【課題】 半導体ナノデバイスに関し、基板上における臨界膜厚を超えた厚さの歪のある半導体薄膜を形成してデバイス領域とする。
【解決手段】 長径が１μｍ未満の半導体ナノワイヤコアと、前記半導体ナノワイヤコアの側壁に形成され、前記半導体ナノワイヤコアの構成材料との歪εが１％以上異なる半導体材料からなり、且つ、膜厚ｔ〔ｎｍ〕と歪ε〔％〕とが、
−０．７２０＋０．０９８８ε^−１．２＜ｔ≦−０．７０５＋０．２２７ε^−１．２
の関係を満たす少なくとも一層の半導体薄膜との接合界面或いは前記半導体薄膜同士の接合界面を機能領域とする。 （もっと読む）

【課題】量子カスケードレーザに分布帰還型の回折格子を作り込む際に、半導体メサ上面に回折格子構造を作製できる量子カスケード半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】露光におけるフォーカスの調整により、半導体メサ部３５上面上のレジストに、解像のために十分な露光のために光量を提供する。フォーカスの調整により、半導体メサ部３５の上面と異なる高さの位置に設けられたレジスト（例えば凹部３７ａ、３７ｂ上のレジスト）に解像不可能な光量の光を提供する。半導体メサ部３５の高さは例えば３μｍ以上であるとき、フォーカスの調整の利用で、半導体領域３９の表面３９ａにおける高低差を利用して、パターンの転写エリアを選択できる。したがって、半導体メサ部３５の上面に選択的に回折格子用の誘電体マスクパターンを形成できる。 （もっと読む）

【課題】光共振器端面の熱拡散を促進することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板にｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層をこの順に有する半導体積層構造、並びに前記ｐ型半導体層の上のｐ側電極を有するレーザ構造部と、前記半導体積層構造の対向する二つの側面に設けられた一対の共振器端面と、周囲気体よりも熱伝導率の高い非金属材料により構成され、前記レーザ構造部の上面のうち前記共振器端面の位置を含む領域に設けられた膜とを備えた半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】静電容量を減らして応答性を良くした窒化物半導体レーザ素子を提供することである。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子１０は、活性層１６と、活性層１６の上方に積層された上部クラッド層１９と、上部クラッド層１９の上方に積層された低誘電率絶縁膜２２と、低誘電率絶縁膜２２の上方に積層されたパッド電極２３と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】所定の波長を出射する面発光レーザ素子の歩留りを向上させる。
【解決手段】基板の上に形成された下部ＤＢＲと、前記下部ＤＢＲの上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された上部ＤＢＲと、を有し、前記活性層より上部に形成された波長調整層を含み、前記波長調整層の厚さを変えることにより、異なる波長を各々出射する複数の面発光レーザを有するものであって、前記波長調整層はＧａＩｎＰとＧａＡｓＰとを交互に積層した膜、または、ＧａＩｎＰとＧａＡｓとを交互に積層した膜により形成されているものであって、前記積層した膜の一部を各々の層ごとに除去することにより、前記波長調整層の膜厚を変えたものであることを特徴とする面発光レーザ素子を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】所望の方向に偏波したレーザ光を射出できること。
【解決手段】面発光レーザ素子３００は、基板１上に下部ＤＢＲミラー２と、活性層４を含む複数の半導体層が積層され円柱状に形成されたメサポスト１５と、メサポスト１５上に形成された上部ＤＢＲミラー１３とを有し、上部ＤＢＲミラー１３の上面部に設けられたアパーチャ１３ａからレーザ光を射出する。上部ＤＢＲミラー１３の少なくとも上面部に、レーザ光に対する光透過性を有する誘電体で形成した保護膜１４を備える。保護膜１４を、全体として積層面方向の断面が円形のメサポスト１５に対し、アパーチャ１３ａを含む所定範囲内で一体に長円状に成膜されて積層し、長軸方向の端部がＰ電極８の上面部からメサポスト１５の側面部を介し、Ｎクラッド層３の上面部まで成膜する。保護膜１４は、応力付加膜として活性層４に対し長軸方向に応力を加える。 （もっと読む）

【課題】光閉じ込めを効果的に向上させるとともに、非発光再結合や電流リークを抑制することにより、電力−光変換効率の高い高効率な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型バッファ層１２１やｎ型クラッド層１２２などのｎ型半導体層と、発光層１２４と、ｐ型クラッド層１２６などのｐ型半導体層とを有する窒化物半導体発光素子１００であって、リッジ側面として発光層１２４の側面を含むリッジ構造を備え、発光層１２４の側面は、発光層１２４よりも抵抗が高いＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（但し、０≦ｘ，ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で構成されるパッシベーション膜１４０によって覆われており、パッシベーション膜１４０は、発光層１２４の屈折率よりも屈折率が低い低屈折率膜１５１によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有すると共に発振歩留まりの向上可能な構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１では、レーザ導波路ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するので、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。第１及び第２の割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。導波路ベクトルＬＧＶと投影成分ＶＣＰとの成すズレ角ＡＶは、−０．５度以上＋０．５度以下の範囲にあることができる。 （もっと読む）

【課題】接着剤等の這い上がりのない信頼性の高い面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に形成された半導体層と、前記基板をチップごとに分離するため、前記半導体層に形成された素子分離溝と、前記上部半導体ＤＢＲ上に形成された電極と、を有し、前記素子分離溝の底面または側面には、撥液性膜が形成されていることを特徴とする面発光レーザ素子を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤに対する大きな耐性を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。レーザ導波路の両端には、レーザ共振器となる第１及び第２の端面２６、２８が設けられている。第１及び第２の端面２６、２８はｍ−ｎ面（又はａ−ｎ面）に交差する。ｃ＋軸ベクトルは導波路ベクトルＷＶと鋭角を成す。この導波路ベクトルＷＶは、第２の端面２８から第１の端面２６への方向に対応する。第１の端面（Ｃ＋側）２６上の第１の誘電体多層膜４３ａの厚さが、第２の端面（Ｃ−側）２８上の第２の誘電体多層膜４３ｂの厚さより薄い。 （もっと読む）

【課題】素子寿命の長いIII族窒化物半導体レーザ素子が提供される。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。レーザ導波路の両端には、レーザ共振器となる第１及び第２の端面２６、２８が設けられている。第１及び第２の端面２６、２８はｍ−ｎ面（又はａ−ｎ面）に交差する。ｃ＋軸ベクトルは導波路ベクトルＷＶと鋭角を成す。この導波路ベクトルＷＶは、第２の端面２８から第１の端面２６への方向に対応する。第２の端面２８上の第２の誘電体多層膜（Ｃ−側）４３ｂの厚さが、第１の端面２６上の第１の誘電体多層膜（Ｃ＋側）４３ａの厚さより薄い。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性を確保しつつ、歩留まりを向上させることができる半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】サブマウント１２上に半田１１を介してジャンクションダウンで半導体レーザ１が実装されている。半導体レーザ１は、ｎ型ＧａＮ基板２と、ｎ型ＧａＮ基板２上に形成されｐｎ接合を含む半導体積層構造３と、半導体積層構造３上に形成された電極８とを有する。電極８は、半田１１を介してサブマウント１２に接合されている。サブマウント１２と半導体積層構造３との間において電極８の周りを囲むように高融点金属膜１０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】発光端面上の誘電体膜の膜厚がバラつくことを抑制できる半導体レーザの構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの製造方法は、半導体基板上に活性層を含む半導体層が積層している、半導体ウェハ１００を形成する工程と、半導体ウェハ１００に、活性層より深い凹部１０６を複数形成する工程と、少なくとも凹部１０６内の第１の端面と第１の端面に対向する第２の端面とを覆うように、第１の誘電体膜（ＡＲコート膜１０８）を形成する工程と、第１の端面上のＡＲコート膜１０８を覆うように、分離膜（Ａｕ膜）を形成する工程と、Ａｕ膜上および第２の端面上のＡＲコート膜１０８上に、第２の誘電体膜（ＨＲコート膜）を形成する工程と、Ａｕ膜上のＨＲコート膜を除去するとともに、Ａｕ膜を除去する工程と、を含み、Ａｕ膜は、ＡＲコート膜１０８およびＨＲコート膜に対してエッチング選択比が１０以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子への不純物の付着を抑制することを課題とする。
【解決手段】第１のクラッド層３０３と、第１のクラッド層３０３の上方に形成された活性層３０５と、活性層３０５の上方に形成された第２のクラッド層３０８と、を含む積層体と、前記積層体の光を放射する側の側面に形成され、少なくとも活性層３０５の第１の側面３０５Ａを覆う、厚さｄが３μｍ以上の誘電体膜２０１と、を有する窒化物系半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】広帯域で反射率のピーク波長が可変であり、かつ長さが短い波長可変光フィルタ、ならびに広帯域でレーザ光の波長が可変であり、かつレーザ光の強度が安定した波長可変レーザおよび波長可変レーザアレイを提供すること。
【解決手段】マルチモード干渉型導波路と、前記マルチモード干渉型導波路の長さ方向の一端に設けられた第１光入出力部と、前記マルチモード干渉型導波路の他の一端に設けられた反射手段と、前記マルチモード干渉型導波路の屈折率を変化させる手段と、を備え、前記マルチモード干渉型導波路の長さおよび幅は、前記第１光入出力部から入力した光を、前記反射手段により反射した後に、該第１光入出力部において所望の分岐比で結像させるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】素子寿命の長いIII族窒化物半導体レーザ素子が提供される。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。レーザ導波路の両端には、レーザ共振器となる第１及び第２の端面２６、２８が設けられている。第１及び第２の端面２６、２８はｍ−ｎ面（又はａ−ｎ面）に交差する。ｃ＋軸ベクトルは導波路ベクトルＷＶと鋭角を成す。この導波路ベクトルＷＶは、第２の端面２８から第１の端面２６への方向に対応する。第２の端面２８上の第２の誘電体多層膜（Ｃ−側）４３ｂの厚さが、第１の端面２６上の第１の誘電体多層膜（Ｃ＋側）４３ａの厚さより薄い。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤに対する大きな耐性を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。レーザ導波路の両端には、レーザ共振器となる第１及び第２の端面２６、２８が設けられている。第１及び第２の端面２６、２８はｍ−ｎ面（又はａ−ｎ面）に交差する。ｃ＋軸ベクトルは導波路ベクトルＷＶと鋭角を成す。この導波路ベクトルＷＶは、第２の端面２８から第１の端面２６への方向に対応する。第１の端面（Ｃ＋側）２６上の第１の誘電体多層膜４３ａの厚さが、第２の端面（Ｃ−側）２８上の第２の誘電体多層膜４３ｂの厚さより薄い。 （もっと読む）

【課題】偏光方向を制御することができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、レーザ光を出射する光出射口１１２Ａが形成されたｐ側電極１１２と、光出射口１１２Ａを部分的に覆うように形成され、レーザ光の発振波長に対して透明な材質から構成され、長手方向と短手方向に異方性を有する絶縁膜１２０とを有し、絶縁膜１２０が形成された上部ＤＢＲ１０６の反射率は、絶縁膜１２０が形成されていない上部ＤＢＲ１０６の反射率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不要な誘電体反射膜が付着するのを防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザバーを形成する時に、半導体レーザバーの半導体層の表面において、へき開面と表面側電極のへき開面側の端部との間に第１の隙間が出来るようにし、半導体レーザバーの半導体基板の裏面において、へき開面と裏面側電極のへき開面側の端部との間に第２の隙間が出来るようにし、誘電体反射膜をコーティングする時に、第１及び第２のスペーサーバーの端部が、表面側電極及び裏面側電極のへき開面側の端部から、へき開面に垂直な方向でへき開面から離れる方向の位置に、それぞれくるようにすることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】発振横モードを制御しつつ、電流通過領域の中心に対する光学フィルタの重心の位置ずれ量の大きさが０．１μｍ以下の面発光レーザ素子を安定的に量産する。
【解決手段】 積層体の上面に、光学的厚さがλ／４の誘電体層１１１ａを積層し、その上面に、メサ構造体の外形を規定するレジストパターン１２０ａ及び出射領域における反射率が低い部分に対応する領域を保護するレジストパターン１２０ｂを形成・硬化させた後、誘電体層１１１ａをエッチングする。次に、出射領域の全体に対応する領域を保護する第２のレジストパターン１２３を形成し、第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンをエッチングマスクとして積層体をエッチングし、メサ構造体を形成する。そして、被選択酸化層を選択的に酸化させ、酸化物が電流通過領域を取り囲んでいる狭窄構造体を作成し、積層体の上面に、光学的厚さが２λ／４の誘電体層を積層する。 （もっと読む）