光半導体装置は、ｎ型クラッド層１１、活性層１２及びｐ型クラッド層１３ａ、１３ｂからなる光導波路構造と、ｐ型ブロック層１５及びｎ型ブロック層１６からなる電流狭窄構造と、を備え、ｐ型クラッド層１３ａ、１３ｂに含まれる水素濃度がｐ型ブロック層１５に含まれる水素濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 発光効率が高い半導体発光装置を安定して得ることが出来るようにする。
【解決手段】
基板と、基板上方に形成され、第１導電型の、発光色に対し透明な第１のクラッド層と、第１のクラッド層上に積層され、所望の波長の光を発光する活性層と、活性層上に積層され、第２導電型の、発光色に対し透明な第２のクラッド層とを有するＡｌＧａＩｎＰ系の半導体発光装置であって、第１のクラッド層、活性層および第２のクラッド層の３層の平均炭素濃度が７×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である半導体発光装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】単一の基板の上に赤色半導体レーザと赤外半導体レーザを配置し、同時に端面窓構造を形成する場合に、赤外半導体レーザの活性層での十分な無秩序化が起きた半導体レーザを提供することを目的とする。
【解決手段】赤外半導体レーザの第４クラッド層１１０の水素濃度（１．５ｅ１８ｃｍ^−３）が、第１半導体レーザ赤色半導体レーザの第２クラッド層１０５の水素濃度（１ｅ１８ｃｍ^−３）よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）