【課題】簡単な構造で、閾値電流を低くすることができる半導体レーザダイオードを提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード７０は、基板１と、この基板１上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造２とを含む。III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。ｎ型半導体層１１はｎ型ＧａＮクラッド層１４およびｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６およびｐ型ＧａＮガイド・コンタクト層１７を含む。ｐ型ＧａＮガイド・コンタクト層１７の表面に、透明電極からなるｐ型電極４がオーミック接触している。ｐ型電極４は、上部クラッド層として兼用される。 （もっと読む）

【課題】外部からの水分や湿気の滲入を防止し、寿命を改善する樹脂封止面発光型半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ２０は、基板１０２上に、ｎ型のバッファ層１０４、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域１０８、電流狭窄層１１０、ｐ型の上部ＤＢＲ１１２、ｐ型のＧａＡｓコンタクト層１１４を含む半導体層を積層する。コンタクト層１１４の表面全体に表面保護膜１１６が形成され、表面保護膜１１６上に環状電極１２０、および環状電極１２０の出射口覆う出射保護膜１２２が形成されている。樹脂封止されたＶＣＳＥＬ２０は、応力等により出射保護膜１２２が剥離された場合であっても、表面保護膜１１６によりコンタクト層１１４への水分の滲入を防止する。 （もっと読む）

【課題】 高周波特性を改善したコプレーナ電極構造を有する表面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 ＶＣＳＥＬ１０のコプレーナ電極構造は、基板主面にｐ側コンタクト電極２６とｎ側コンタクト電極３４を有する。ｎ側コンタクト電極３４がｎ型の半導体体操反射膜と電気的に接続するコンタクト部４０は、ポストＰの開口部２８の中央、すなわち発光中心から、近端半径ｒ1、遠端半径ｒ2の弧線に挟まれた領域に形成され、両弧線のなす角度がπ／２ラジアン以上、かつπラジアンより小さく設定されている。 （もっと読む）

【課題】 コンタクトメタルを保護することにより外部からの水の進入を効果的に防ぎ、高温多湿環境下でも光量低下の少ないＶＣＳＥＬを提供する。
【解決手段】 ＶＣＳＥＬ１００は、基板１０２上に形成された下部および上部半導体多層反射膜１０６、１１０と、それらの間に形成された活性層１０８と、電流狭窄層１２４と、上部半導体多層反射膜１１０上に形成され、上部半導体多層反射膜１１０と電気的に接続され、かつ活性層で発生されたレーザ光を出射する開口１１２ａが形成されたコンタクトメタル１１２と、コンタクトメタル１１２の開口１１２ａを覆う保護膜１１４と、ポストＰの側面および頂部の一部を覆う層間絶縁膜１１６と、保護膜１１４および層間絶縁膜１１６によって露出されたコンタクトメタル１１２のコンタクトホール１１８を覆うｐ側電極１２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 真空プロセスにより有機薄膜層を成膜する必要がなく、またピンホール等のない成膜性に優れた有機半導体レーザを提供すること。
【解決手段】 陽電極層、発光層、陰電極層がこの順で積層された有機半導体レーザにおいて、発光層に一般式（Ｉ）で表わされる繰返し単位を有する高分子材料が含まれる。
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【課題】 室温で、ミリ波帯からテラヘルツ帯（３０ＧＨｚ〜３０ＴＨｚ）の周波数領域における電流注入型の光半導体素子および半導体レーザ素子が求められていた。
【解決手段】 そこで、本発明は、光と相互作用することで許容されるトンネリングを利用することにより、効率的に光と相互作用する素子を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】 固有ノイズおよび戻り光ノイズの低減を図ることができる面発光半導体レーザおよびこの面発光半導体レーザを光源に用いた光モジュールを提供する。
【解決手段】 ｎ型半導体基板１１上にｎ型ＤＢＲ層１２、活性層１４、ｐ型ＤＢＲ層１７、ｐ型コンタクト層１８およびｐ側電極２０を有し、ｐ側電極２０の開口２０ａを通じて出力光を取り出す面発光半導体レーザにおいて、ｐ側電極２０の開口２０ａの内部のｐ型コンタクト層１８上に、発光波長に対する吸収係数をα（ｃｍ^-1）、厚さをｔとしたとき、発光波長が８５０ｎｍよりも短いときは０．１≦αｔ≦１、発光波長が８５０ｎｍ以上のときは０．４≦αｔ≦１の光吸収層２１を設ける。 （もっと読む）