【課題】容易且つ確実にＴＥ−ＴＭ偏波間利得差を所期値以下に抑え、半導体基板間の製造ばらつきを低減し、製造ロット毎の歩留まりを大幅に向上させることを可能とする光半導体装置を実現する。
【解決手段】ＳＯＡは、半導体基板１と、半導体基板１の上方に形成され、量子ドット３を有する光学的に結合した単一の活性層５を備えた光導波路１１とを含み、光導波路１１は、ＴＥモード偏波利得及びＴＭモード偏波利得の一方が他方よりも大きい第１の領域１１ａと、他方が一方よりも大きい第２の領域１１ｂとを備えており、全体としてＴＥモード偏波利得とＴＭモード偏波利得との差が所定範囲内に調節されている。 （もっと読む）

【課題】光出射層表面に堆積物が生じることを抑制し、信頼性の改善が可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】活性層を含む積層体と、前記積層体により構成された光共振器の光出射端面に接触して設けられ、前記光出射端面側とは反対側の面を構成する光触媒膜を有する誘電体層と、前記光触媒膜の一部が露出するように前記光触媒膜の上に設けられた導電体部と、を有する光出射層と、を備え、前記活性層から放出される光ビームは、前記導電体部を透過して放出されることを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体レーザ素子を同時に精度よく位置決めすることができる。
【解決手段】半導体レーザチップ６の端面に対して垂直な方向と当該端面に平行な少なくとも１方向とにおける位置決めを行い、当該位置決めした位置に吸引固定する治具４と、半導体レーザチップ６を位置決め固定した状態の複数の治具４を、各半導体レーザチップ６のコーティングを施す端面の位置が揃うように、それらの端面を上向きに並べて固定する台座８、Ｙ方向押さえ３０、および、Ｚ方向押さえ３１，３２とを備えた半導体レーザ素子の製造装置である。また、台座８およびＹ方向押さえ３０に、露光用マスクとの位置決めを行うためのアライメント９も設けた。これにより、半導体レーザチップ６の端面に、マスクパターンを用いて高精度に区分けされたコーティングを施すことが可能である。 （もっと読む）

【課題】上部クラッド層とｐ型半導体層との接触抵抗を低減しつつ、上部クラッド層の形成時間の短縮を図ることができる半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ素子１０１は、ｎ型クラッド層１４、ｎ型クラッド層１４上に形成されたｎ型ガイド層１５、ｎ型ガイド層１５上に形成された発光層１０、および発光層１０上に形成されたｐ型半導体層１２を備え、ｐ型半導体クラッド層を有しない窒化物半導体積層構造２と、ｐ型半導体層１２上に形成された透明電極５とを含む。透明電極５は、酸化インジウム系の材料からなる第１導電性膜２１と、第１導電性膜２１上に形成され、酸化亜鉛系、酸化ガリウム系または酸化錫系の材料からなる第２導電性膜２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤを抑制しつつ回折格子のディスオーダーを防ぐことができる半導体レーザ及びその製造方法を得る。
【解決手段】半導体基板１上に、下クラッド層２、光ガイド層３，４、活性層５、及び上クラッド層６及びコンタクト層７が順に積層されている。光ガイド層３，４内に回折格子８が設けられている。レーザ共振端面の近傍かつ回折格子８の上方に窓構造９が設けられている。窓構造９は回折格子８には設けられていない。 （もっと読む）

【課題】低減された順方向電圧のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層におけるｐ型ドーパントの濃度がｎ型不純物の濃度より大きくなるように、ｐ型クラッド層はｐ型ドーパント及びｎ型不純物を含む。ｐ型クラッド層のバンドギャップより大きい励起光を用いた測定によるフォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトルは、バンド端発光及びドナーアクセプタ対発光のピークを有する。このＰＬスペクトルにおけるバンド端発光ピーク値のエネルギＥ（ＢＡＮＤ）と該ＰＬスペクトルにおけるドナーアクセプタ対発光ピーク値のエネルギＥ（ＤＡＰ）との差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の順方向駆動電圧（Ｖｆ）と相関を有する。このエネルギ差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））が０．４２ｅＶ以下であるとき、III族窒化物半導体発光素子の順方向電圧印加に係る駆動電圧が低減される。 （もっと読む）

【課題】出力波長が互いに異なる複数の半導体レーザ構造の光軸調整が容易であり、且つ小型化が可能な半導体レーザ集積素子および半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置１Ａは、半導体レーザ集積素子１０と、半導体レーザ素子４０とを備える。半導体レーザ集積素子１０では、２つの半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂが半導体基板１１上に形成されている。半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂは、それぞれ青色レーザ光及び緑色レーザ光を出力する。半導体レーザ素子４０は赤色レーザ光を出力し、半導体レーザ構造２０Ａ上にフェースダウン実装されている。半導体レーザ集積素子１０は、半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの各共振端面を覆う誘電体膜を更に備える。各共振端面上における誘電体膜の厚さは略等しく、半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの各発振波長における誘電体膜の反射率の差は１０％以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、損失の小さいレーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるレーザ素子は、活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層で発生した光であって最も利得の高い光よりも波長の長い光を、該上部クラッド層の上方に回折する周期で該活性層の上方の層に形成された２次の回折格子と、共振器の第１端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第１反射膜と、該共振器の該第１端面と反対側の端面である第２端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第２反射膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】活性層に変調電流を注入した場合でも、発振波長の変化を低減でき、波長チャーピングを抑制することができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、ｎ型クラッド層１５と、ｐ型クラッド層１９及びｐ型コンタクト層２０と、活性層１７とを備える。更に、半導体レーザ素子１Ａは、回折格子層１３および該回折格子層１３上に設けられた接着層１４から成り、活性層１７との間にｎ型クラッド層１５を挟む位置に設けられた回折格子２４と、ｎ型クラッド層１５に接触するカソード電極２１と、ｐ型コンタクト層２０に接触するアノード電極２２とを備える。活性層１７は第１の光導波路を構成し、回折格子層１３および接着層１４は第２の光導波路を構成する。第１の光導波路と第２の光導波路とは、ｎ型クラッド層１５を介して光学的に結合し、レーザ共振器を構成する。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗の上昇を招くことなく、発光効率を向上させることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 発光部は基板、バッファ層、下部半導体ＤＢＲ、共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ、上部電極、下部電極などを有している。上部半導体ＤＢＲは、第１の上部半導体ＤＢＲ、及び第２の上部半導体ＤＢＲを有している。第１の上部半導体ＤＢＲは、ｐ−Ａｌ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる低屈折率層を含み、該低屈折率層は、第２の上部半導体ＤＢＲにおけるｐ−Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓからなる低屈折率層と接している。第１の上部半導体ＤＢＲの低屈折率層（ｐ−Ａｌ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐ）と第２の上部半導体ＤＢＲにおける第１の上部半導体ＤＢＲに接している低屈折率層（ｐ−Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓ）は、屈折率が同じである。 （もっと読む）

【課題】より小型に且つ低コストに構成する。
【解決手段】半導体レーザ２１の両端面２１ａ、２１ｂを無反射端面とし、一方の端面２１ａから出射された光を第１レンズ２２によって集光して筐体５０の窓５０ａに導き、窓５０ａに一端側が固定された光ファイバ２３に入射させ、その一部を光ファイバ２３の他端側に装着された光反射器２４によって半導体レーザ２１の一方の端面２１ａに戻し、半導体レーザ２１の他方の端面２１ｂから出射された光を第２レンズ２８で平行光にして回折格子３０へ所定の入射角で入射させ、その回折光を回動ミラー３３によって逆光路で回折格子３０に反射させ、回折格子３０に対する回動ミラー３３の角度によって決まる波長成分の光を半導体レーザ２１の他方の端面２１ｂに戻す構造であり、光ファイバ２３の他端に装着された光反射器２４を通過する光を出力光として出射させる。 （もっと読む）

【課題】所定の波長を出射する面発光レーザ素子の歩留りを向上させる。
【解決手段】基板の上に形成された下部ＤＢＲと、前記下部ＤＢＲの上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された上部ＤＢＲと、を有し、前記活性層より上部に形成された波長調整層を含み、前記波長調整層の厚さを変えることにより、異なる波長を各々出射する複数の面発光レーザを有するものであって、前記波長調整層はＧａＩｎＰとＧａＡｓＰとを交互に積層した膜、または、ＧａＩｎＰとＧａＡｓとを交互に積層した膜により形成されているものであって、前記積層した膜の一部を各々の層ごとに除去することにより、前記波長調整層の膜厚を変えたものであることを特徴とする面発光レーザ素子を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】作製プロセスにおいて段差構造の形状が変動したとしても、この変動がＦＦＰに与える影響を抑制することができる面発光レーザ、および、該面発光レーザを用いた画像形成装置を提供する。
【解決手段】面発光レーザ１００は、半導体基板１１０上に、下部ミラー１１２、活性層１１４、上部ミラー１１６が積層され、上部ミラー上に凸型の段差構造１５０が設けられている。その第１の領域１６０と第２の領域１６２との間の第３の領域１６５に遮光部材が配されている。 （もっと読む）

【課題】ＴＭモード発振が得られかつ信頼性の高い半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード７０は、ｎ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層１４および第１および第２ｐ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層１７，１９と、ｎ型クラッド層１４とｐ型クラッド層１７，１９に挟まれたｎ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層１１およびｐ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層１２と、これらのガイド層１１，１２に挟まれた活性層１０とを含む。活性層１０は、ＧａＡｓ_{（１−ｘ３）}Ｐ_ｘ３層からなる量子井戸層２２１とＡｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓ層からなる障壁層２２２とを交互に複数周期繰り返し積層して構成されている。 （もっと読む）

【課題】駆動電流や光出力が経時的に変動するのを抑制することの可能な光増幅装置を提供する。
【解決手段】ステム１０上の光増幅素子２０は、透過型ＳＯＡと称されるものであり、入射側端面２０Ａに入射した短波長の光を増幅して、入射した光よりも大きな輝度の光を射出側端面２０Ｂから発するようになっている。光増幅素子２０の入射側端面２０Ａおよび射出側端面２０Ｂは共に、その表面に反射防止膜（図示せず）を有している。光増幅素子２０は、ステム１０およびキャップ３０によって封止されており、かつキャップ３０のうち入射側端面２０Ａおよび射出側端面２０Ｂのとの対向部分にそれぞれ光透過窓３２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】発振閾値電流までのプラズマ効果による発振波長の短波長化、又は発振後の温度上昇に伴う発振波長の長波長化が生じても、活性領域のブラッグモードが常に分布反射鏡領域の有効反射帯域から外れることなく、安定した良好な単一モード発振を得ることのできる、信頼性の高い半導体レーザを実現する。
【解決手段】第１の回折格子１１を有する活性領域１と、第２の回折格子１２を有する分布反射鏡領域２とを備え、第２の回折格子１２は、第１の回折格子１１から伝搬する光の波長に応じて光路を変更する第１の部分１２Ａと、第１の部分１２Ａから入射される光の波長に整合した格子周期を有する、例えば円弧形状の各格子を持つ第２の部分１２Ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】安定な単一縦モード発振を保ったまま、効率的に光出力を増大させることができる半導体レーザ及び光半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１の上に形成されている、半導体レーザ活性層２、位相シフト構造８を有する回折格子７が形成された回折格子形成層３、上部クラッド層４とを有しており、光の出射端面９と、レーザ後端面１０とに無反射コーティング１１，１２が施されている半導体レーザにおいて、回折格子形成層３は、レーザ後端面１０側の領域３Ａに回折格子７が形成され、光の出射端面９側に回折格子７が形成されていない領域３Ｂを有している構成とする。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体からなる半導体積層構造を用いて、長波長化を実現した半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、基板１およびIII族窒化物半導体積層構造２を含む半導体積層構造を有している。III族窒化物半導体積層構造２は、半極性面を結晶成長面とするIII族窒化物半導体からなり、Ｉｎを含む発光層１０と、発光層１０の一方側に配置されたｐ型ガイド層１７と、発光層１０の他方側に配置されたｎ型ガイド層１５と、ｐ型ガイド層１７の発光層１０とは反対側に配置されたｐ型クラッド層１８と、ｎ型ガイド層１５の発光層１０とは反対側に配置されたｎ型クラッド層１４とを有する。III族窒化物半導体２は、前記結晶成長面へのｃ軸の射影ベクトルと平行に形成された直線状のリッジ２と、前記射影ベクトルと垂直な劈開面からなる一対のレーザ共振面２１，２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体層の半極性主面とパラジウム電極との接触抵抗が増加することを抑制可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１は、半導体基板１０上に設けられた活性層１４と、活性層１４上に設けられると共に半極性の表面１８ｓを有するｐ型半導体層１８と、表面１８ｓに接合すると共にガリウムを含有するパラジウム電極３８と、を備え、パラジウム電極３８におけるガリウムの含有量が１ｍｏｌ％以上である。 （もっと読む）

【課題】
本発明では、共振器面の劣化を抑制し、素子の寿命特性を向上させることを目的とする。
【解決手段】
導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体層と、前記共振器面に略垂直な窒化物半導体層の上面に、共振器面側の端部が共振器面から離間して設けられた絶縁膜とを有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記共振器面から窒化物半導体層の上面及び絶縁膜の表面にかけて形成された第１膜を有し、該第１膜は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）で、前記絶縁膜と異なる材料で形成され、窒化物半導体層と接触する第１領域と絶縁膜と接触する第２領域とを有する窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）