説明

Fターム[5F173AL02]の内容

半導体レーザ (89,583) | 被覆構造・材料 (2,404) | 被覆の適用用途、適用箇所 (1,072) | 端面被膜 (749)

Fターム[5F173AL02]の下位に属するFターム

Fターム[5F173AL02]に分類される特許

1 - 20 / 54


【課題】 モード制御のための反射率制御を行うために設けられた段差構造を備えた面発光レーザにおいて、遠視野光強度分布の拡がり角を改善した面発光レーザを提供する。
【解決手段】 反射率差を付与する第1の段差構造と、遠視野光強度分布を変化させる第2の段差構造とを備える。第1の段差構造の段差を形成する領域と、第2の段差構造の段差を形成する領域とは所定の関係を有する。 (もっと読む)


【課題】基本横モード光の高出力化および偏光制御を可能にする面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ10は、基板100と、基板100上に形成された下部DBR102と、活性領域104と、上部DBR106と、基板上に形成されたメサMとを含む。メサMの頂部において、光出射部を覆う異方形状の出射保護膜112が形成され、さらにメサMの側壁および少なくとも周縁を覆う層間絶縁膜114が形成される。層間絶縁膜114は、出射保護膜112の長軸側の両端部を覆う周縁被覆部114Aと、出射保護膜112上に形成された基本横モード発振を制御するモード制御部114Bとを含む。 (もっと読む)


【課題】
窒化物半導体レーザ素子の共振器面に、レーザ光出射部に対応した光吸収層を加工による損傷を軽減して製造することを目的とする。
【解決手段】
導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体層を形成する工程と、
前記共振器面上に、反射ミラーと、保護膜と、光吸収層とを順次形成する工程と、
前記光吸収層に前記導波路領域に対応する開口部を形成する開口部形成工程とを具備する窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】半導体レーザバーの側面に保護膜を作製する際に、スペーサによってストライプ状電極に付される傷を低減する。
【解決手段】ストライプ状電極18及びボンディングパッド20を半導体積層構造14上に形成する工程と、基板を切断することにより複数の半導体レーザバー30を形成するバー形成工程と、複数の半導体レーザバー30の側面30bが載置面40の法線方向を向くように複数の半導体レーザバー30を載置面40上に並べるとともに、複数の半導体レーザバー30の間にスペーサ42を配置する工程と、複数の半導体レーザバー30の側面30bを覆うように保護膜32を形成する工程とを行う。バー形成工程より前に、主面12aを基準とする高さがストライプ状電極18より高い膜状構造体22を、複数の半導体レーザバー30となる半導体積層構造14の複数の部分それぞれの上に形成する。 (もっと読む)


【課題】 本願発明は、十分な光出力を確保しつつ、電子写真装置の光源として好適な面発光レーザおよび該面発光レーザを用いた画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】 上部ミラーの上部に第1の表面段差構造を有し、第1の領域における光路長と、第2の領域における光路長との差Lが、(1/4+N)λ<|L|<(3/4+N)λ(Nは整数)を満たす。 (もっと読む)


【課題】本発明は、メサ構造の端面に形成した誘電体膜が活性層の近傍で剥がれることを抑制できる光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る光素子は、基板上に形成されたメサ構造であってその内部に活性層を含むものと、該メサ構造の端面に重なるように形成された誘電体膜と、を備えるものである。そして、該メサ構造の端面は、3箇所以上の角部を有するように形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い高出力レーザを実現する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、基板と、基板上のn型窒化物半導体層と、n型窒化物半導体層上の窒化物半導体の活性層と、活性層上のp型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層に形成されるリッジストライプと、リッジストライプの伸長方向に垂直な、n型窒化物半導体層、活性層およびp型窒化物半導体層の端面に形成され、活性層よりもバンドギャップの広い端面窒化物半導体層とを有し、端面窒化物半導体層の、少なくともp型窒化物半導体層の端面に形成される領域のMgの濃度が、5E16atoms/cm以上5E17atoms/cm以下である半導体発光素子である。 (もっと読む)


【課題】半極性面を有するGaNウエハを用いて、良質な劈開面を有する窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】けがき線51aはエッジ部EDGE1に形成されており、エッジ部EDGE1では、上面と側面が鋭角を成す。また、けがき線51aはm軸に直交する方向に延びる基準線LINEに沿って延びている。けがき線51aは、基準線LINEに沿って延びる溝を含む。けがき線51aはエッジ部EDGE2には形成されていない。エッジ部EDGE2では、上面と側面が鈍角を成す。けがき線51aの形成はレーザけがき装置を用いて行われることができる。或いは、けがき線51aは、けがき針及びダイヤモンド針等を用いるけがき装置によって形成されることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子への不純物の付着を抑制することを課題とする。
【解決手段】第1のクラッド層303と、第1のクラッド層303の上方に形成された活性層305と、活性層305の上方に形成された第2のクラッド層308と、を含む積層体と、前記積層体の光を放射する側の側面に形成され、少なくとも活性層305の第1の側面305Aを覆う、厚さdが3μm以上の誘電体膜201と、を有する窒化物系半導体発光素子を提供する。 (もっと読む)


【課題】半導体バーに保護膜を形成する行程においてスペーサと半導体バーを短時間で分離する。
【解決手段】半導体バー12とスペーサ14とを交互に積層する。半導体バー12は、複数の半導体素子が長手方向に連接されて板状に形成されている。スペーサ14は、長手方向において半導体バー12よりも長く、長手方向で互いに対向する第1端面及び第2端面を有する。スペーサ14の第1端面に切り欠きが設けられている。積層された半導体バー12とスペーサ14の露出端面に一体的に保護膜24を形成する。スペーサ14の切り欠き内において半導体バー12の端面に第1押圧バー16を押し当て、スペーサ14の第2端面に第2押圧バー18を押し当てる。これにより半導体バー12に対してスペーサ14を移動させて、半導体バー12とスペーサ14の境界に沿って保護膜24をせん断応力により破断させる。積層された半導体バー12をコレットにより順番に取り出す。 (もっと読む)


【課題】スペーサ及びレーザバーを交互に積み重ねてレーザバーの端面に誘電体膜を形成する半導体レーザの製造において、生産性を向上させる。
【解決手段】巻き線状のスペーサ材28の一部をローラー26により引き出し、刃32により切断してスペーサ34を形成する。スペーサ34をスペーサ吸着用コレット36によりピックアップする。複数の半導体レーザが形成された半導体ウェハを劈開して複数の半導体レーザがバー状に並んだレーザバー16を形成する。レーザバー16をレーザバー吸着用コレット44によりピックアップする。スペーサ吸着用コレット36及びレーザバー吸着用コレット44によりスペーサ34及びレーザバー16を交互に積み重ねてコーティング用上治具及びコーティング用下治具58で挟み、複数のレーザバー16の端面に誘電体膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】光検出機能を有していても、小型で狭い実装スペースに搭載できる半導体レーザ及び光モジュールを実現する。
【解決手段】素子本体5の内部に活性層4が設けられると共に、素子本体5の上面には第1の電極6が形成され、素子本体5の下面には第2の電極7、及び第3の電極8が形成されている。そして、素子本体5の一方の端部は、第1の電極6から第2の電極7にかけて超薄膜の量子ドット膜9が形成されている。これをAPC駆動回路に接続し、量子ドット膜9で検出された光をモニタすることにより、半導体レーザに入力されるバイアス電流をフィードバック制御する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、クラックの発生を防止し、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層を形成し、電流リークパスやダメージの無い半導体素子及びその製造方法を提案することを目的とする。
【解決手段】本発明は、凹部からなる掘り込み領域を備えた加工基板において、丘の両端部双方にSiO2壁を形成し、丘表面の上面成長部からマイグレーションにより窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子が掘り込み領域内に移動して窒化物半導体薄膜を形成することを抑制することで、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成でき、歩留まり良く半導体素子を製造できる。 (もっと読む)


【課題】パッド電極下にポリイミド樹脂を配して寄生容量を低減する構造を有する半導体光素子において、ポリイミド表面の段差での電極段切れの問題から段差増加による寄生容量の低減が困難となる。
【解決手段】半導体基板2に積層された、エッチング停止層32と活性層36とを含む化合物半導体層を積層する。活性層36までのエッチングによりリッジ部20とその両脇の低地部42とを形成する。低地部42のうちパッド電極14下に対応する部分は、エッチング停止層32までエッチングされ、陥凹部46が形成される。ポリイミド樹脂層22は、パッド電極14の下において、低地部42の深さ、及び台地部48の高さに、陥凹部46の深さを加えた厚さとなる。陥凹部46の深さの増加により寄生容量の低減が図られる。 (もっと読む)


【課題】半導体レーザの共振器端面と反射膜との界面近傍において劣化が起こりにくく、しきい値電流が低く、歩留まりの高い半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】共振器端面に密着して、層厚がλ/2(λは媒質内波長)のSiO膜40を配設し、このSiO膜40の上に、SiO膜40に密着する第1層は層厚がλ/4のa−Si膜42aと第2層は層厚がλ/4のSiO膜42bとから構成される二重誘電体膜42を適宜重ねることにより、前部高反射率膜28或いは後部高反射率膜30を構成する。 (もっと読む)


【課題】 FFPがリップルの少ない良好なガウシアン形状となる半導体発光素子を提供すること。また、共振器端面と保護膜との密着性を向上させ、製造効率の増大を図り、製造コストの低減を行うことができる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 基板と、該基板上に積層された半導体層と、該半導体層の共振器側の端面に形成された突出部とを有する半導体発光素子において、前記突出部は、光出射面と側面とを有しており、前記突出部の平面視形状は、連続した波状形状又は凹凸形状をしており、前記突出部の側面は、光出射面よりも表面粗さが大きい領域を有していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】チップに付着及び堆積する汚染物質を低減して発光素子の長寿命化及び動作の安定化を図るとともに、気密封止する構成を必要としない、または、厳密な制御を伴わず容易に気密封止することのできる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、レーザチップ1などに代表される発光素子のチップの光出射側の端面の最表面に、出射される光の一部を吸収する光吸収膜5を形成する。光吸収膜5を形成することによって、出射される光によって反応して形成される汚染物質の付着及び堆積を抑制する。また、光吸収膜5を、金属と誘電体との混合物、または、2種類以上の誘電体の混合物で成す。これにより、光吸収膜5の光の吸収量を容易かつ厳密に制御することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】通常のシリコンプロセスを用いて容易に形成可能な方法によって、シリコンなどの基板上に、シリコンやそれに順ずるゲルマニウムなどのIV族半導体を基本構成要素としたシリコンレーザー素子及びその製造方法の提供。
【解決手段】電子を注入するための第1の電極と、正孔を注入するための第2の電極と、前記第1及び第2の電極に電気的に接続された光を放出する発光部と、発光部からの光を伝送するための導波路を備え、前記1の電極、前記2の電極、及び発光部を単結晶シリコンとし、発光部は二酸化シリコン層で表面を覆われたシリコン極微細線であって、発光部は、二酸化シリコンよりも屈折率の高い導波路により覆われ、発光素子の上下に位置する絶縁膜の発光波長λにおける実効的な屈折率がnのときに、λ/2nの周期で光進行方向に沿って並設させる。 (もっと読む)


【課題】駆動電圧の印加が必要な外部光源を用いることなく、発光素子の出射端面に付着した有機物を分解除去して、素子劣化を防ぐことができる光半導体装置を得る。
【解決手段】レーザダイオード10(発光素子)は、出射端面10aから光12を出射する。レーザダイオード10の出射端面10aにTiO膜16(有機物付着防止膜)が形成されている。TiO膜16は、特定の波長の光が照射されると有機物を分解除去する光触媒反応を起こす。反射鏡18は、レーザダイオード10から出射された光12の一部を反射して、TiO膜16に照射する。波長変換器20は、TiO膜16に照射される光22の波長を、TiO膜16が光触媒反応を起こすような波長に変換する。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体発光素子の高出力動作時における長期安定動作を実現させる。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体の多層膜を備えている。窒化物半導体の多層膜は、基板上に設けられ、窒化物半導体結晶からなり、発光層を含んでいる。この窒化物半導体の多層膜には共振器の端面が形成されており、この端面の少なくとも一方には窒化アルミニウム結晶からなる保護膜が設けられている。保護膜は、保護膜が設けられている共振器の端面を構成する窒化物半導体結晶の結晶面とは結晶軸が互いに90度をなす結晶面を有している。 (もっと読む)


1 - 20 / 54