【課題】エージング後のＣＯＤレベルを向上することができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】光出射部にコート膜が形成されている窒化物半導体発光素子であって、光出射部は、窒化物半導体からなり、コート膜は、アルミニウムの酸窒化物からなり、厚さ方向に酸素の含有量が異なる窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】光検出機能を有していても、小型で狭い実装スペースに搭載できる半導体レーザ及び光モジュールを実現する。
【解決手段】素子本体５の内部に活性層４が設けられると共に、素子本体５の上面には第１の電極６が形成され、素子本体５の下面には第２の電極７、及び第３の電極８が形成されている。そして、素子本体５の一方の端部は、第１の電極６から第２の電極７にかけて超薄膜の量子ドット膜９が形成されている。これをＡＰＣ駆動回路に接続し、量子ドット膜９で検出された光をモニタすることにより、半導体レーザに入力されるバイアス電流をフィードバック制御する。 （もっと読む）

【課題】発光効率および歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、ｍ面に対してａ軸方向にオフ角度を有する面を成長主面１０ａとするｎ型ＧａＮ基板１０と、ｎ型ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体層２０とを備えている。上記ｎ型ＧａＮ基板１０には、成長主面１０ａから厚み方向に掘り込まれた掘り込み領域３が形成されている。また、上記窒化物半導体層２０は、障壁層２３ｂを有する活性層２３を含んでいる。そして、活性層２３の障壁層２３ｂが、ＡｌとＩｎとを含む窒化物半導体から構成されている。 （もっと読む）

【課題】静電容量を減らして応答性を良くした窒化物半導体レーザ素子を提供することである。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子１０は、活性層１６と、活性層１６の上方に積層された上部クラッド層１９と、上部クラッド層１９の上方に積層された低誘電率絶縁膜２２と、低誘電率絶縁膜２２の上方に積層されたパッド電極２３と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】出力が高く、受光面における戻り光の反射率の低い窒化物半導体レーザ素子を歩留まり良く作製することができる窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた外部共振器型半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】光出射部が窒化物半導体からなる窒化物半導体レーザ素子であって、光出射部に酸窒化シリコンからなるコート膜が形成されており、光出射部から出射されるレーザ光の戻り光に対するコート膜の反射率が０．５％以下である窒化物半導体レーザ素子とおよびそれを用いた外部共振器型半導体レーザ装置である。 （もっと読む）

【課題】 波長の安定化、光共振器の損失低減、冷却効率の改善を実現する。
【解決手段】 波長制御用のダイヤフラム上に設けられた第１の光学多層膜と、第２の光学多層膜とを活性層を介して対向させることにより、この第１および第２の光学多層膜により光共振器を形成する面発光レーザにおいて、前記第１の光学多層膜と前記活性層との間に形成された空間と、この空間に介在する液体とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 外部接続用の電極パッド等の金属層が形成される領域の絶縁耐圧を高くし、歩留まりを向上させコスト低減を図る。
【解決手段】 ＶＣＳＥＬは、ｎ型ＧａＡｓ基板１０上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１２、活性層１４、電流狭窄層１６、ｐ型の上部ＤＢＲ１８を含み、上部ＤＢＲ１８から下部ＤＢＲ１２の一部に至る半導体層を除去することによりポストＰが形成され、ポスト頂部の上部ＤＢＲ１８と電気的に接続された電極パッド２８とｎ型下部ＤＢＲ１２との間に多層絶縁膜が形成されている。多層絶縁膜により絶縁耐圧が向上する。 （もっと読む）

【課題】歩留の低下や製造コストの上昇を招かず、窒化物半導体レーザのＣＯＤを抑止する。
【解決手段】半導体レーザ１０１は、第１クラッド層１０３、活性層１０５、第２クラッド層１０８を有している。レーザ共振器の前端面１１３および後端面１１４の近傍には、窒素よりも電気陰性度の大きい不純物元素であるフッ素を含有する窓領域１１５が形成されている。この窓領域１１５は前端面１１３および後端面１１４をそれぞれフッ化炭素（ＣＦ₄ ）プラズマに晒すことで形成される。窓領域１１５の活性層１０５の実効バンドギャップは、それ以外の活性層の実効バンドギャップよりも大きくなるので、ＣＯＤを抑止するための端面窓構造として機能する。 （もっと読む）

【課題】 スピンコートを用いて薄膜を形成するときに、その薄膜の厚さの均一度を向上させることができる半導体素子の製造方法、半導体素子の製造装置および半導体素子を提供する。
【解決手段】 基板にスピンコート材料を載せ、その基板を回転させることにより、基板上に薄膜を形成するスピンコート工程を有する半導体素子の製造方法であって、前記スピンコート工程は、基板の回転の開始からスピンコート工程の終了までの間に、基板について、前後の回転数よりも少なくとも低速回転の状態とする低速期間を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光効率を高く維持しながら、基板に対して優れた接合性を有する半導体発光装置とその製造方法、およびこれを備える照明装置、さらには表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】このために、本発明に係る半導体発光装置は、発光層を有するものであって、その発光層の出射側に、表面に凹凸構造が設けられた光透過部が形成されているとともに、当該凹凸構造の上にさらに透光性を有した被膜が形成された構成を有することを特徴とする。 （もっと読む）