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Fターム[5F173AL01]の内容

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【課題】高次横モードの発振を抑制するとともに、光量変動の少ない光を射出することができる光デバイスを提供する。
【解決手段】 レーザチップ100は、面発光レーザアレイであり、各発光部は、基板上に下部半導体DBR、活性層を含む共振器構造体、上部半導体DBR、コンタクト層109が積層されている。そして、レーザ光の射出領域内に、該射出領域の中心部を挟むように設けられ、反射率を中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜(115A、115B)を有し、Z軸方向からみたときに、誘電体膜によって挟まれる領域の内側に、電流通過領域108bが位置するように設定されている。 (もっと読む)


【課題】劈開面における割れや欠けが発生し難い半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】InP基板10上に設けられた活性層12上に、Ga、In、及びAsを含むIII−V族化合物半導体層16を形成する。III−V族化合物半導体層16の表面16sにおける第1及び第2の領域r1,r2上に、第1及び第2のマスク20a,20bをそれぞれ形成する。マスク20a,20bを用いて、活性層12及びIII−V族化合物半導体層16をエッチングすることにより、第1及び第2の半導体メサ22a,22bをそれぞれ形成する。マスク20a,20bを用いて、半導体メサ22a,22bを埋め込むInP層24を形成する。III−V族化合物半導体層16bの表面16sにおける第2の領域r2を、所定のラインLに沿ってスクライブする。スクライブラインSLを起点として、InP基板10aを劈開する。 (もっと読む)


【課題】ウエハを劈開する際に、窒化物半導体積層部からp側電極が剥がれにくく、電流の不均一注入および電流‐光出力特性の不良が発生しにくい窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板11に形成された窒化物半導体積層部20上に絶縁膜15、p側電極16を順に形成する。さらに、p側電極16の劈開面13、14となる位置周辺の上部に端部電極保護層18を形成してウエハとし、これを劈開することにより窒化物半導体レーザ素子10を完成する。劈開の際、p側電極16は端部電極保護層18で保護されているため、窒化物半導体積層部20から剥がれにくい。 (もっと読む)


【課題】 面発光レーザ装置において、半導体多層膜の層数、量子井戸の層数、室温での反射鏡と量子井戸の利得ピークの相対値等の高出力化できる構成条件をシュミュレーションするとともに、これを実証する。
【解決手段】 活性層の上下に一対の分布ブラッグ反射型半導体多層膜反射鏡を配置した積層構造を半導体基板上に形成し、n型多層膜反射鏡104側からレーザ光を取り出す垂直共振器型面発光レーザにおいて、p型多層膜反射鏡108が組成の異なるp型AlGaAsを交互に39ペア以上積層され、且つn型多層膜反射鏡104が組成の異なるn型AlGaAsを交互に積層し、その積層数はp型多層膜反射鏡108の積層数よりも少ないものとする。 (もっと読む)


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